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本文提出了一种波峰形状的低损耗微波负群时延微带电路,该电路主要由四条相同的微带传输线,两条相同的耦合微带线以及T形连接器组成.依据等效电路拓扑结构,基于微波电路理论推导出电路的S参数模型以及负群时延公式.利用ADS仿真软件对电路结构进行优化,并进行了实物的加工与测试.测试结果表明:在中心频率1.017 GHz时,电路的最大群时延为-2.46 ns,插入损耗为-2.1 dB以及反射损耗为-13 dB.实测结果与仿真结果以及理论模型结果具有很好的一致性. 相似文献
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设计了一种新型超宽带高增益维瓦尔第天线,在传统对踵维瓦尔第天线的两端均增加弧形辐射结构,从而提高天线的低频辐射带宽;在天线辐射方向添加一块渐变型介质板,将天线正反两面的表面电流限制在天线辐射方向,既可以矫正E面方向图的增益峰值偏移角度,也可以提升天线辐射强度。实测结果显示:1.6-20GHz频段内的天线VSWR均比小于2,倍频带宽高达12.5,增益为1.5-11.1d B,并且该天线的E面方向图对称性好、交叉极化比小,易于设计、成本低廉,在超带宽、高增益的定向辐射天线方向拥有较高的研究意义和应用价值。 相似文献
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Volterra级数是一种用于解决非线性问题数学模型,在功率放大器线性化领域中,其庞大的计算难度限制了实际线性化处理的效果。为了解决Volterra级数计算量过大的问题,使用谐波探测方法替代Volterra级数,使用多个简单多项式对功率放大器复杂的记忆非线性特性进行建模,结合该模型与前馈线性化结构,提出了一个基于谐波检测的数字前馈结构。该数字前馈方法避免了前馈方法中时延因素对于功率放大器线性化效果的影响。仿真中,上述方法提供了平均20dB的抑制效果,验证了谐波探测理论应用于功率放大器线性化领域的可行性。 相似文献
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二次静电放电(secondary electrostatic discharge,SESD)是一种由一次静电放电引起的发生在仪器内部微小缝隙间的击穿放电现象,可对晶体管等很多元件造成破坏.文章首先搭建由静电放电模拟电路、二次放电模拟电路和电流靶电路组成的电路级仿真模型,初步探索SESD的波形,并与初始模型进行对比分析,验证已知的理论.其次基于实验研究与数据分析的方法,总结二次放电波形特点、峰值特性和时延特性.研究表明:二次放电电流峰值大于一次放电电流峰值,且受放电电压、放电时延等参数影响;二次放电的时延呈正态分布.这一研究结果符合并验证了目前对二次放电微观过程研究所得出的相关理论. 相似文献
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介电常数是影响高频板材性能的重要参数,板材介电常数的准确性及空间分布均匀性都会对微波电路的性能产生重要
影响。 本文首先设计了增强型耦合环、屏蔽通孔和共面波导技术的谐振环电路,增强环对外界的抗干扰能力并使 S21 分布在
-30~ -20 dB,提高传输效率。 其次分析了不同的环平均半径、环宽、耦合间隙对仿真结果的影响。 接着对谐振环电路加工、测
试,实测结果表明在 2、10、24 GHz 频点下介电常数误差小于±0. 007,证明该方法测试精度高。 最后基于该谐振环电路对某国产
板材介电常数分布测试分析,结果表明加工和板材空间分布造成的介电常数误差小于±0. 024,证明板材性能良好。 相似文献
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提出了一种近场磁场探头,可用于集成电路电磁辐射发射测量,对电子设备中的辐射源定位。探头采用四层印刷电路板设计,介质材料采用高性能、低损耗的Rogers 4350B 材料,确保结构简单和小型化。多层板结构可以有效屏蔽外部空间中的电场耦合。通过使用过孔栅栏和同轴过孔结构实现良好的阻抗匹配,并且提高工作频率。同时,屏蔽过孔能够形成屏蔽腔,有效抑制谐振,提高电场抑制性能。采用HFSS 仿真软件得到磁场探头的性能参数,并进行实物加工。实验结果表明,探头工作频带可达到12 GHz,空间分辨率为2 mm,有良好的电场抑制度,仿真与实测结果吻合良好。 相似文献
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本文提出了一种符合IEC标准的横电磁波(TEM)小室,用于集成电路的电磁兼容测试.该TEM小室可在0~3 GHz内实现反射系数小于-12 dB,传输系数优于-2.5 dB.本文采用三维电磁仿真软件(Computer Simulation Technology, CST)对TEM小室的阻抗、S参数、场均匀性以及被测物(EUT)对场的影响进行仿真设计,加工实测并与商业产品进行了对比.最后,参考了IEC标准制作了电磁兼容测试板,并以TEM小室对集成电路(IC)芯片的辐射发射进行测量,分析测量结果有助于改善集成电路电磁兼容性. 相似文献