一种声表面波器件的新型晶圆级封装技术

总结了声表面波(SAW)器件传统封装技术中存在的问题,提出了一种SAW器件新型晶圆级封装技术。采用一种有机物干膜,分别经两次压膜、曝光和显影完成了对SAW芯片在划片前的封装,并用实验进行了验证。实验结果表明,本技术具有在不改变叉指换能器(IDT)质量负载的情况下同时具备吸声的功能,改善器件的带外抑制能力,增强了产品的一致性和可靠性。本技术在SAW器件的封装方面有广阔的应用前景。     

一种防止声表面波器件静电烧伤的方法

为了防止声表面波器件被自身的热释电静电烧伤,提出了一种新的静电防护方法。该方法采用导电介质来实现对声表面波器件引脚的良好接触,并建立了静电传导途径,实现了热释电静电的释放,解决了困扰声表面波器件的静电敏感问题。试验结果表明,该方法能有效预防静电烧伤,具有很好的实用性。     

一种基于WLP封装的声表面波滤波器

以41°Y X切型铌酸锂作为基底材料,选择双T型阻抗元结构,采用晶圆级封装（WLP）技术,制作了一款相对带宽5.8%,最小插入损耗为-2.8 dB,体积为1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm的小型化WLP封装声表面波滤波器。并研制了专用探卡,对封装后晶圆完成在线测试。测试结果表明,探卡测试结果与装配到实际电路的测试结果进行对比,两者吻合较好,解决了WLP封装声表面波滤波器测试难题。     

高频声表面波器件用压电晶圆清洗技术研究

论述了低浓度碱性过氧化氢清洗液兆声清洗钽酸锂、铌酸锂和水晶等压电晶圆的工艺技术。在保持压电晶圆特性的前提下,该技术可有效去除晶圆表面小于0.2 μm的附着颗粒,使其表面洁净度满足亚微米线宽高频声表面波（SAW）器件生产要求,同时降低了化学品、去离子水的消耗量及对环境的污染。     

晶圆探针测试系统校准

阐述了消除探针测试系统误差的方法,通过分析校准原理和计算校准模型,提出了把已知的校准位放在校准基片上,通过修改网络分析仪(VNA)的校准位和信号接收端口,利用探针台的移动和探针与校准位的接触提取和反馈信号,修正系统误差。     

Nd~(3+)掺杂ms/tz-BiVO_4可见光催化性能研究

采用水热法合成不同钕离子掺杂比、不同水热反应时间的钒酸铋光催化剂,并对其光催化机理做了探究。X射线衍射(XRD)测试表明,随着水热时间的延长,四方晶型钒酸铋逐渐转化为单斜晶型;而随着钕掺杂量的增加,这个转化过程速度逐渐变慢。扫描电子显微镜(SEM)分析表明,随着水热时间的延长,样品逐渐从无规则形貌变成棒状形貌。通过紫外-可见漫反射谱(DRS)测试,发现了样品的双晶型共存和钕掺杂而产生的上转换发光现象。光催化测试表明,光催化性能的提高受到异质结构和钕掺杂的共同作用。     

输流管道耦合振动问题的ALE方法研究

本文以ALE理论为基础,结合流体力学的相关理论,推导了用ALE方法描述的Navier-Stokes方程组,构造了基于Petrov-Galerkin格式的迎风有限元列式求解FSI的动力学问题,并在流体区域内采用Newton-Raphson迭代格式求解非线性的N-S方程组。最后采用ALE有限元对等截面直管轴对称流动和变截面弹性管内的粘性流动横向振动进行了模拟计算,并与相关理论和实验结果比较,结果表明:本文方法具有很好的效率和精度。     

2.4GHz石英窄带低损耗声表面横波谐振滤波器

该文描述了一种工作频率在S波段的低损耗极窄带声表面横波谐振滤波器,解决了整机系统在高频率S波段载波近端的杂波抑制。采用一阶温度系数为0的石英基片及比瑞利型声表面波波速高1.6倍的声表面横波,制作出3dB带宽大于1‰的低损耗窄带谐振滤波器,其工作频率达2.4GHz,损耗为5.77dB,3dB带宽为3.0 MHz,在50Ω测试系统中测试,偏离中心频率±7 MHz的阻带抑制为25dB;在-40~+85℃内,频率漂移仅为705kHz。     

基于一种改进型DMS结构的极窄带SAW滤波器

该文采用一种改进型双模声表面波(DMS)结构来设计1.5 GHz的极窄带声表面波(SAW)滤波器.D MS结构两端的反射器采用分布式多周期加权结构能够消除在声通道上传播的多种声反射模式.为灵活设计滤波器阻带抑制及带宽指标,在DMS结构的两个叉指换能器(IDT)之间加入反射器.结果表明,研制的极窄带SAW滤波器中心频率为...     

钝化层对声表面波滤波器的影响

为了研究钝化层对声表面波(SAW)滤波器性能的影响,以二氧化硅(SiO₂)薄膜为钝化层,对厚度为12~80 nm 的SiO₂膜钝化层工艺数据进行分析。结果表明,当SiO₂膜钝化层覆膜厚度大于25 nm时其膜层质量均匀性好,致密度高。同时SiO₂膜钝化层厚度对膜层间的粘性、传播损耗、自身的质量负载及谐振峰处的频率均有影响,且会引起过渡带宽发生变化。