MoS_2薄膜电子性质随层数变化的理论研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了体相和1-10层3R-MoS_2的几何结构和电子结构。计算获得了体相3R-MoS_2的几何结构参数,与实验值相一致,表明了计算方法和参数设置的可靠性。随后,分别计算了1-10层3R-MoS_2的几何结构和电子性质。可以看到,优化后的结构参数c随层数增加而线性增加;计算得到的带隙值随着层数的增加而呈现出减小趋势,并趋于稳定值。     

O2/Ar气体流量比对射频磁控溅射HfO2薄膜的影响

采用射频磁控溅射法,以HfO2陶瓷作为靶材,在石英衬底上制备了HfO2薄膜.通过椭圆偏振光谱仪(SE)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)研究了不同O2/Ar气体流量比对薄膜沉积速率、结构、形貌等的影响.结果表明,随着O2/Ar气体流量比从0增加到0.50,薄膜的沉积速率逐渐下降.O2/Ar气体...     

纤锌矿型氧化锌电子结构的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下局域密度近似平面波超软赝势法,计算了纤锌矿型ZnO的能带结构、态密度和复介电常数,计算结果与其他文献结果吻合较好,并从理论上分析了它们之间的关系。结果表明,纤锌矿型ZnO在(100)和(001)方向上具有光学各向异性,为纤锌矿型ZnO的应用提供了理论依据。     

一种基于改进的Block-FFT算法的联合检测矩阵求逆算法

联合检测是TD-SCDMA系统的关键技术之一。而影响该技术复杂度的主要因素是矩阵求逆算法的设计。文章结合TD-SCDMA系统的特性,并灵活应用块循环矩阵的性质,给出了一种基于改进的Block-FFT算法的联合检测矩阵求逆算法。仿真结果表明,该算法与常用的Cholesky算法、近似Cholesky算法相比,时间复杂度和空间复杂度较后两者明显降低,从而提高了该算法的工程实现性。     

锗衬底上锥形二维亚波长结构的制备

为了在Ge衬底上制备出锥形二维亚波长结构,文章研究了紫外接触式光刻工艺和反应离子刻蚀工艺对光刻及刻蚀图形的影响。结果发现:由于紫外光的衍射效应,光刻胶图形顶部出现了凹坑,使其有效抗蚀厚度减小,提高光刻胶图形的有效抗蚀厚度,能有效增加最大刻蚀深度;在设计上适当增大掩膜版图形尺寸,即占空比f要略大于理论设定值,可以弥补后续刻蚀过程占空比的缩小;在刻蚀气体SF6中掺入一定量的O2可明显提高Ge的刻蚀深度;降低横向刻蚀速率,从而有利于制备出锥形浮雕结构。     

四方晶相HfO_2在(100)和(001)方向上光学特性的理论计算

文章采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了四方晶相Hf0_2的电子结构.经带隙校正后,计算了四方晶相Hf0_2在(100)和(001)方向上的光学线性响应函数随光子能量的变化关系,包括复介电函数、复折射率、吸收光谱以及反射光谱.计算结果表明四方晶相Hf0_2在(100)和(001)方向上具有明显的光学各向异性,并且具有从紫外到红外的透明区域.文中计算结果与其它文献报道的计算结果及实验值都吻合较好,由此说明采用密度泛函理论的广义梯度近似来计算HfO_2材料的光学特性是可信的.     

溅射功率对Au与CdZnTe晶体接触结构和性能的影响

采用直流磁控溅射工艺,以Au为靶材在高阻半导体CdZnTe上制备导电薄膜.系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜结构、组织形貌及接触性能的影响.结果表明,随溅射功率的增加沉积速率增大.I-V测试表明在高阻CdZnTe上溅射Au薄膜后不经热处理已具有良好的欧姆接触性能,溅射功率为100 W时的接触性能好于功率为40 W和70 W时的接触性能.     

紫外压印长波红外亚波长结构的涂胶工艺研究

采用旋涂法进行了Si表面紫外固化胶涂布研究,并压印出了长波红外亚波长结构图形。用激光共聚焦显微镜观察了旋转涂布胶层的表面形貌,测量了表面粗糙度(Ra);用椭圆偏振仪测试了胶层厚度,扫描电子显微镜观察了压印图形的表面形貌,并用扫描探针显微镜测量了压印图形的结构高度。结果显示:当匀胶转速较小(如300r/min)时,胶层中不会产生气泡及针孔等缺陷,胶层的Ra小,但胶层均匀性差;提高转速可以改善胶层均匀性,但同时胶层中会产生大量气泡和针孔等缺陷,且它们不会随匀胶时间的延长而消除。文中提出用四转速匀胶法来同时解决胶层均匀性和膜层气泡等问题,获得的胶层无气泡,Ra为317nm时与Si衬底表面相当(324nm),均匀性(最小厚度值与最大厚度值之比)为89.17%,胶层平均厚度为626nm。结果表明:四转速涂胶法获得的胶层满足紫外压印长波红外亚波长结构的要求,压印的图形均匀、完整、保真性好。     

GexC1—x非均匀增透保护膜系的设计和制备

用射频磁控反应溅射法（RS）制备出GexC1-x薄膜,其折射率可以在1．7－4．0之间变化。设计出单层GexC1-x非均匀增透保护膜和含有GexC1-x非均匀膜的多层增透保护膜系,并在ZnS基片上制备出GexC1-x单层非均匀增透保护膜。设计和实验结果表明,NnS衬底上制备的非均匀膜实现了宽波段的增透,在5000－850cm^-1波数范围内,平均透过率从67．19％提高到78．70％,比未镀膜净增加11．51％。