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为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体管的损伤;以漂移扩散模型计算了晶体管典型性能的响应,验证了晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应。结果表明晶体管对电离辐射敏感的区域位于基区和发射结区附近的Si/SiO_(2)界面,从Gummel曲线提取的归一化增益发现,电离辐射损伤可能使晶体管增益降低50%以上,这对晶体管性能影响很大。该方法可以在降低成本、缩短周期的前提下,为晶体管抗电离辐射可靠性评估提供合理的技术支撑和可借鉴的理论数据。 相似文献
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报道了一款在101.6 mm(4英寸)InP晶圆上制备的特征尺寸为0.25μm的磷化铟双异质结双极型晶体管。采用发射极自对准技术和介质钝化工艺,器件的发射极典型尺寸为0.25μm×3.00μm,最大电流增益为25,当发射极电流密度为10μA/μm^(2)时,器件的击穿电压达到了4.2 V,电流增益截止频率为390 GHz,最高振荡频率为620 GHz。建立了用于提取器件寄生参数的小信号等效电路模型,模型的仿真结果与高频实测数据具有很好的拟合精度。 相似文献
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水平定向转回拖过程是工程建设中的重难点,为优化施工方案,采用工程实例为研究对象,根据管道下穿的不同曲率半径建立了基于S型平面路径的水平定向钻管道回拖过程的有限元模型,获得最佳曲率半径的施工方案,并分析了管道回拖过程中的应力、应变、轴力分布规律。结果显示,在进入2-3弯曲段时,管道与导向孔产生较大的侧向接触力,应力应变增大明显,最大径向拉应力为163.8MPa,轴力呈现先迅速增大而后缓慢增大的趋势;当管道穿越2-3弯曲段后,管道与导向孔之间的接触力迅速减小,管道处于悬浮状态,局部与导向孔接触稍大,应力应变值基本趋于稳定,且回拖力呈现缓慢增加的趋势,局部呈现阶梯式增加的现象;根据仿真模型最终计算,获得管道轴力最大值为10846kN,与实际回拖力为12033kN相比,拟合偏差仅为9.9%,计算结果与实际较为吻合,最后提出净浮力控制措施,为类似工程施工提供借鉴。 相似文献