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1.
提出了一种简洁、新颖的SiC MOSFET器件导通电阻模型,该模型采用遗传算法对其不同温度下的导通电阻进行准确描述。相比于传统的导通电阻建模方案,采用进化算法可以准确地得到MOSFET导通电阻与结温之间的关系。并探究了不同种群规模、交叉率和变异率对算法的影响。为了验证模型的准确性,采用一款自主封装的1 200 V/90 A SiC MOSFET模块去验证模型的静态特性,并与传统导通电阻建模方案进行对比,其最大误差为4.1%。  相似文献   
2.
以葡萄糖为碳源,用水热法成功制备了碳微球,再以Ti(SO_4)_2为钛源,制备了核壳结构的C/TiO_2复合微球.为提高材料介电损耗,将样品在N_2氛围中不同温度条件下进行了碳化.采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对样品的结构和形貌进行了表征,用矢量网络分析仪测试了样品在2~18 GHz范围的复介电常数,并计算其反射损耗.结果表明:碳微球具有较高的微波介电损耗;碳微球与TiO_2复合后,在相同层厚条件下,反射损耗峰向低频迁移;700℃和800℃碳化下的C和C/TiO_2复合材料具有优良的微波吸收性能,其中C-700复合材料最小反射损耗达到-41.2 dB,低于-10 dB的最大吸收带宽达到4.5 GHz,C/Ti-700复合材料的最小反射损耗为-30.0 dB,最大吸收带宽达4.2 GHz.  相似文献   
3.
基于CHAM模型的LTS状态树生成算法   总被引:2,自引:0,他引:2  
标号迁移系统(1abelled transition system,LTS)是形式化一致性测试的重要研究方向,在软件体系结构(software architectures,SA)测试计划生成的研究中,需要从化学抽象机(chemical abstract machine,CHAM)模型中生成LTS,以表达出软件体系结构的动态特征,因此,LTS状态树生成算法是导出软件测试计划和测试用例研究工作中的关键问题,基于CHAM模型,提出了通用LTS状态树生成算法,并使用实例验证了该算法。  相似文献   
4.
软件体系结构风格的实例研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
软件体系结构研究领域中,风格的研究与应用是一个重要的领域。本文讨论了软件体系结构的概念和风格,在此基础上特别对CORBA,基于Web的分布式系统结构,领域专家系统,基于商业背景的可重用软件体系结构等内容进行了讨论,并给出了它们相关风格。  相似文献   
5.
基于Web服务的工作流系统应用集成方案   总被引:8,自引:0,他引:8  
刘大昕  姚从磊  曹瀚 《计算机工程》2004,30(23):159-161
分析析了工作流系统应用集成问题,利用Web服务技术提出一种解决方案,该方案中应用以Web服务形式提供给工作流系统集成,同时给出基于此方案开发的工作流系统的体系结构,并分析了该方案的优缺点。  相似文献   
6.
具有螺旋相位的涡旋光因其坡印廷矢量绕轴旋转而携带光子轨道角动量,其产生和变换也伴随着轨道角动量的变化。光子轨道角动量在经典光学与量子信息领域均受到强烈的关注。目前已开发出一系列轨道角动量加载和调制的成熟方法,光取向液晶叉型光栅就是其中重要一类。光取向技术适用于液晶微结构的高分辨灵活制备,极大地提升了涡旋光及其阵列的产生与调制能力。综述了光取向液晶叉型光栅在涡旋光场产生与调制方面的相关研究,具体介绍了二元与偏振叉形光栅、达曼叉形光栅、具有螺旋结构的达曼叉形光栅在涡旋光场产生及其阵列化和宽带应用方面的最新进展。  相似文献   
7.
基于活动的工作流关键路径算法   总被引:1,自引:0,他引:1  
计算关键路径是研究工作流时间问题的重要步骤,现有算法大多是基于工作流控制结构的规约与化简的,对工作流模型要求较高,不能计算控制结构的"部分覆盖",限制了其应用.首先给出一个描述活动延迟的工作流模型,然后将工作流网看作一个M/M/1队列网,讨论工作流活动在各种结构中的到达率与时间延迟,提出一种基于活动的关键路径算法.算法降低了对工作流模型结构的要求,解决了控制结构"部分覆盖"的计算问题,提高了算法的实用性.  相似文献   
8.
提出了一种基于遗传算法的电机控制器自动布局与优化设计方案,建立了各个元件之间的空间位置关系模型和物理外形模型,并通过评估函数对优化结果进行评估。通过Matlab平台进行仿真,并与部分穷举法产生的帕累托前沿进行对比,突出了控制器自动布局方案的快速性和合理性,为车用电机控制器的优化设计提供了新的思路。  相似文献   
9.
分析了转轮叶片加补强块后,补强块与叶片出水边连接位置容易产生裂纹的原因,制定了修复工艺,罗列了修复过程中所用的设备、材料和工具。经合理铲磨和抛光处理有效修复了裂纹。  相似文献   
10.
绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)是限制新能源汽车可靠性和成本的关键因素。结温监测能够提升IGBT功率模块的功率密度,提高系统可靠性,降低成本。基于此,提出一种基于大电流通态压降的IGBT功率模块结温监测方法。首先分析通态压降与结温之间的关系,然后设计通态压降结温校准电路,并基于小电流通态压降对校准结果进行验证。最后,分别使用数学模型和神经网络模型拟合结温和通态压降的关系,对基于模型对结温进行预测。结果证明,大电流通态压降能够准确测量结温。  相似文献   
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