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1.
连续降雨导致边坡失稳破坏是黄土边坡常见的地质灾害之一。为了深入研究连续降雨对黄土陡坡渗流场、变形场及稳定性的影响,利用具有侧向隔渗和纵向减阻作用的隔离槽技术对黄土陡坡的两侧降雨边界进行处理,在此基础上开展黄土陡坡现场连续降雨(6 d)试验并进行数值模拟分析,描述了黄土陡坡开裂过程和特征,分析了坡体含水率和孔压响应,并探讨了裂缝对陡坡稳定性的影响。结果表明:边界隔离会导致连续降雨陡坡坡顶形成近乎横向贯通的裂缝,基本消除了局部降雨以外土体的边界约束效应;连续降雨后期陡坡开裂对坡体含水率及孔压分布产生较大影响,最大含水率及孔压中心以裂缝为竖向对称轴下移,并造成降雨结束4 d后水分总下渗深度为降雨期间的1.3倍;连续降雨导致陡坡的安全系数降低了58%,而降雨结束4 d后陡坡的安全系数提升了9%,降雨期间边坡开裂极易引发陡坡上半部滑坡。研究结果可为黄土地区边坡的降雨灾害防治提供参考。 相似文献
2.
考虑大沟道电流下外沟道局域电子气慢输运行为破坏沟道电中性,诱生空间电荷导致的能带峰势垒,提出了新的跨导崩塌模型。详细计算了不同栅压和不同沟道电流密度、即不同空间电荷密度下的场效应管能带。引入新的能带峰势垒和沟道电子跨越势垒的动态模型,解释了沟道打开过程中源电阻增大、沟道电子平均速度下降、大沟道电流下跨导下降等各类跨导崩塌行为,解释了场效应管沟道电子速度远低于异质结材料的缘由。运用沟道打开时的异质结充电和大沟道电流激励下空间电荷触发的能带峰势垒模型解释了跨导钟形曲线上升段中的电流崩塌和下降段中的跨导崩塌。深入研究了陷阱和局域电子气的相互作用,解释了可靠性加速寿命试验中的跨导曲线变化。沟道夹断的强负栅压应力产生内沟道逆压电缺陷,减弱栅电压对内沟道电子气的控制和沟道打开时跨导的上升斜率。沟道打开后的大电流应力使局域电子气与晶格碰撞产生热电子缺陷和空间电荷,抬高能带峰势垒引发外沟道堵塞,降低沟道电流,导致阈值电压正移。这一研究证明在场效应管直流和射频工作中的器件性能退化都是由陷阱同局域电子气相互作用产生的,开创了优化设计异质结能带来提高场效应管可靠性的新途径。最后讨论大沟道电流下能带峰势垒引发的外沟道堵塞和跨导崩塌在场效应管研发中的重要作用,提出了在空间电荷区上方设置专用的异质结鳍来平衡内、外沟道能带,解开场效应管中的电流崩塌、跨导崩塌、线性、器件性能退化及3 mm高频工作等难点。 相似文献
3.
为了对八沟道等速万向节内套进行结构和静强度设计,从钢球选型出发,对八沟道等速万向节内套进行了结构参数正向设计.对内套危险截面进行了全场静强度设计,以理想静强度场为目标,定量匹配了危险截面静强度的材料、热处理,并对全场静强度设计进行了定量评价.使用MTS静扭转试验机对等速万向节总成进行了静强度扭转试验,并用显微硬度计对内套进行了显微硬度试验以验证理论,结果表明按照基于强度场的机械结构和零部件的静强度设计与匹配方法设计的八沟道等速万向节星形套能够满足强度和功能需求. 相似文献
4.
5.
随着油气管道的快速发展,管道运营里程的增加,管道地质灾害的发育也越来越多。泥石流沟道作为管道沿线发育较多、危害性较大的一种灾害,也逐步成为研究的焦点和热点。以管道运营中实际发生的泥石流沟道为研究对象,分析其发育特征,并从涵洞施工、综合护岸、排洪道、河堤挡墙等方面探讨防治措施,为油气管道的选线、安全运营等提供借鉴。 相似文献
6.
人的卵母细胞特性的研究对于临床医学具有重要意义,可以通过卵母细胞的大小对其活性进行研究。采用微流控平台与MATLAB算法相结合的方法,利用微流控器件的沟道对卵母细胞进行挤压,由于卵母细胞的活性不同对于挤压的反应也不同,活性越好的卵母细胞通过沟道时变形性越好,经检测卵母细胞有很好的活性;拍摄卵母细胞发生形变与卵母细胞通过沟道的视频,利用MATLAB程序进行图像处理得到卵母细胞的大小,测得卵母细胞的直径约为170μm。这种方法有别于传统方法,在一定程度上使用了算法识别,提高了卵母细胞分析统计的准确度,提升了工作效率。由于人的卵母细胞比较珍贵,只进行了初期实验研究,证明此方法确实可行。 相似文献
7.
基于BiCMOS工艺,提出了一种N沟道结型场效应晶体管(NJFET)。该NJFET通过在MOS管的栅极与漏极之间的N阱层上注入P型杂质,形成P型底部埋层(P-BOT)层。利用P-BOT层的辅助耗尽效应来避免NJFET过早横向击穿,达到提高NJFET源-漏击穿电压的目的。采用Sentaurus TCAD软件对该BiCMOS NJFET的击穿电压进行仿真。结果表明,该NJFET的击穿电压达104 V,在相同N阱掺杂浓度下,比传统NJFET提高了57.6%。 相似文献
8.
背沟道刻蚀型(BCE)非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管(a-IGZO TFT)具有工艺简单、寄生电容小以及开口率高等优点,但BCE IGZO器件背沟道易受酸液和等离子体损伤,进而引起TFT均匀性和稳定性等方面问题,随着GOA技术的导入,对TFT器件电学性能的均匀性和稳定性提升的要求也日益迫切,因此开发高信赖性BCE IGZO TFT是技术和市场的迫切要求。本文主要分析了基于IGZO的背沟道刻蚀型薄膜晶体管电学性质,通过优化钝化层材料,色阻材料以及GOA TFT结构等削弱因背沟道水汽吸附引起的器件劣化,偏压温度应力测试结果显示优化后的TFT展现了良好的稳定性——在80℃,栅极30 V负向偏压条件下,2 000 s的ΔVth小于1 V。最终,利用优化的IGZO TFT制作了215.9 mm(85 in)8K4K 120 Hz液晶显示器。 相似文献
9.
10.
《中国新技术新产品》2015,(15)
本文结合变电站智能电网建设的理念和排水系统的特点,通过技术经济比较站区沟道排水和管道排水的优缺点,提出适于110kV智能变电站的排水系统方式,供今后智能电站新建及改造工程参考。 相似文献