宽带直流放大器的增益控制设计与研究

首先进行了方案论证与比较,分析各种方案的优点缺点,最后选择亚德诺半导体公司生产的低噪声增益可控集成运算放大器AD603和电流反馈型宽带运算放大器AD811等器件设计宽带直流放大器。输入级采用两级AD603级联,输出级设计通频带0~10MHz的带宽,通过单片机可以对放大器增益进行控制。该放大器具有频带宽、功率高、增益可调、带宽可选择等特点。此外,对提高直流放大器的各种性能指标提出了多种具体措施,在要求较高的系统中具有较强的实用性。     

滚子链低噪声试验与研究

作者从噪声对人体与环境的危害入手,为降低链传动噪声,设计出了低噪声滚子链条.为研究低噪声滚子链降噪性能,特对同等规格普通滚子链与低噪声滚子链做噪声对比试验,并对试验结果进行了分析与评价.经权威噪声检测机构检测表明:低噪声滚子链较普通滚子链在中高速时降噪8～10dB.     

北斗高性能低噪声放大器的研究与设计

针对国内北斗行业的发展,介绍了一种适用于北斗B3频段的低噪声放大器的设计原理和设计方法,并给出了设计结果。为了达到更好的增益,采用了3级级联的方式。最终设计出的低噪声放大器在B3频段内的增益为(40±0.5)d B,输入驻波系数小于1.5,输出驻波系数小于1.2,噪声系数小于1 d B,在全频段内无条件稳定。     

新型高效低噪叶片在主通风机中的应用

通过分析风机叶片噪声的类型,研究风机叶片产生空气动力性噪声的机理,采用三元流理论设计出低噪主通风机叶型,并利用模型机试验测试装机效果,筛选出分别符合精密铸造工艺和铆焊工艺的低噪主通风机叶型。     

一种新型低噪声掺Er光纤放大器的研究

提出了一种新型的低噪声掺Er光纤放大器(EDFA)。将光波长交错器的输入端口与普通EDFA的输出端相连接,用于降低噪声,信号光由光波长交错器的偶信道端口输出。利用光波长交错器的梳状反射特性,抑制EDFA的放大自发辐射(ASE),改善EDFA的噪声特性,使其具有低噪声的特点。采用4m长的掺Er光纤(EDF)作为增益介质,小信号功率为-26dBm时,在1530～1560nm带宽范围内,测得低噪声EDFA的噪声系数低于3.83dB,仅比噪声系数的量子极限3dB大0.83dB。     

一种快前置放大电路的研制

简要介绍了研制的快前置放大电路,该电路是一个完全的直流放大器,具有较高的电压增益(Ar≥900),较快的上升沿(tr≤4ns),低噪声(等效输入噪声电压VN≤14μV),电路中引入贝塞尔滤波电路和反相求和电路,有效抑制了直流漂移,使电路具有极好的直流稳定性和增益稳定性,该电路主要适用于快探测器,如硅雪崩光电二极管探测器,也可用于加速器束流诊断系统,放大来自束流位置探针、相位探针的微弱信号.     

CMOS Microsystem Front-End for MicroTesla Resolution Magnetic Field Measurement

In this paper we discuss the conception and performances of a monolithic microsystem for magnetic field measurement built in standard 0.6 m CMOS technology. It is shown that 5.2 microTesla resolution over 1 kHz bandwidth (5 Hz to 1 kHz) can be achieved by combining a particular Hall effect based sensing device and appropriate analog conditioning electronics. The study focuses on the methods used to drive up the sensor's sensitivity and to drive down the system's noise level in order to achieve the above-mentioned resolution. A specific circuitry is proposed for biasing the sensor.     

低噪声高单位增益带宽双极型运放设计

设计了一款低噪声、高单位增益带宽的运放电路。该款电路基于0.25μm SiGe双极工艺,采用三级级联的形式,输入级选取多个双极型晶体管(BJT)并联,用作差分对管,以抑制噪声;中间级不但用pnp型BJT镜像电流源作为有源负载,而且并联多个横向pnp型BJT用以提升单位增益带宽;输出级则设计成低电容输入和低电容输出方式,借此拓展带宽。对所设计的运放电路进行了PSPICE仿真及硬件电路实验。结果表明,当电源电压为2.5 V时,运放电路的实测交流开环电压增益为80 dB,开环相位裕度为61.5°,单位增益带宽为203 MHz,在10 kHz处的输入电压噪声密度仅为1.2 nV/Hz~(1/Hz),因而可用于低噪声、高单位增益带宽的片上相位噪声测量电路和微波功率传感器等系统的设计中。     

1.9GHz0.18μm CMOS低噪声放大器的设计

针对1.9GHzPHS和DECT无线接入系统的应用,提出了一种可工作于1.2V电压的基于源级电感负反馈共源共栅结构而改进的CMOS低噪声放大器,并对其电路结构、噪声及线性特性等主要性能进行分析。并与传统的低噪声放大器进行对比,该电路采用两级放大结构,通过加入电容和电感负反馈可以分别实现低功耗约束下的噪声优化和高的线性度。采用TSMC0.18μm CMOS工艺模型设计与验证,实验结果表明：该低噪声放大器能很好满足要求,且具有1.4dB的噪声系数和好的线性度,输入1dB压缩点-7.8dBm,增益11dB,功耗11mW。     

适用于TD-SCDMA系统的极低功耗发射机

详细论述了一种具有极低功耗和高本振抑制的发射机,该发射机是射频收发芯片的重要组成部分,它起到将低频基带信号转化成射频信号,并以一定的功率发射出去的作用,由于其结构简单易于实现,具有较高的可靠性,所以可以大规模量产和使用。该发射机适用于时分同步码分多址接入（TD-SCDMA）系统并集成了电阻阵列衰减器（R2R）,极大的降低了发射机的功耗。同时,该发射机采用了直流（DC）校正模块,可以极大的改善本振抑制并输出高质量的射频信号。