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1.
运用盆地模拟技术中的岩石圈模型,基于大面积3D地震和90多口探井资料,建立了西湖凹陷精细的构造、地层、岩性模型,完成了岩石圈和沉积盆地2个尺度的热演化史模拟,得到了西湖凹陷不同地质时期的热流值;在此基础上,计算了不同时期的温度和烃源岩成熟度犚o,并通过现今实测的23口井校正后井底温度、50口井DST测试温度与42口井犚o测定值进行了校验及修正。结果表明,西湖凹陷现今基底热流分布在40~60mW/m2,裂陷末期(32Ma)热流分布在60~70mW/m2,且中央构造带高、两侧斜坡带低,符合裂谷盆地的特点;但是,该地区现今和裂陷末期热流值远低于现今仍在张裂的弧后盆地即冲绳海槽的平均热流值458mW/m2,说明二者的盆地成因机制可能不同,根据现今热流分布特点推测该地区现今岩石圈可能并没有冷却到位,或者因后期反转、岩石圈底界抬升而导致上覆岩层遭受剥蚀以达到均衡。西湖凹陷平湖组煤系烃源岩现今热成熟度与油气性质存在较好的相关性,凹陷中北部为高—过成熟区,气藏以干气为主;而凹陷南部和斜坡带则为低—高成熟区,以凝析气和油藏为主,因此,凹陷南部和斜坡带是寻找规模性凝析气和油藏的有利区,凹陷北部是寻找大中型气田的有利区。  相似文献   
2.
根据二次电子发射的物理特性和过程,以θ角射入原子序数为Z的金属的每个原电子发射的二次电子数(δPEθZ)、原电子的入射能量(Wp0)、cosθ和参数Y(θ,Z)之间的关系被推导出来了。根究实验结果,得出Wp0为2~10keV的比率βθ、Wp0和cosθ之间的关系式。根据二次电子发射系数δθ和二次电子发射系数δ0之间的关系,Wp0为2~10keV的δθ、δ0、背散射系数η0、背散射系数ηθ、参数Y(θ,Z)、Wp0和cosθ之间的关系式(r)被推导出。根据r、实验结果、ηθ和η0的表达式,得出参数Y(θ,Z)、Z和θ之间的关系式。以δ0、η0、ηθ、cosθ的[1.08-0.59(θ/90)12](20/Z)0.07407次方、Wp0和cosθ为变量的Wp0为2~10keVδθ的通式被推导出。用该通式计算出来的二次电子发射系数与实验的铝、镍、铅和铍二次电子发射系数分别进行了比较。结果表明:推导的二次电子发射系数的通式可以用来估算Wp0为2~10keV和θ为0~89°的二次电子发射系数。  相似文献   
3.
十二烷基硫酸钠(SDS)是一种重要的荧光增敏荆,为了弄清SDS溶液的荧光特征并探讨其荧光产生机制,利用稳态荧光光谱仪分析了配置的多组样品,结果发现:低浓度时SDS溶液仅有1个荧光峰,位于300nm附近;当达到临界胶团浓度时,在330nm处出现第2个峰.300nm处的第1荧光峰由SDS单分子亲水基-OH中氧原子受激产生;330nm处的第2荧光峰则由胶团表面-OH中氧原子受激产生.配位物的不同使-OH的n电子受激后跃迁至不同的能级从而导致发射荧光波长的变化.  相似文献   
4.
TiO2纳米晶多孔微球具有颗粒大、晶粒尺寸小及比表面积较高等优点.以明胶作为模板,以钛酸丁酯为原料,采用溶胶-凝胶法制备了TiO2纳米晶多孔微球,并采用透射电镜、X射线衍射仪对其性能进行了表征.实验结果表明:采用溶胶-凝胶法成功制备了纯锐钛矿型TiO2;明胶的加入对样品的物相组成没有影响,但改变了其晶粒尺寸和排布方式,得到了一种由纳米晶组成的多孔微球;微球直径约为200~500nm,其中孔隙约为2~5nm,平均晶粒尺寸为(14.3±0.9)nm.在此基础上对TiO2纳米晶多孔微球的形成机理进行了分析.  相似文献   
5.
汪洋  仲坤 《机电元件》1991,11(1):19-24
一、序言 对引进的先进技术和设备的消化吸收、创新应用,一直是技术改造过程中的一个重要环节。目前,在消化吸收工作方面,各厂家比较注重先进产品的结构仿制,先进设备的翻版等一些所谓“硬技术”,而对诸如“产品结构的设计思想”、“生产过程构思”这样一类“软技术”研究较少。作者认为这类“软技术”的分析应用,对迅速提高我们的技术水平,改变原有的那些落后、保守、片面的思想观念,具有很重要的价值。 我们在对工厂从日本AIPS公司引进的KPCD频道选择开关生产技术和生产过程进行仔细研究的基础上,试图在本文中通过  相似文献   
6.
王万富  苏静  雷勇  仲坤  王迪 《无机材料学报》2016,31(10):1063-1067
分别采用蒸发结晶法和逆温结晶法生长尺寸约为4 mm×3 mm×3 mm的CH3NH3PbCl3单晶。对两种方法生长的单晶粉体的XRD分析结果显示, 单晶具有立方晶系结构, 其晶格常数分别为0.56833、0.56891 nm。实验测量了CH3NH3PbCl3单晶的红外光谱(FT-IR)和拉曼光谱, 并对谱峰进行了指认; 使用UV-VIS-NIR分光光度计、荧光光度计对CH3NH3PbCl3单晶的光学性能进行了测试。结果表明: CH3NH3PbCl3晶体的吸收边约为423 nm, 光致发光峰为433 nm, 带隙值为2.97 eV, 与CH3NH3PbCl3薄膜的光学特性相比, CH3NH3PbCl3单晶更具潜在的应用前景。最后, 结合第一性原理研究了CH3NH3PbCl3晶体的能带结构, 计算得出带隙值2.428 eV, 与实验值吻合较好。  相似文献   
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