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1.
在自偏置A类共源共栅射频功率放大电路拓扑基础上,基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺设计了两级自偏置A类射频功率放大器电路.该射频功率放大器电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置.采用Cadence公司的SpectreRF工具对电路进行仿真与优化.设计与优化结果表明,在2.4GHz频率下,输出功率为20.3dBm,功率附加效率为49%,功率增益达到32dB.  相似文献   
2.
重点分析了环路延迟对锁相环稳定性和输出信号抖动性能的影响,提出了一个简单的优化设计方法。用90nmCMOS工艺设计实现了一个基于自偏置技术的时钟锁相环,锁相环可以在很宽的输入频率范围内输出低抖动的时钟信号。  相似文献   
3.
该文参考了带隙基准电压源领域的现阶段技术,结合自偏置共源共栅电流镜以及适当的启动电路、补偿电路,设计了一种高精度、低温漂的多输出带隙基准电路。首先简述了传统带隙电压基准的基本原理,然后详细阐述了具体的各电路设计过程。该基准电压源可广泛应用于电源管理芯片等对能耗要求极高的芯片中。  相似文献   
4.
吴蓉  张娅妮  荆丽 《半导体技术》2010,35(5):503-506
利用带隙电压基准的基本原理,结合自偏置共源共栅电流镜以及适当的启动电路,设计了一种新型基准电压源。获得了一个低温度系数、高电源抑制比的电压基准。通过对输出端添加运算放大器,把带隙基准电路产生的1.2 V电压提高到3.5 V,提高了芯片性能。用Cadence软件和CSMC的0.5μm CMOS工艺进行了仿真,结果表明,当温度在-20~+120℃,温度系数为9.3×10-6/℃,直流时的电源抑制比为-82 dB。该基准电压源能够满足开关电源管理芯片的使用要求,并取得了较好的效果。  相似文献   
5.
基于自偏置磁-机-电耦合效应,提出了一种新型电流传感器,其由磁电层合材料Sr Fe12O19/Fe Cu Nb Si B/PZT、质量块、基座组成。磁电层合材料Sr Fe12O19/Fe Cu Nb Si B/PZT具有自偏置磁-机-电耦合效应。通过该磁电层合材料与载流电线周围的涡流磁场耦合,该新型电流传感器具有较大的输出电压和电流灵敏度,无需额外的直流偏置磁场等优点。实验结果表明,所提出的传感器在载流电线的电流频率为50 Hz时具有198.91 m V/A的较高灵敏度,并且电流传感器的输出电压与施加的50 Hz电流大小之间呈现出良好的线性关系。另外,提出的传感器还可以区分小至0.01 A的微小电流。这种基于自偏置磁-机-电耦合效应的电流传感原型器件在电流监测领域具有极大的应用前景。  相似文献   
6.
This paper discusses the design of high gain, general purpose op amps. The op amp is based on a novel cascaded design using comparators and with structural simplicity approaching that of digital circuits. Ideally, the design tool presented here can be used to optimize gain and CMRR independent of the other op amp performance parameters. The designed op amp has 140 dB open-loop gain and 43 MHz unity gain frequency (GBW) in Berkeley Spice3f Level-2 simulation. The circuit is implemented using a 2.0 m nwell CMOS process through MOSIS. The op amp is self-biased and requires only power supplies of ±2.5 V. It occupies an area of 113 m×474 m.  相似文献   
7.
邓盼盼 《电子设计工程》2012,20(13):135-137,141
介绍了一种基于低压、宽带、轨对轨、自偏置CMOS第二代电流传输器(CCII)的电流模式积分器电路,能广泛应用于无线通讯、射频等高频模拟电路中。通过采用0.18μm工艺参数,进行Hspice仿真,结果表明:电流传输器电压跟随的线性范围为-1.04~1.15 V,电流跟随的线性范围为-9.02~6.66 mA,iX/iZ的-3 dB带宽为1.6 GHz。输出信号的幅度以20dB/decade的斜率下降,相位在低于3 MHz的频段上保持在90°。  相似文献   
8.
在飞速发展的物联网、可穿戴设备、医疗电子等小型化领域,小尺寸、低功耗是集成电路设计的重要指标。本文提出了一种低功耗、面积小、低相位抖动的锁相环电路。利用自偏置技术补偿锁相环的环路增益等参数,同时简化压控振荡器和电荷泵的电路结构,取得了面积、功耗、噪声以及环路稳定性的良好统一。该锁相环电路作为独立IP模块实现在SMIC 40nm工艺上,供电电压为2.5V/1.1V,最高输出频率至2.5GHz以上,总功耗为4.2mW,面积仅为0.02 mm2 (180um*110um)。  相似文献   
9.
A novel bandgap reference (BGR) with low temperature and supply voltage sensitivity without any resistor, which is compatible with standard CMOS process, is presented in this article. The proposed BGR utilises a differential amplifier with an offset voltage proportional to absolute temperature to compensate the temperature drift of emitter–base voltage. Besides, a self-biased current source with feedback is used to provide the bias current of the BGR core for reducing current mirror errors dependent on supply voltage and temperature further. Verification results of the proposed BGR implemented with 0.35?µm CMOS process demonstrate that a temperature coefficient of 10.2?ppm/°C is realised with temperature ranging from ?40°C to 140°C, and a power supply rejection ratio of 58?dB is achieved with a maximum supply current of 27?µA. The active area of the presented BGR is 160?×?140?µm2.  相似文献   
10.
采用传统固相反应法结合磁场成型技术制备高取向的Ba-M型六角铁氧体。结合材料性能利用Ansoft HFSS仿真软件建立自偏置环行器三维电磁场模型,设计Ka波段自偏置环行器。实验结果表明,磁场成型铁氧体材料的取向度为0.7,剩磁比为0.88,各向异性场为18.3 kOe;高的各向异性场有望使材料在毫米波高频器件中得到应用。在56.4 GHz材料铁磁共振线宽为377 Oe,理论分析结果显示,铁磁共振线宽主要来源于气孔致宽。仿真结果表明,在32.9~35.8 GHz频率范围内,自偏置环行器的插入损耗小于0.89 dB,并表现出良好的环行性能。  相似文献   
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