中国房地产乱局的真相是权力谋利

财政部日前向全国人大常委会预算工委通报,关于贯彻落实12届全国人大一次会议预算决议和履行政府3项承诺时表示,将扩大个人住房的房产税改革试点范围,为全面推进房地产税改革更进一步积累经验。其实中国大陆高房价、住房难问题的根本,是不受约束的权力在房地产上攫取了过多利益,是不良的制度环境导致了经济畸形和房     

硅碳比对Si(111)表面SSMBE异质外延SiC薄膜的影响

利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术, 在不同的硅碳蒸发速率比(Si/C)条件下, 在Si(111)衬底上生长SiC单晶薄膜. 利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术, 对生长的样品形貌和结构进行了研究. 结果表明, 在Si/C比(1.1:1.0)下生长的薄膜样品, XRDω扫描得到半高宽为2.1°; RHEED结果表明薄膜具有微弱的衍射环, 有孪晶斑点. 在Si/C比(2.3:1.0)下生长的薄膜, XRDω扫描得到的半高宽为1.5°, RHEED显示具有Si的斑点和SiC的孪晶斑点. AFM显示在这两个Si/C比下生长的样品表面都有孔洞或者凹坑, 表面比较粗糙. 从红外光谱得出 薄膜存在着比较大的应力. 但在Si/C比(1.5:1.0)下生长的薄膜样品, XRDω 扫描得到的半高宽仅为1.1°; RHEED显示出清晰的SiC的衍射条纹, 并可看到SiC的3×3表面重构, 无孪晶斑点; AFM图像表明, 没有明显的空洞, 表面比较平整. FTIR谱的位置显示, 在此Si/C比下生长的薄膜内应力比较小. 因此可以认为, 存在着一个优化的Si/C比(1.5:1.0), 在这个Si/C比下, 生长的薄膜质量较好.     

深巷软岩光爆锚喷及联合支护

对采区深部软岩巷道的矿压特点、支护方式及效果进行了分析,阐述了对该种巷道支护结构的改进意见。     

招远黄金冶炼厂建成投产

烟台市招远黄金冶炼厂是冶金工业部黄金总公司投资支持,由我国自行研究、设计和建设的第一家专门处理多金属硫化物金精矿的冶炼厂,以提取黄金为主,同时回收有价金属银、铜、铅、硫等,是冶炼、化工综合性的新建企业。厂区建筑占地面积227亩,厂房建筑面积     

锅式法生产固体氢氧化钠的质量影响因素

简述了锦化化工(集团)有限责任公司锅式法生产离子膜固碱的原理及工艺流程。着重分析了影响固碱质量的各种因素，并提出了提高固碱质量的措施。     

高密度电法在顶管施工选址勘探中的应用

对施工区钻孔勘探发现该区域地层复杂,存在大量卵石及其它坚硬岩石,这对顶管掘进会造成很大影响,需要为顶管施工选择合适、有效的施工场址,降低卡钻概率。采用高密度电法技术勘探设备对施工区地层进行详细的勘测,首先对施工区域附近断崖层进行测量,对比剖面反演图分析,证明了高密度电法技术在对地层分布、岩层产状勘探解释上的可靠性,最后采用温纳装置和斯伦贝格装置分别对拟施工区域进行勘测并取得了较好的效果,初步为顶管施工拟定了一条卵石分布较少、卡钻概率较低的地下埋深走向,也减少了钻孔勘探量。