基于三维模型的NPN双极型晶体管电离辐射效应仿真模拟北大核心

为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体管的损伤;以漂移扩散模型计算了晶体管典型性能的响应,验证了晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应。结果表明晶体管对电离辐射敏感的区域位于基区和发射结区附近的Si/SiO_(2)界面,从Gummel曲线提取的归一化增益发现,电离辐射损伤可能使晶体管增益降低50%以上,这对晶体管性能影响很大。该方法可以在降低成本、缩短周期的前提下,为晶体管抗电离辐射可靠性评估提供合理的技术支撑和可借鉴的理论数据。     

夏季室内热环境与分区控温床垫的被褥气候匹配舒适域

通过设计一款能够进行3个分区独立控温的床垫探究在夏季室内24℃、26℃和28℃的热环境下人体局部和整体的热感觉关系以及与被褥气候的匹配舒适域。局部平均皮肤温度与局部热感觉呈现较好的线性关系且腿足部热感觉随其皮肤温度变化最敏感。头部其次,腰背部最后。头部的最佳舒适室内操温度为24.6～27.6℃,热中性温度为26.1℃;腰背部最佳舒适的人-床界面温度为33.0～34.8℃,热中性温度为33.9℃;腿足部最佳舒适的人-床界面温度为32.1～33.0℃,热中性温度为32.6℃。平均心率的数据变化的趋势随着整体热舒适性数据进行变化,当全身热感觉投票均增大时,心率也会逐渐升高。     

高光谱成像用高帧频CMOS图像传感器北大核心

针对高帧频、全局曝光和光谱平坦等成像应用需求,设计了一款高光谱成像用CMOS图像传感器。其光敏元采用PN型光电二极管,读出电路采用5T像素结构。采用列读出电路以及高速多通道模拟信号并行读出的设计方案来获得低像素固定图像噪声(FPN)和非均匀性抑制。芯片采用ASMC 0.35μm三层金属两层多晶硅标准CMOS工艺流片,为了抑制光电二极管的光谱干涉效应,后续进行了光谱平坦化VAE特殊工艺,并对器件的光电性能进行了测试评估。电路测试结果符合理论设计预期,成像效果良好,像素具备积分可调和全局快门功能,最终实现的像素规模为512×256,像元尺寸为30μm×30μm,最大满阱电子为400 ke^(-),FPN小于0.2%,动态范围为72 dB,帧频为450 f/s,相邻10 nm波段范围内量子效率相差小于10%,可满足高光谱成像系统对CMOS成像器件的要求。     

国际放射防护委员会(ICRP)第121任务组介绍北大核心CSCD

国际放射防护委员会(ICRP)第121任务组(TG 121)是ICRP 2021年主委员会会议设立的一个任务组,任务是准备《电离辐射照射对后代的影响》的报告,报告目的是:(1)重新审议关于人类和非人类物种个体后代受到电离辐射照射后辐射诱发效应的相关科学文献。审议将包括两个主要部分:由于双亲受到照射后产生的孕前效应:遗传效应和隔代效应(涉及遗传和表观遗传机理及对疾病的影响)、及对生育和繁殖力的影响。     

超高效液相色谱⁃四极杆⁃飞行时间质谱对含PET食品接触材料中可迁移非挥发性物质的筛查研究

采用超高效液相色谱⁃四极杆⁃飞行时间高分辨质谱（UPLC⁃Q⁃TOF）对4类不同类型的含聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）材质的食品接触材料在4 %乙酸和50 %乙醇模拟物中的迁移出的非挥发性未知物进行筛查解析。结果表明，产品在4 %乙酸模拟物的迁移风险远小于50 %乙醇模拟物，主要迁移物质为聚合单体形成的寡聚物，抗氧剂、润滑剂、胶黏剂等加工助剂以及生产加工、迁移过程中形成的非有意添加物（NIAS）物质；纯PET材质的产品迁移物质较少，多层复合材料迁移物质较多。复合材质的产品中，PET材质可能在生产时添加了己二酸、癸二酸、新戊二醇等物质，进行了改性处理；此外，部分迁移物质会与模拟物中的乙醇发生反应，生成新的NIAS物质。     

ICRP 146号出版物 《重大核事故情况下人与环境的放射防护》内容摘要

放射防护中使用的主要剂量量是吸收剂量、当量剂量和有效剂量。有效剂量的概念是由ICRP提出的,将其作为一个调节危险度的剂量学量,用于管理对随机效应(主要是癌症)的防护,以便能够将估算的剂量与以相同量表示的剂量限值、剂量约束值和参考水平加以比较。使用有效剂量,可以基于线性无阈剂量响应关系、低剂量或低剂量率下急性和慢性照射的当量值、以及内外照射的当量值,将来自外照射和内照射的所有辐射照射一并考虑,予以求和。     

高熵形状记忆合金的研究进展

高熵形状记忆合金是在等原子比NiTi合金的基础上,结合高熵合金的概念,逐渐发展起来的一种新型高温形状记忆合金。近年来,已开发出了综合性能优异的(TiZrHf)50(NiCoCu)50系和(TiZrHf)50(NiCuPd)50系高熵形状记忆合金,引起了广泛的关注和研究兴趣。本文从物相组成、微观组织、马氏体相变行为、形状记忆效应和超弹性等角度出发,综述了高熵形状记忆合金的研究进展,并对高熵形状记忆合金未来的研究重点进行了展望。