长输管道全自动焊接边缘未熔合产生原因与抑制技术

全自动焊接技术具有焊接速度快、坡口角度小、焊接面窄等特点,广泛应用于长输管道焊接中。长输管道全自动焊焊缝的射线检测(RT)底片中经常出现线型影像,该线型影像一直被误认为是伪缺陷。以此为研究对象,通过反复工艺评定试验,对比不合格射线检测(RT)样片,发现此类线型影像并非伪缺陷,而是由边缘产生的未熔合线性缺欠;根据缺欠产生原因,研究长输管道全自动焊接边缘未熔合抑制技术,提高了长输管道全自动焊的焊接质量,其一次焊接合格率可达98.5%以上。     

氧压对脉冲激光沉积LaNiO_3薄膜结构和电学性能的影响

通过改变氧分压,利用脉冲激光沉积方法在Si(100)衬底上制备了系列LaNiO3导电氧化物薄膜;经XRD测试研究发现,通过调控氧压,可获得具有高(100)取向薄膜,且氧压对薄膜结晶性有很大影响,在氧分压为7.5Pa时获得结晶性最好的薄膜。经XRF分析表明,La、Ni元素化学成分计量比随氧压增大而减小。经四探针法测试,薄膜电阻率最小为2.03×10-4Ω.cm,表现出了良好的金属导电性。经SEM和AFM分析表明,薄膜晶粒为柱状晶,排列均匀致密,薄膜表面均匀,粗糙度较小,表明LaNiO3薄膜可以用作一种良好的铁电薄膜底电极材料。     

污染土壤生态修复技术研究现状与展望

系统介绍了污染土壤生态修复技术研究的成果,全面论述污染土壤生态修复技术的特点,并预测作为一项有效环境治理技术,污染土壤生态修复技术将成为今后解决土壤污染问题的根本方法。     

TiO2晶型对FeTiTaO6陶瓷介电特性的影响

分别选取纯金红石结构和金红石与锐钛矿混合结构的TiO2为钛源,通过传统固相法制备FeTiTaO6陶瓷。利用X射线衍射、扫描电子显微镜等手段对比表征了2种钛源条件下合成FeTiTaO6的相结构和微观形貌,并测试了二者的介温谱。结果显示,以纯金红石TiO2为原料合成的FeTiTaO6陶瓷有明显的介电弛豫特性,而以含有锐钛矿的TiO2为原料合成的FeTiTaO6陶瓷没有介电峰出现。原因是由于在煅烧阶段不同晶型TiO2之间发生结构转变,使制得的陶瓷粉体反应活性不同,进而影响陶瓷烧结的热力学进程,并导致陶瓷的介电性能出现差异。     

Ho、Mn共掺对BiFeO_3陶瓷材料的微观形貌和磁电性能的影响

采用传统的固相烧结法制备了Bi0.9Ho0.1Fe1-xMnxO3(x=0.05,0.10,0.15)陶瓷体系。XRD结果表明,Bi0.9Ho0.1Fe1-xMnxO3陶瓷存在杂相Bi2Fe4O9,随着Mn4+的掺入量的增加,(104)和(110)峰逐渐合并,(006)峰逐渐消失,证明其结构由菱方钙钛矿结构向四方结构发生转变;SEM分析可知,Bi0.9Ho0.1Fe1-x MnxO3陶瓷体系的晶粒随着Mn4+掺入量的增加逐渐变大;铁电性能测试表明,Bi0.9Ho0.1Fe1-xMnxO3(x=0.05,0.10,0.15)陶瓷在室温下具有铁电性,但电滞回线不饱和,说明其存在漏导;剩余极化值随着Mn4+掺入量的增加,先增大后急剧减小;磁性测试表明Bi0.9Ho0.1Fe1-xMnxO3(x=0.05,0.10,0.15)陶瓷表现出了铁磁性,其磁性随着Mn4+掺入量的增加而增强。除此之外,Bi0.9Ho0.1Fe1-xMnxO3(x=0.05,0.10,0.15)陶瓷具有一种特殊的磁滞回线,表明其随着磁场的增大发生了磁诱导相变。     

先进控制系统安全运行问题及措施

提出先进控制系统安全运行问题,论述了APC与DCS系统之间安全连接和切换的基本要求及其措施。     

一种超薄挠性印制电路用运载膜的研究

采用丙烯酸酯压敏胶的粘接原理,调整产品的初粘性和持粘性范围,并采用外交联和内交联相结合固化方式提高产品耐酸碱液的侵蚀能力。对主要单体、交联单体、固化促进剂、后处理的温度和时间进行了研究。结果表明:研制的运载膜成本低,性能好,使用方便,可以满足挠性印制电路板(FPC)生产工艺要求。     

CuLaO2薄膜的制备和光电性能研究

采用传统的固相烧结法制备出纯相CuLaO2粉末,以此为靶材,首次采用射频磁控溅射法制备CuLaO2 薄膜并进行退火研究,得到了具有少量杂相的CuLaO2薄膜.其透过率在红外光区较高,近70%,可见光范Itt相时较低.CuLaO2 薄膜的电导率约6.7×10-4S/cm.对比分析了CuLaO2粉末及薄膜室温光致发光性能.测试结果表明,粉末和薄膜在450 am-650 am范围都有明显的发光带,而薄膜有少量的杂峰,杂峰是由于La203、Cu的氧化物及石英衬底的影响.     

双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管

设计了双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管,研究了由于晶体不匹配所造成的缺陷以及这些缺陷对器件性能的影响.结果表明InP/GaP光二极管具有很好的光谱响应和抗辐射特性,特别是在短波方向有高于80%的内量子效率.这说明在双梯度掺杂漂移机制结构中使用晶格不匹配的衬底时,外延晶体中所产生的缺陷对器件性能的影响较小,器件在有大量缺陷和复合中心存在的情况下仍然可以具有较好的光电特性,从而为在强辐射带轨道运行的航天器使用太阳电池以及InP/Si器件技术提供了很好的设计依据.