二氧化硅包覆CsPbI3纳米晶薄膜的制备

卤化钙钛矿型(ABX3)纳米材料是近几年兴起的光电新材料,由于全无机钙钛矿CsPbX3(X=Cl,Br,I)纳米晶体的稳定性差,严重阻碍了实际应用,但因其具有窄带隙,在太阳能电池领域有着重要的应用前景.本研究在CsPbI3纳米晶周围使硅酸四甲酯(TMOS)发生水解反应,形成CsPbI3@SiO2纳米晶体复合材料,促使甲苯悬浮液的稳定性显著提高,发光稳定性可增加到29 d.通过进一步以聚(苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯)三嵌共聚物(SEBS)对复合材料进行包裹,得到具有良好透明性和可拉伸性的SEBS/CsPbI3@SiO2薄膜,在水中有保持24 h稳定荧光现象,在水中12 h能保持原有发光强度的53％,而未经二氧化硅包裹的SEBS/CsPbI3纳米晶薄膜在水中仅8 h就失去荧光.本研究不仅为CsPbX3的表面改性提供了一种新方法,有助于解决稳定性问题,而且以聚合物复合的薄膜具有可拉伸性,也可应用在柔性器件中,具有重要的应用价值.     

静电纺丝制备Zn 掺杂的CsPbI3@PS 复合纤维薄膜

全无机卤化物钙钛矿材料(CsPbX₃, X=Cl, Br, I) 由于其优异的光学性能, 在光电领域具有广阔的发展前景,但全无机钙钛矿量子点对水、空气等外界环境特别的敏感限制了其发展。因此, 提高全无机钙钛矿量子点的稳定性非常重要。通过掺杂Zn²⁺ 取代CsPbX₃中的部分Pb, 进一步包覆聚苯乙烯(PS), 然后利用静电纺丝技术制备出Zn掺杂CsPbI₃@PS 复合纤维薄膜。CsPbI₃纳米晶在聚合物纤维中原位生长, 制得的PS 电纺薄膜不仅具有CsPbI₃ 钙钛矿量子点的荧光性质, 而且其稳定性显著提高, 可保存2 个月仍具有荧光效果, 并且实现其在白光二极管(WLED)器件上的应用。     

辛胺和甲基苯烯酸甲酯对CH3NH3PbI3 纳米晶稳定性能的研究

有机-无机杂化钙钛矿材料CH3NH3Pb I3是一种具有量子阱结构的新型材料,在发光二极管、场效应晶体管等诸多领域有着广泛的应用。在此类材料中,封装分子的比例直接影响着钙钛矿纳米晶体的形态结构以及荧光特性。首先选定辛胺为CH3NH3Pb I3纳米晶所需的封装分子,并确定辛胺的最佳用量,然后重点考察甲基苯烯酸甲酯(MMA)对CH3NH3Pb I3纳米晶稳定性能的影响,并采用紫外-可见吸收光谱法、光致发光光谱法、X射线衍射仪、扫描电子显微镜等手段对材料进行分析。研究表明,MMA可以有效缓解CH3NH3Pb I3的分解,添加量为400μL时制得的CH3NH3Pb I3纳米晶稳定性最佳,荧光持续时间由5 d增加到9 d。     

稀释时间对铯基卤化铅钙钛矿纳米晶母液性能的影响

铯基卤化铅(CsPbI_3)钙钛矿纳米晶具有高光致发光效率、窄的半峰宽及高量子产率等光电特性。但是由于纳米晶的表面缺陷,导致CsPbI_3钙钛矿纳米晶稳定性较差,限制了其应用范围。改善表面缺陷,提高纳米晶的稳定性成为研究热点。所以在传统热注法制备CsPbI_3纳米晶的基础上,采用简单的母液稀释法,160℃下油浴合成晶格间距为0.62 nm对应CsPbI_3标准卡片(100)晶面的立方相纳米晶。通过表征纳米晶的荧光发射和吸收性能,并结合稳定时间的变化,结果发现其发射峰稳定在680～700 nm左右。稳定时间由原来的7 d提高到10 d,大大提高了CsPbI_3纳米晶的稳定性,而且降低了发射波长峰值处强度衰减速率,延迟了荧光猝灭进程。     

反应时间对CH3NH3PbBr3钙钛矿纳米晶形貌及荧光性能的影响

有机-无机杂化钙钛矿(CH_3NH_3PbX_3,X=Cl、Br、I)材料正成为最近全世界研究的热点,在太阳能电池、量子点发光等众多领域有着广泛的应用。本研究重点考察反应时间对热注入法合成的CH_3NH_3PbX_3纳米晶的形貌及荧光性能的影响,并采用吸收光谱、荧光光谱、X射线衍射、透射电镜及扫描电镜等手段对材料进行分析。研究表明,随着反应时间的延长,产物从6nm左右的球状纳米颗粒变为层状纳米片;反应时间继续延长,纳米片的尺寸变大,厚度变厚;同时,产物的吸收峰和荧光发射峰都发生蓝移。通过绝对量子产率的分析,发现反应时间为180s时产物的量子产率最高。