首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   490092篇
  免费   41241篇
  国内免费   23281篇
电工技术   33102篇
技术理论   49篇
综合类   37615篇
化学工业   74778篇
金属工艺   28575篇
机械仪表   31663篇
建筑科学   39641篇
矿业工程   16163篇
能源动力   13842篇
轻工业   33643篇
水利工程   10576篇
石油天然气   28892篇
武器工业   4636篇
无线电   55193篇
一般工业技术   51657篇
冶金工业   23293篇
原子能技术   5188篇
自动化技术   66108篇
  2024年   335篇
  2023年   7167篇
  2022年   12182篇
  2021年   18844篇
  2020年   14831篇
  2019年   11159篇
  2018年   12854篇
  2017年   14812篇
  2016年   12099篇
  2015年   18819篇
  2014年   24469篇
  2013年   29995篇
  2012年   34120篇
  2011年   37048篇
  2010年   33492篇
  2009年   31588篇
  2008年   31229篇
  2007年   29727篇
  2006年   29165篇
  2005年   24759篇
  2004年   16915篇
  2003年   14848篇
  2002年   13880篇
  2001年   12349篇
  2000年   11459篇
  1999年   11356篇
  1998年   8343篇
  1997年   7092篇
  1996年   6701篇
  1995年   5613篇
  1994年   4544篇
  1993年   3008篇
  1992年   2382篇
  1991年   1768篇
  1990年   1396篇
  1989年   1138篇
  1988年   907篇
  1987年   548篇
  1986年   422篇
  1985年   239篇
  1984年   203篇
  1983年   139篇
  1982年   138篇
  1981年   100篇
  1980年   113篇
  1979年   66篇
  1978年   26篇
  1977年   32篇
  1976年   38篇
  1959年   15篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
Samples in Si–Al-R-O-N (R = Y, Gd, Yb) systems were prepared by solid-state reactions using R2O3, Al2O3, SiO2 and Si3N4 powders as starting materials. X-ray diffraction was done to investigate RAM-J(R) solid solutions [RAM = R4Al2O9, J(R) = R4Si2N2O7] formation and their equilibrium with RSO (R4Si2O10). Phase relations between RAM, J(R) and RSO at 1700 °C were summarized in a phase diagram. It was determined that a limited solid solution of RAM and RSO could be formed along RAM-RSO tie-line, while RAM and J(R) form a continuous solid solution along RAM-J(R) tie-line. In RAM-J(R)-RSO ternary systems, the RAM-J(R) tie-lines were extended towards the RSO corner to form a continuous solid solution area of JRAMss (R = Y, Gd, Yb). The established phase relations in the Si–Al-R-O-N (R = Y, Gd, Yb) systems may facilitate compositional selections for developing JRAMss as monolithic ceramics or for SiC/Si3N4 based composites using the solid-solutions as a second refractory phase.  相似文献   
2.
Because of its ability to change optical absorption dynamically by applied electric field, nickel oxide (NiO) is a promising anodic material in smart windows, which can improve energy conversion efficiency in construction buildings. Although many works have achieved high electrochromic performance with different method. The underlying mechanism is still not fully investigated. In this article, we prepared the NiO films with large specific surface area and high stability by electron beam evaporation. X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were employed to figure out the surface morphology and composition of as-deposited films. Afterwards, the electrochemical properties and optical performance of the prepared NiO films were investigated. On this basis, the origin of surface charge was fully analyzed by cyclic voltammetry and diffusion coefficient test. These experimental and theoretical results firmly confirm that both the surface reaction and capacitive effect bring about the excellent EC performance in NiO films. These results not only provide clear evidence about electrochemical kinetics in NiO films, but also offer some useful guidelines for the design of EC materials with higher performance and longer stability.  相似文献   
3.
以广东部分山地丘陵为研究区域, 分析了数字高程模型AW3D30、SRTM3 V4.1和ASTER GDEM V3的高程精度。利用车载动态PPP技术对沿广州、惠州、韶关、清远约730 km的线路进行了数据采集, 并由CSRS-PPP定位服务系统解算得到动态点的WGS84坐标, 再通过重力场模型EIGEN-6C4将动态点的大地高转换为正常高, 最后对3种数字高程模型进行高程检核。结果表明: AW3D30、SRTM3 V4.1和ASTER GDEM V3的平均误差分别为0.55、0.17、1.59 m, 均方根误差分别为3.78、5.84、8.88 m。3种数字高程模型的平均误差在不同海拔区间差异明显, 其中AW3D30在不同海拔区间的平均误差振幅相对较小, 在2.18 m以内; SRTM3 V4.1的平均误差与海拔为负相关关系, 平均误差随着海拔的升高由正值逐渐转为负值; ASTER GDEM V3的平均误差在(0 m, 250 m]海拔区间为2 m左右, 在(250 m, 800 m]区间为-2.28 m。AW3D30的均方根误差与标准差整体上随着海拔的升高而减小, SRTM3 V4.1随着海拔的升高而增大, ASTER GDEM V3无显著规律, 在(100 m, 250 m]区间优于7.69 m, 在其余区间优于9.86 m。  相似文献   
4.
利用STM32F103VET6单片机、步进电机驱动器、两相四线步进电机及麦克纳姆轮小车制作了可以在平面内进行全向移动的智能小车,该小车可以实现在平面内的前进、后退、左平移、右平移及沿中心旋转等各种动作.在系统中,通过STM32单片机输出PWM脉冲来控制步进电机旋转,通过调节电机驱动器上的细分可以有效地降低运行时的振动和噪声.该系统成本低,响应快,运行稳定,可靠性高.  相似文献   
5.
非口腔组织中的苦味受体(TAS2Rs)可能成为相关疾病治疗的新靶点。 该研究将表达有 TAS2Rs 的细胞作为敏感元 件,根据其生理特性与不同的传感器耦合,探究了味觉受体异位表达及其在个性化药物筛选中的应用,构建了针对不同疾病模 型的个性化药物筛选平台。 首先,基于细胞阻抗传感器以及内源性表达 TAS2R38 受体的结肠癌细胞,开发了异硫氰酸酯类物 质特异性药物筛选平台,求得苯硫脲的 EC50 为 157. 6 μM;其次,结合微电极阵列检测系统,探究了 TAS2Rs 激动剂地芬尼多 (5~ 160 μM)和水杨苷(0. 001~ 100 μM)对心肌细胞收缩的抑制作用;此外,基于 3D 呼吸道平滑肌细胞 (ASMCs) 阵列,结合凝 胶成像系统,探究了 TAS2Rs 激动剂桔皮素(20 μM)对呼吸道平滑肌细胞的舒张作用。  相似文献   
6.
为提高超声相干平面波复合(CPWC)成像质量,本文提出了基于环形统计矢量(CSV)的加权算法。该算法以延时信号相位为环形统计样本,通过样本平均合矢量建立反映相位分布一致性程度的相干因子。进一步地,根据波束形成及相干因子构建数量的不同,提出了全孔径环形统计矢量(tCSV)加权算法。结果表明,相比于CPWC,CSV和tCSV的散射靶点分辨率和囊肿的对比度分别提高了至少23.67%和27.69%,CNR值降低至多39.37%。与相干因子(CF)和符号相干因子(SCF)相比,虽然CSV和tCSV算法在分辨率和对比度上最大分别比之减小约12.83%和88.31%,但抑制背景噪声和保留目标靶点回波幅值的能力较强,且CNR值比之提高了约20%,其成像质量具有更好地鲁棒性。  相似文献   
7.
磁感应断层成像作为一种新的检测成像技术,在脑出血等疾病的临床诊断和连续检测中具有重要的应用价值。 磁感应 断层成像系统由激励线圈和检测线圈两种线圈组成,其中激励线圈只有一个,而检测线圈在以往的研究中多达十几个甚至几十 个。 由于空间限制以及线圈之间的相互干扰,如何在不损失成像准确度的情况下最大程度减少线圈的个数具有重要的研究意 义。 针对此问题,本文提出了仅使用 5 个检测线圈,分别检测两个相互垂直方向磁场信息的双向检测成像方法。 进行了含有半 径为 15 mm 的单个异质体和半径分别为 7 和 15 mm 的两个异质体的复杂头部模型仿真实验和异质体检测的仿体实验,结果均 表明双向检测成像方式不仅可以抵消检测线圈个数减少带来的影响,而且具有更高的抗噪性能和成像准确度,从而为推动 MIT 的实际应用奠定了技术基础。  相似文献   
8.
以计入表面微凹坑的动压滑动轴承为研究对象,基于凹坑流量平衡建立了油膜特性数学模型,采用差分法离散求解得到了轴承静、动特性及稳定性参数随微凹坑深度、面积率、形状和排布方式的变化规律,对比了光滑表面的轴承特性计算结果.结果表明,凹坑形状、分布、尺寸等因素显著影响油膜承载力、流量、偏位角、平均温升等静特性参数和刚度、阻尼等动特性参数;其中,最优的微凹坑深度使得油膜承载能力最大提高了15.3%,失稳转速最大提升了6.9%.针对计入表面微凹坑动压轴承的研究具有参考价值.  相似文献   
9.
为解决FMS中工件流-刀具流的调度优化问题,考虑刀具剩余寿命,以完成时间最短为优化目标,建立了工件流-刀具流综合调度模型,提出了改进和声-遗传算法,并对模型进行优化求解.设计了MSOS+TSOS编码方式和GS初始化方法,从而显著提高了算法的收敛性能和求解效率.算例结果表明,该模型能有效降低完工时间,并且算法的收敛速度和稳定性也得到了明显提高,大大降低了问题求解的迭代次数.  相似文献   
10.
拉臂机构作为拉臂式垃圾车的关键部位,直接决定整车的可靠运行与人员操作体验,文中在分析拉臂机构的力学特性基础上,计算出在装卸工况下的载荷,利用有限元分析软件,对拉臂机构关键部位进行静态有限元分析与模态分析,分析结果表明拉臂机构符合动态性能要求,但其工作时强度不足,需对此进行结构优化。通过对拉臂机构进行局部修改,采取必要的辅助措施,使其达到符合静态性能要求的目的。在满足拉臂机构静动态性能要求上,装箱工况最大应力降低了23.3%,卸箱工况最大应力降低了24.9%,较好地达到了提高拉臂机构安全性能的目的。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号