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未掺杂氧化锆薄膜的铁磁性研究

宁帅,张政军(清华大学材料学院)

创新点说明:1,通过不同的物理气相沉积方法,实现了对未掺杂氧化锆薄膜的物相调控;2,发现了未掺杂氧化锆薄膜室温铁磁性对物相结构的依赖性;3,通过缺陷分析表征,发现四方相氧化锆的室温铁磁性主要由氧空位缺陷调控。

目的:未掺杂氧化锆薄膜的制备、物相和缺陷调控以及室温铁磁性研究。

方法:脉冲电子束沉积、直流反应磁控溅射、电子束蒸镀。

结果:1,通过不同的物理气相沉积方法,实现了未掺杂氧化锆薄膜的物相调控;2,发现了未掺杂氧化锆薄膜室温铁磁性的物相依赖性;3,通过缺陷分析表征,发现四方相氧化锆的室温铁磁性主要由氧空位缺陷调控。

结论: 1,制备了不同物相结构的未掺杂的氧化锆薄膜;2,发现了四方相氧化锆薄膜可以在室温下呈现铁磁性;3,四方相氧化锆薄膜中的室温铁磁性主要由氧空位缺陷引起。

关键词:氧化锆薄膜,物相调控,室温铁磁性,氧空位缺陷

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2.
Abstract

The fluorescence photon correlations in a driven four-level atom consisting of three upper closely lying excited states and a single lower state are investigated. It is found that in the presence of triple spontaneously generated coherence (SGC) effects, which are created by three degenerate levels coupling to the common ground state via the same vacuum mode, the correlation properties of the three fluorescence fields can be switched from strong correlation to anticorrelation or vice versa by modifying the detunings. In addition, such a system is very sensitive to the relative phases of the three fields, which can provide an effective way to control the photon correlation. Physically, these interesting phenomena can be interpreted in terms of dressed state analysis.  相似文献   
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