C_(60)单晶生长的优化研究

用晶体生长动力学考察了籽晶法气相生长C60单晶体的生长工艺，得出关键在于处理成核与长大两个因素之间的矛盾。对管状炉的温度场进行了重新设计，将冷端的最低温度点移至合适部位，有效地控制了成核的数目。通过不断地优化实验，经选出恰当的冷、热端温度及生长周期，生长出的C6。单晶的最大钱度超过6mm，且有较高的结晶品质。同一单晶的劳厄像显示出C60的生长暴露面有（111）和（100）两种。     

PZT多层薄膜物性的研究

对磁控溅射ＰＺＴ铁电多层薄膜进行了分析。结果表明：通过多层薄膜合理的设计和厚度控制，可以改善薄膜进一步的器件应用提供了可能性。通过研究发现，制备多层较理想的溅射条件是衬底温度Ｔ＝６５０℃，薄膜子层厚度约为３００ｎｍ，衬底则以ＭｇＯ（１００）单晶、Ｓｉ２（１００）单晶为佳。结构分析的结果显示出：ＰＺＴ以铁电膜中的晶粒排列整齐，颗粒大小均匀，基本上和衬底成定向织构，膜的角度对多层膜的绝缘性能影响不大，     

Ca替代Y对YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导电性的影响

用固相反应方法制备了Y_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_y(x=0.0,0.02,0.05,0.10,0.15,0.20,0.50)系列样品,发现超导转变温度随x增加而呈线性下降。粉末x-射线衍射结果表明,在x≤0.15范围内,体系呈现出很好的正交单相性,晶格参数无明显变化。用碘滴定方法测量了体系的氧含量,发现随着x的增加,Cu的平均价态降低,氧含量减少。把上述结果同Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_y作比较,表明氧含量和Cu的平均价态均不是决定Tc的直接因素。讨论了氧含量改变的可能位置和引起超导电性发生变化的原因。     

Cu（111）-c（2×2）-Cl吸附结构第一性原理研究

密度泛函理论（DFT）总能计算研究了1／2ML覆盖度下氯原子在Cu（111）表面的吸附结构。计算结果表明：在Cu（111）-c（2×2）-Cl吸附结构中两个不同的Cl原子分别吸附于Cu（111）表面的fcc谷位和hcp谷位,每个氯原子的平均吸附能为2．631eV,氯原子的平均吸附高度ZCl-Cu。为0．209nm。Cu（111）-c（2×2）-Cl表面的功函数为5．778eV。     

C60单晶生长的优化研究

用晶体生长动力学考察了籽晶法气相生长Ｃ６０单晶体的生长工艺，得出关键在于处理成核与长大两个因素之间的矛盾。对管状炉的温度场进行了重新设计，将冷端的最低温度点移至合适部位，有效地控制了成核的数目。     

PZT多层薄膜物性的研究

对磁控溅射PZT铁电多层薄膜进行了分析，结果表明：通过对多层薄膜合理的设计和厚度控制，可以改善薄膜的性能，为进一步的器件应用提供了可能性。通过研究发现。制备多层膜较理想的溅射条件是衬底温度Ts＝650℃，薄膜子层厚度约为300um，衬底则以MgO（100）单晶、SiO2（100）单晶为佳。结构分析的结果显示出：PZT多层铁电膜中的晶粒排列整齐，颗粒大小均匀，基本上和衬底成定向织构，膜的电畴呈180°。通过比较可以发现，子层厚度及总厚度超薄，膜的介电常数越大，弛豫频率也越高。但薄膜总厚度对多层膜的绝缘性能影响不大，这说明薄膜的绝缘性质主要是由金属－铁电薄膜的界面决定的。在不同的电压下，多层膜的传导性能影响肖特基势垒的穿透和Fowler－Nordheim隧穿。     

热涨落,弱无序钉扎和磁通融化

从标准的统计物理公式出发，计算了有限温度下热涨落和无序对三角磁通格子均方根位移的贡献，结果表明：即便是在不考虑热涨落的条件下，无规分布的弱钉扎中心也会引起三角磁通格子的不稳定，导致新的磁通有序相的出现。     

Cu（111）-c（2×2）-Cl吸附结构第一性原理研究

密度泛函理论（DFT）总能计算研究了1／2ML覆盖度下氯原子在Cu（111）表面的吸附结构。计算结果表明：在Cu（111）-c（2×2）-Cl吸附结构中两个不同的Cl原子分别吸附于Cu（111）表面的fcc谷位和hcp谷位,每个氯原子的平均吸附能为2．631eV,氯原子的平均吸附高度ZCl-Cu。为0．209nm。Cu（111）-c（2×2）-Cl表面的功函数为5．778eV。