UMTE复合材料的制备及其介电、导热性能

面对超大规模集成电路的发展和严苛的应用环境, 从市场需求入手, 通过原位生长的方法, 将二维杂化材料 MOFs (UIO-66) 包覆在多羟基碳纳米管表面, 制备出UMT 纳米材料, 并掺入环氧基体(EP) 中, 制得UMTE 复合材 料。研究表明, 相比于纯EP, 0.5% UMTE 复合材料介电常数下降了8.7%, 介电损耗始终低于0.035 (100~10⁷ Hz), 纳 米填料含量达到2% 时, UMTE 复合材料热导率提高了233%, 具有良好的电绝缘性、导热性。这类低介电常数、低 介电损耗、高导热的复合材料为设计微电子行业所需的环氧树脂材料提出了新的研究思路。     

PVDF/CNTs/Ni 复合材料的制备与介电性能

为提高电介质材料介电性能,选用聚偏氟乙烯(polyvinylidene fluoride, PVDF)为基体,碳纳米管(carbon nanotubes, CNTs)和镍粉(nickel powder, Ni)为填料,用溶液共混-热压法制备了PVDF/CNTs/Ni复合材料。采用X射线衍射仪(XRD)表征复合材料的微观结构,发现填料CNTs和Ni的加入促进了PVDF中的α相结构向β相结构转变,这有利于提高复合材料的介电常数。通过对复合材料介电性能的研究发现,当填料质量分数为4.1%时,在102Hz时PVDF/CNTs/Ni复合材料的介电常数可以达到38.9,介电损耗约为5.9。复合材料的介电常数相比纯PVDF皆有显著提高。热导率测试表明,当填料质量分数为5.1%时,复合材料的热导率可达到0.908 W/(m·K)。这为研发高导热性能的电介质复合材料提供了一种思路。