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1.
本文从仪器和电子光学的观点评述了在扫描电镜上的装备场发射枪以后,向低电压扫描电镜和扫描低能电镜发展中的一些重要问题。讨论了低能和极低能时二次电子和背散射电子的特性,低电压扫描电镜作扫描低能电镜能量段的划分,实现低电压扫描电镜和扫抵低能电镜的困难,以及利用阻场透镜的解决办法。讨论了低能情形下信号的探测,杂散电磁场的影响的估计和仪器的分辨率。  相似文献   
2.
在介电常数符号相反的两个材料的界面处可激发出表面等离子体激元 (Surface plasmon)。文中利用普通扫描电子显微镜中出现的电子束诱导沉积纳米碳基本现象 ,提出和发展了一种无需光刻胶和额外掩模的亚微米图形化技术。采用这一新方法 ,成功地在镀金的半导体 In Ga Al P量子阱表面制备了各种亚微米点阵结构 ,并得到基于二维表面等离子体激元的可见波段半导体发光的增强作用  相似文献   
3.
本文通过离子溅射镀膜和高真空蒸发镀膜两种方法,用金和钯铱合金做为蒸发源,对样品表面蒸镀导电层。然后用AMRAY-1910FE场发射扫描电镜观察试样表面蒸镀层对试样形貌的影响。实验表明在放大倍数超过5万倍以上观察试样时,由于金镀层粒度太大,因此不能用来做为表面导电镀层。但用高真空蒸发镀膜,用钯铱合金做为试样表面蒸镀材料,在25万倍以下观察时,无论从膜的导电性方面或是其颗粒度方面来看都不失为一种较好的蒸镀材料。  相似文献   
4.
通过对广东省七条高速公路近年来微表处实施路段各路用性能指标(PCI,RQI,RDI,SRI)的对比分析,研究各路段微表处措施实施后的长期路用性能,并对其三种常见的病害类型:纵向裂缝、横向裂缝和坑槽的累计增长趋势进行统计分析,结果表明实施微表后的各路段具有良好的抗滑性能和封水性能,可以有效的恢复和改善路面的坑槽、裂缝等各种病害。  相似文献   
5.
本文简要回顾了电子枪发展的历史,评述了电子枪理论研究方面的新进展,重点介绍了日本学者Fujita和Shimoyama的新近研究成果。最新的研究表明,对冷场发射和扩展的肖特基发射电子枪,存在阈值电流。当束流,Ib增大,超过阈值电流时,枪的表观亮度逐渐下降。当对整个电子光学柱体进行评价时,必须把亮度和束流的函数关系考虑在内。这时会出现关于电子枪的若干新概念。整个电子光学柱体的电子探针性质曲线由三个区域组成,即:(1)恒定束斑(d)区;(2)d∝I3/8b,妒区;(3)d∝I3/2b区。以往的理论只指出了3/8次方区的存在。3/2次方区的存在是一个新的发现。它解释了历史上曾注意到的一个事实,即当应用的束流进入μA量级时,扩展的肖特基发射和冷场发射枪的性能反而不如传统的钨丝热发射枪。  相似文献   
6.
近几年,高压MosFET研究很活跃,随着它在等离子显示,场致发光和其它开关运用的日益广泛,高压Mos集成电路愈来愈重要,目前制造高压MosFET器件一般分成两类:一类是纵向结构的CMos方法,这种结构一个短的有源沟道和一个轻渗杂偏移栅区结合提供高压,可以作出高速,低导通电阻的DMos器件,优点是能与低压器件兼容,缺点是需要外延工艺,这对Mos工艺为优势的地方难度大一些,第二类是横向结构:利用场延伸电极和漏漂移区提高Mos器件的耐压,它的优点是和Mos工艺及CMos逻辑完全兼容。缺点是由于加了轻掺杂的漂移区而使导通电阻比较大。  相似文献   
7.
PMOS辐照检测传感器   总被引:2,自引:0,他引:2  
比较了常用的3种辐射剂量计,并详细介绍了PMOS辐射检测传感器的优点、制备工艺、工作模式、△Vth-D特性及测试电路的原理图。  相似文献   
8.
许多研究工作1.表明高 TcY-Ba-Cu-O 超导材料属颗粒超导,超导区之间以弱连接的方式相耦合,而目前对超导区的分布和大小尚无直接观察的报导。从应用角度,研究不同工艺条件对超导区分布的影响是十分必要的。我们选用密度约5.5g/cm~3的Y Ba_2Cu_3O_(~7)样品,零电阻温度Tc=92k,在液氮温度下的交流抗磁比为82%,样品编号分别为53-2-3和5C-1A。用改进的观察磁畴的粉纹技术将上述两种试样表面抛光,分别在液氮温度和室温,都在低压氩气氛中对试样表面溅射镀钴(Co),溅射时加一弱磁场。由于样品表面的超导区具有抗磁性,磁性颗粒仅附着于非超导区。在室温下材料处于非超导态,钴在试样上是均匀分布的  相似文献   
9.
本研究用扫描电镜(SEM)电子束曝光技术和相应的计算机联机成像程序,在InGaAsP/InP液相外延片上形成电子束光刻图形,并采用选择腐蚀等技术,由KYKY-1000BSEM并附X射线能谱仪和图像处理系统对研制过程进行监控,成功地在国内首次研制出由InGaAsP单量子阶分别限制的五层四元系组成的新型半导体微盘激光器,微盘直径为2-7μm,盘厚0.2-0.4μm。这一成功为开展半导体微盘激光器的研究打下了良好的基础。  相似文献   
10.
用纳米碳制备光子晶体   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用电子束诱导沉积纳米碳柱方法,在一台由KYKY1010B型扫描电子显微镜( SEM)改装的电子束曝光系统中发展了一种无需光刻胶的亚微米图形化技术,微型碳柱的高 度和直径可通过改变聚焦电子束参数加以控制.通过控制电子束辐照位置和对样品台相对漂 移的修正,在镀金的半导体表面8μm×8μm范围内分别得到由纳米碳柱形成的光子晶体点阵 ,包括正方、六方对称和八重准对称等点阵结构,为进一步开展半导体光子晶体的实验研究打下了良好的基础.  相似文献   
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