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1.
利用金属有机物分解法在非晶石英衬底上成功地制备了具有 (202)择优取向的多晶 La1- x-SrxMnOz薄膜。原子力显微镜观察显示薄膜具有疏松的结构缺陷。在室温下,观察到薄膜磁电阻随外加磁场变化具有优良的线性特征, 10 kOe磁场下,磁电阻值达到 5%。在 77 K低温下,薄膜具有显著的低场磁电阻效应, 2 kOe磁场下的磁电阻值达到 11%。薄膜的电阻-温度关系具有平缓的金属-绝缘体转变,转变温度远低于其居里温度;在 8 kOe磁场下,薄膜的磁电阻随温度下降而单调上升。上述薄膜的磁输运特性与其结构缺陷 (包括晶界及疏松 )有关。  相似文献   
2.
大磁致伸缩执行器   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文阐述了大磁致伸缩材料的特性和大磁致伸缩材料在执行器中应用情况。大磁致伸缩执行器作为新一代小型强力执行器,被应用于低频声纳、新型马达、流体传动系统以及抗振系统等。大磁致伸缩执行器将有远大的发展前景。  相似文献   
3.
利用射频磁控溅射工艺在AZ31镁合金表面溅射了TiO2薄膜,并对薄膜的特性进行了研究。扫描电镜观察显示制备态的TiO2薄膜结构致密,表面无缺陷。对薄膜经过200℃保温30分钟、常温冷却或者85℃保持一小时后放到常温保持15分钟,连续实施4次该操作的两种热处理工艺后,观察到薄膜表面致密结构没有发生变化,表面也没有缺陷生成。这表明了薄膜具有热稳定性。薄膜表面硬度特性研究表明薄膜表面的显微硬度为1.51 GPa。最后,研究了表面镀有TiO2薄膜的AZ31镁合金在模拟人体体液环境下的腐蚀(降解)特性。结果表明,在7天腐蚀过程中,AZ31镁合金基底没有被腐蚀,因此TiO2薄膜对AZ31镁合金基底具有很好的保护作用。  相似文献   
4.
金属有机物分解法制备的La0.67Ca0.33MnOz薄膜的磁输运特性   总被引:1,自引:1,他引:0  
利用金属有机物分解法在石英衬底上制备了多晶La0.67Ca0.33MnOx薄膜。研究了薄膜输运特性及其与温度的关系,发现薄膜的金属-半导体转变温度Tp(约172K)远低于其居里温度(约247K);在平行于膜面的1T磁场下,77K-302K温度范围内,没有磁电阻(MR)峰,而是在Tp温度以下,有一宽的平台,平台处MR值约为21%-24%,在Tp温度以上,MR随温度上升而迅速降低;在77K温度上,薄膜具有显著的低场磁电阻效应。上述磁输运特性与载流子在晶界附近的输运行为如强的自旋相关散射和晶粒间自旋极化隧道效应等有关。在77K温度下,还观察到退磁效应引起的磁电阻垂直各向异性。  相似文献   
5.
利用金属有机物分解法在非晶石英衬义牙成功地制备了具有(202)择优取向的多晶La1-x-SrxMnOx薄膜。原子力显微镜观察显示薄膜具有疏松的结构缺陷。在室温下,观察到薄膜磁电阻随外加磁场变化具有优良的线性特征,10kOe磁场下,磁电阻值达到5%。在77K低温下,薄膜具有显著的低场磁电阻效应,2kOe磁场下的磁电阻值达到11%。薄膜的电阻-温度关系具有平缓的金属-绝缘体转变,转变温度远低于其居里温度;在8kOe磁场下,薄膜的磁电阻随温度下降而单调上升。上述薄膜的磁输运特性与其结构缺陷(包括晶界及疏松)有关。  相似文献   
6.
利用溶胶.凝聚法制备了Ni0.5Zn0.5Fe2O4粉末材料,烧结温度范围600℃-950℃。对材料的结构、红外、磁学和微波吸收特性进行了研究。材料的XRD图谱和原子力显微镜形貌观察表明,材料在纳米尺度范围之内。在500cm-1--600cm-1波数范围内,材料具有明显的红外吸收特性。材料的晶粒尺寸随着烧结温度的提高而增加,且较高温度烧结的材料具有相对低的矫顽力和饱和磁场。利用反射衰减实验研究材料在6GHz--10GHz波段范围的吸波特性,结果表明,0.33mm厚度的样品在常温下的反射衰减达到1.8dBm。  相似文献   
7.
不同制备条件下的Co/Cu多层膜巨磁电阻及铁磁共振研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用溅射方法制备了几批Co/Cu多层膜和夹层膜样品,通过测试发现:Co/Cu多层膜样品的巨磁电阻与制备条件有关。在较高本底真空和较低工作气压条件下制备的样品具有较大的巨磁电阻,其铁磁共振测试的结果和Heinrich的夹层膜的理论计算结果的相吻合。  相似文献   
8.
La0.67Ca0.33Mno3—δ体材料的巨磁电阻特性   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用高温烧结法制备了多晶立方结构的La0.67Ca0.33MnO3-δ体材料。材料的居里温度(Tc)为280K,其金属-半导体转变温度(Tp)为270K,接近于Tc。外加磁场下的磁电阻(MR)峰值温度与Tp十分接近。外加磁场为0.6T和5T时,材料的MR峰置分别过到40%和76%,材料具有显著的巨磁电阻效应,在液氮温度附近,也观察到了相当大的磁电阻效应。  相似文献   
9.
利用金属有机物分解法在石英衬底上制备了多晶La0.67Ca0.33MnOx薄膜。研究了薄膜输运特性及其与温度的关系,发现薄膜的金属一半导体转变温度Tp(约172K)远低于其居里温度(约247K);在平行于膜面的IT磁场下,77K~302K温度范围内,没有磁电阻(MR)峰,而是在Tp温度以下,有一定的平台,平台处MR值约为21%~24%,在Tp温度以上,MR随温度上升而迅速降低;在77K温度下,薄膜具有显著的低场磁电阻效应。上述磁输运特性与载流子在晶界附近的输运行为如强的自旋相关散射和晶粒间自旋极化隧道效应等有关。在77K温度下,还观察到了退磁效应引起的磁电阻垂直各向导性。  相似文献   
10.
AZ31镁合金表面磁控溅射Al和TiN的试验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用直流磁控溅射在AZ31镁合金表面分别沉积了Al膜和TiN膜。对这两种膜的表面特性进行了研究和比较。扫描电子显微镜(SEM)观察到沉积态样品的膜层是致密的。两种膜的样品在200℃温度下保温30 min热处理后,SEM观察到膜层仍旧是致密的,没有裂纹等缺陷产生。表面附着性试验表明,沉积态的膜层和镁合金基底间具有很好的附着性。纳米压痕测试结果表明,Al膜层表面和TiN膜层表面的显微硬度平均值分别为1.897 HV和23.85 HV,两者差一个数量级,TiN呈现硬质膜层的特性。还进行了模拟体液腐蚀膜层的试验,结果表明Al膜层在模拟体液中的耐腐蚀特性优于TiN膜层的。  相似文献   
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