具有栅介质电场屏蔽作用的新型GaN纵向槽栅MOSFET器件设计

基于氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)半导体的金氧半场效应晶体管(MOSFET)器件在关态耐压下,栅介质中存在与宽禁带半导体临界击穿电场相当的大电场,致使栅介质在长期可靠性方面受到挑战。为了避免在GaN器件中使用尚不成熟的p型离子注入技术,提出了一种基于选择区域外延技术制备的新型GaN纵向槽栅MOSFET,可通过降低关态栅介质电场来提高栅介质可靠性。提出了关态下的耗尽区结电容空间电荷竞争模型,定性解释了栅介质电场p型屏蔽结构的结构参数对栅介质电场的影响规律及机理,并通过权衡器件性能与可靠性的关系,得到击穿电压为1 200 V、栅介质电场仅0.8 MV/cm的具有栅介质长期可靠性的新型GaN纵向槽栅MOSFET。     

基于Gurobi的抽水蓄能电站优化运行分析

抽水蓄能机组加入系统后,可以利用自身调峰填谷的能力,提高系统的经济性,减少煤耗量。本文基于某电网的日前数据,以系统运行成本最小为目标,考虑系统中各项约束条件建立优化模型,探讨了抽水蓄能电站为系统带来的好处。实验以Matlab为平台,编译程序调用Gurobi软件进行求解。优化结果表明,抽水蓄能电站可以很好的跟踪负荷的变化,降低煤耗,提高系统的经济性。同时验证了Gurobi优化软件在电力系统运行优化方面的可行性和实用性。     

AF9M1对KNN基陶瓷的结构与压电性能的影响

采用传统固相烧结法制备了K0.5Na0.5Nb O3-x Al(Fe0.9Mn0.1)O3(KNN-AF9M1)无铅压电陶瓷,着重研究了AF9M1的不同掺杂量(x分别为0,0.02,0.04,0.06,0.08)对陶瓷显微结构和压电性能的影响。结果表明,室温下,少量AF9M1的掺杂并未改变KNN基陶瓷正交相钙钛矿结构,但有助于陶瓷晶粒的生长及致密化。随着AF9M1含量的增加,陶瓷的压电常数(d33)、机电耦合系数(kp)、机械品质因数(Qm)和居里点(Tc)均先增大后减小,当x=0.04时,均达到最大值,分别为121 p C/N、0.35、179和392℃。     

无籽固相法生长的K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3基压电单晶预合成工艺、结构与性能EI北大核心CSCD

采用无籽固相晶体生长技术制备99.7(99.6K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3-0.4LiBiO_3)-0.3CaZrO_3无铅压电单晶,研究了预合成温度对合成粉末的特性以及后续生长的单晶生长特性、微结构、压电和介电性能的影响。结果表明:随着预合成温度的升高,合成粉末趋于形成更稳定的正交相结构,但粉末粒度和形貌没有明显变化。采用不同预合成温度合成的粉末均能制备出厘米级的单晶,晶体呈淡黄色半透明状。在研究范围内,预合成温度的变化对晶体的生长特性和晶体结构没有明显影响。但随着预合成温度的升高,晶体压电常数d33先增加后减小,当预合成温度为850℃时,达到最大值d33=284 p C/N。     

基于银行家算法的电动汽车充电拥塞控制机制

基于计算机网络中的"闭环反馈拥塞控制"和"银行家算法",设计了电动汽车充电拥塞控制机制.在充电过程中,若出现拥塞,则反馈信息给控制器.系统根据当前状态和银行家算法,在充电桩可能的功率组合中寻找能使变压器负载不超过额定值,且总体所需充满电池时间最短的解,对各个充电桩重新进行功率分配,并反馈新的状态信息到控制器,形成闭环反馈控制.最后,通过一组随机的充电桩状态进行拥塞发生后的实验,并在系统保护装置未反应的时间内找到高效充电功率组合,验证了该机制的可行性.     

浅析计算机网络安全防范措施

随着计算机网络计算的不断发展,网络安全问题和网络犯罪也在不断的增多,为此关于网络安全的探讨也越来越受到关注,本文就针对计算机网路安全存在的一些问题来简要的分析,探讨计算机的网络安全管理,寻找出网络安全防范的措施。