单壁碳纳米管中氢等离子体的微波损耗机理研究

运用双流体理论,在同时考虑了单壁碳纳米管中氢等离子体的电子碰撞吸收和氢离子碰撞吸收的基础上,理论推导出了铁催化高压歧化生成的单壁碳纳米管中氢等离子体的微波衰减系数公式,计算了0．2GHz-18GHz频段的微波衰减系数。数值结果表明,铁催化高压歧化生成的单壁碳纳米管中氢等离子体对2．45GHz的微波产生强烈损耗。理论值与实验数据相吻合。     

钴填充碳纳米管的微波吸收性能研究

分析了钴填充碳纳米管的磁性能,深入探讨了钴填充碳纳米管的微波吸收机理,对钴纳米粒子填充碳纳米管的微波吸收特性进行了数值模拟,计算了其自然共振频率,理论结果与实验数据相吻合.研究结果表明:钴填充碳纳米管对微波的强烈吸收主要是样品中钴纳米粒子在微波作用下产生了磁共振的结果;随着钴填充碳纳米管薄膜厚度的增加,其共振频率向低频...     

碳纳米管中氢等离子体的介电特性及微波吸收机理研究

运用双流体理论和唯象模型,导出了碳纳米管中氢等离子体的复介电常数和微波吸收系数,构建了铁催化高压歧化生成的碳纳米管中氢等离子体的微波吸收模型,从理论上证明了铁催化高压歧化生成的碳纳米管氢等离子体中的带电粒子对微波产生的碰撞吸收是其主要微波吸收机理,揭示了铁催化高压歧化生成的碳纳米管对2.45 GHz的微波产生强烈吸收的物理机制.     

碳纳米管磁化氢等离子体薄膜的微波吸收特性

为从理论上掌握有外加静磁场存在时铁催化高压歧化生成的碳纳米管中氢等离子体的微波吸收特性,根据磁离子理论和Appleton-Hartee方程,采用W.K.B近似方法,导出了碳纳米管磁化氢等离子体薄膜的微波衰减系数公式,数值计算了不同条件下碳纳米管磁化氢等离子体薄膜在0.3～30 GHz频段的微波衰减系数。研究结果表明:随着外加磁场强度的增加,Att30.00 dB/cm的频宽明显增大,吸收峰向高频方向移动.适当控制碳纳米管中等离子体的自由电子密度、电子碰撞的有效频率和外加磁场强度,能够实现碳纳米管中磁化氢等离子体薄膜对对特定微波段的强吸收.在外磁场等于0时,运用所构建的微波吸收模型得到的数值计算结果与已有的实验数据相吻合.     

基于全局响应面法的有限空间散热结构多目标优化

针对直流电能检定仪器内部空间有限导致无法增大散热器尺寸的难题,采用全局响应面法对基板和肋片厚度、肋片数目及风量进行多目标优化。首先,建立1 kW开关电源的有限元模型,以基板厚度H_2、肋片厚度H_3、肋片数目N、风扇风量V为变量因子,功率芯片和开关电源最高温度作为目标,设计正交试验;其次,基于试验结果,利用全局响应面法对变量因子进行多目标优化,结果表明,当H_2=3.0 mm、H_3=1.0 mm、N=10、V=24.00 CFM时,目标最高温度分别降至91.61℃和62.73℃。最后,利用最优参数开展实验,实验与优化结果十分吻合,误差仅为-2.53℃和3.70℃,优化参数可用,优化后最高温度降低了近30%,优化效果明显。     

用Multisim分析二阶低通滤波器电路

以Multisim为平台分析了二阶低通滤波器电路。使用虚拟示波器等虚拟元件,采用交流分析方法和参数扫描分析方法仿真分析了二阶低通滤波器电路的工作特性,及各元件参数对输入输出特性的影响,并演示了Multisim中虚拟仪器及各种分析方法的使用。仿真得到了该电路在低频状态下的通带电压放大倍数AUP=2,电路的截止频率fP=148.495 2 Hz。仿真结果与理论计算相符。     

铁磁性金属填充碳纳米管的微波吸收机理研究

深入探讨了铁磁性金属填充碳纳米管的微波吸收机理,对铁纳米粒子填充碳纳米管的微波吸收特性进行了数值模拟,计算了其自然共振频率,模拟结果与实验数据相吻合理论上证明了铁磁性金属填充碳纳米管对微波的强烈吸收主要是样品中铁磁性金属纳米粒子在微波作用下产生了磁共振的结果研究发现,随着铁磁性金属填充碳纳米管薄膜厚度的增加,其共振频率vγ向低频方向移动,随着碳纳米管中铁磁性金属纳米粒子含量的增加,vγ向高频方向移动因此,通过改变样品厚度和碳纳米管中铁磁性纳米粒子含量,可以实现对微波的调谐吸收     

铁催化高压歧化生成的单壁碳纳米管氢等离子体的微波损耗机理

运用双流体理论,在同时考虑了单壁碳纳米管中氢等离子体的电子碰撞吸收和氢离子碰撞吸收的基础上,理论推导出了铁催化高压歧化生成的单壁碳纳米管中氢等离子体的微波衰减系数公式,数值计算了0.2~18 GHz频段的微波衰减系数.计算结果表明,铁催化高压歧化生成的单壁碳纳米管中氢等离子体对2.45 GHz的微波产生强烈损耗.理论值与实验数据相吻合.