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双足机器人行走稳定性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
双足机器人行走的稳定性是双足行走最为重要的衡量指标之一.针对传统的基于零力矩点(ZMP)步态稳定性判据方法,分析了ZMP、COP的相互关系,表明在双足机器人与水平地面无粘性力和无吸附力作用下,其ZMP即为压力中心点COP.基于具有足趾关节的双足机器人足底支撑面多种变化,提出对多点接触时支撑多边形区域描述.结合ZMP/COP、COG的在支撑面内相对位置,提出了基于ZMP/COP、COG的综合稳定性判据.经仿真分析,与传统单一的ZMP稳定性判据相比,该综合稳定性判据能够更为准确地反映步态的稳定性. 相似文献
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在电力生产中,大型变压器因漏磁而引起的设备发热及处理,一直是困扰生产人员的技术难题,而造成这种现象的根本原因是,大多数生产人员对于变压器漏磁的产生机理不甚清楚、对于漏磁引起的设备发热原理理解有误,所以,当变压器出现此类故障时,往往找不到切实可行的解决方法。本文从磁场屏蔽的角度,以变压器油箱上下密封螺栓发热问题为例,对变压器的漏磁产生过程及发热原理进行研究与分析,从而为生产人员处理变压器的漏磁发热及相关设备漏磁问题的研究提供参考。 相似文献
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碳化硅结势垒肖特基二极管(SiC JBS)是新一代航天器电推进系统的关键部件,但高能粒子辐射严重威胁其可靠性与稳定性。为揭示其辐射损伤机理,为其抗辐射加固设计与考核评估储备数据,本研究基于加速器开展了先进商用SiC JBS 10~20 MeV中能质子地面辐照实验,并提取器件辐照前后的正向伏安特性、反向伏安特性、电容电压等电学参数及缺陷特性。系统分析器件关键特性随辐照条件的改变规律。结果显示,质子辐照引起了器件肖特基势垒升高、载流子浓度降低,且10 MeV较低能质子导致的位移损伤退化更严重。分析认为,PN结界面缺陷导致高性能商用SiC JBS反向电学性能对中能质子的辐照更加敏感,正向特性相对稳定,辐照生碳缺陷造成载流子去除效应是引起SiC JBS性能退化的主要机制。 相似文献
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