灰树花多糖Sevage法除蛋白工艺的研究

研究了灰树花多糖Sevage法除蛋白的工艺,采用单因素实验确定Sevage试剂添加量、氯仿与正丁醇体积比、脱蛋白次数以及振摇时间对灰树花多糖除蛋白效果的影响,并在单因素实验基础上采用响应面法确定了灰树花多糖Sevage法除蛋白的工艺条件:多糖溶液与Sevag试剂体积比3.073∶1,氯仿正丁醇体积比4.016∶1,振摇时间25.59min,脱蛋白率为37.95%,多糖含量为78.32%。     

PCIe总线与低速并行总线互连的设计与实现

在嵌入式系统中,内部数据访问通常使用低速的并行数据总线,而系统与外部模块数据交换则需要使用较高速率的总线.文章提出了一种可以简易地实现嵌入式系统内部的低速并行总线与外部高速的PCIe串行总线互连方案.     

浅谈在《机械基础》教学中学生创新意识的培养

本文通过在《机械基础》教学过程中对学生创新的必要性、学生创新意识缺乏的原因、怎样培养和增强学生的创新能力等予以阐述，认为技工学校学生在走向社会面临诸多挑战的情况下，必须使学生在学习期间就认识创新，树立创新意识。教育部门应予以大力支持，教师亦应不懈努力。     

芝麻素防治非酒精性脂肪肝作用及机理

研究芝麻素(sesamin)对非酒精性脂肪肝病(nonalcoholic fatty liver disease,NAFLD)小鼠的防治作用及其机理。采用高脂饮食建立小鼠非酒精性脂肪肝模型,从血脂水平及游离脂肪酸组成、氧自由基代谢及肝细胞损伤进行研究。结果表明:芝麻素预防剂量组(50mg/(kg.d))、治疗剂量(50、100mg/(kg.d))可有效降低NAFLD小鼠血清总胆固醇(T-CHO)、甘油三酯(TG)水平,显著改善高密度脂蛋白胆固醇(HDL-C)水平;提高NAFLD小鼠血清游离不饱和脂肪酸比例,对调节血脂水平有积极作用。芝麻素还能降低NAFLD小鼠肝脏组织丙二醛(MDA)含量,提高肝脏总抗氧化能力(T-AOC),降低血清谷草转氨酶(GOT)和谷丙转氨酶(GPT)活力。肝脏病理组织学观察表明芝麻素能明显减轻NAFLD小鼠肝脏脂肪化病变的程度。因此,芝麻素对非酒精性脂肪肝病具有防治作用,作用机理与降血脂、调节血脂组成即提高游离不饱和脂肪酸比例、抗氧化和抑制肝细胞损伤有关。     

纳米金刚石磨粒表面修饰及其摩擦特性研究

通过纳米金刚石磨粒与三氯氧磷的酯化反应，合成了纳米金刚石磨粒磷酸酯衍生物。采用傅立叶转换红外线光谱仪（FTIR）、飞行时间二次离子质谱仪（TOF—SIMS）对该改性物进行了结构表征。利用四球摩擦磨损试验机研究了化学修饰后纳米金刚石磨粒在水基基础液的摩擦学行为，发现基础液中纳米金刚石磨粒磷酸酯衍生物浓度为0．05％～0．075％时，能够使水基基础液的承载能力提高10％，磨斑直径降低2．6％。经过三氯氧磷酯化反应后的纳米金刚石磨粒具有更好的摩擦性能。     

ITER高功率磁场抗扰度测试系统研究

  目的  为了保证设备的安全稳定运行,受国际热核实验堆（ITER）组织监管的电力电子设备必须通过相关的磁场抗扰度测试。  方法  以ITER要求为基准,定义了所需测试系统的参数要求,选择方形螺线管线圈和方形三线圈作为研究对象,通过数值计算方法计算出最优性能的结构参数,并使用有限元的方法验证计算的正确性。  结果  对比两种线圈型式,选择功耗较小的螺线管作为最终的结构。然后以此参数为基准,分析了直流暂态的功率拓扑,计算了相关参数,确定了最终电源所需要的性能数据。  结论  研究为ITER高功率磁场抗扰度测试系统的感应线圈及其电源的设计提供了详细的计算过程和设计参考。     

纳米氧化硅在玻璃基片表面亚纳米级抛光中的应用

为满足先进电子产品对玻璃基片表面超光滑的要求,制备了一种纳米氧化硅抛光液,并研究了氧化硅粒子大小、抛光时间等参数对玻璃基片抛光后表面粗糙度、材料去除速率的影响。ZYGO形貌仪表明,采用纳米氧化硅抛光液,可以使玻璃表面粗糙度达到0.5 nm左右。AFM表明,抛光后的玻璃基片表面超光滑且无划痕等微观缺陷。     

纳米SiO2粒子抛光液的制备及其抛光性能

随着计算机磁头与磁盘间间隙的不断减小，硬盘表面要求超光滑，制备了一种纳米SiO2抛光液，并研究了镍磷敷镀的硬盘基片在其中的抛光性能，Chapman MP2000^ 表面形貌仪测得抛光后表面的平均粗糙度（Rα)和波纹度（Wα)分别为0.052nm及0.063nm，为迄今报道的硬盘抛光的的最低值。原子力显微镜（AFM）发现获得的基片表面非常光滑平整，表面无划痕，凹坑，点蚀等表面缺陷。     

氧化铝复合磨粒的抛光特性研究

为提高氧化铝磨料分散稳定性,利用接枝聚合对氧化铝粒子进行了表面改性,并研究了改性后氧化铝粒子在数字光盘玻璃基片中的化学机械抛光特性。结果表明,氧化铝复合磨粒的抛光性能与其表面接枝率密切相关。接枝率上升,材料去除速率下降;试验条件下,当接枝率为2.93%时,氧化铝磨粒体现出较高的表面平整性、较低的表面粗糙度及较低的表面损伤。     

数字光盘玻璃基片的三步抛光技术

为得到超光滑的数字光盘母盘玻璃基片表面,研究玻璃基片的亚纳米级抛光技术.分别采用2 μm、0.3 μm超细氧化铈抛光液以及纳米氧化硅抛光液进行三步化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP),抛光后最终表面粗糙度Ra达到0.44 nm,为目前报道的数字光盘母盘玻璃基片抛光的最低值.原子力显微镜分析表明,抛光后的表面超光滑且无微观缺陷.通过对玻璃基片CMP中机械作用及化学作用进行分析,对抛光机理进行了探讨.