排序方式: 共有12条查询结果,搜索用时 187 毫秒
1.
采用模压成型-无压烧结法制备Ga掺杂量为3 wt%的氧化锌陶瓷靶材(ZnO∶Ga_2O_3=97∶3,wt%)。分析研究了烧结温度对靶材致密度、物相组成、微观结构及烧结收缩变化率的影响。结果表明:烧结温度的升高对GZO靶材试样中的Ga元素扩散有促进作用,并且当烧结温度达到1000℃时,试样中经由固相反应生成ZnGa_2O_4尖晶石相,随着烧结温度进一步升高,生成的ZnGa_2O_4尖晶石相会与ZnO继续反应生成化合物Zn_9Ga_2O_(12)。烧结温度为1400℃时靶材致密程度最高,相对密度达90.5%TD(Theoretical Density)。根据试样的受热收缩曲线,制定出GZO靶材的烧结制度,按制度烧结得到的靶材试样相对密度提升至93.54%TD。 相似文献
2.
3.
4.
The conditions of ZnO-Al2O3 aqueous suspensions and slip casting were optimized to obtain dense green compacts and further to obtain high density ZnO-Al2O3 ceramic composites.The Zeta potential of raw powders was measured.ZnO and Al2O3 powders have lower Zeta potential than-45 mV commonly at pH 8-10.3 with polyacrylic acid(PAA)added.The influence of pH and the mass fraction of the additives on the stability and fluidity of the suspensions added with PAA and polyethylene glycol(PEG) was investigated by experiments of viscosity and sedimentation.The suspensions have the lowest viscosity and the best stability at pH 9 with 0.2%PAA(mass fraction).The maximum density of green compacts is 66.6%of theoretical density(TD)with compacting and homogeneous green particles.An ultrahigh density sintered compact(99.6%TD)could be obtained after pressureless sintering at 1 400℃for 2 h. 相似文献
5.
介绍一种瓷砖生产线自动拣砖系统以替代人工分拣作业。解决了国内现有瓷砖生产线拣砖工序由人工完成、生产效率低下、存在安全隐患等问题。系统以自主技术为核心,由输送机、光电传感器、PLC控制器、气动驱动器、电控柜协同工作,光机电气一体化,多机联动,实现瓷砖生产的全自动分拣。 相似文献
6.
7.
A_nB_(2n)O_(4n)(n=1,2,3)系列尖晶石陶瓷普遍具有高的品质因数、可调的介电常数和谐振频率温度系数,并与Ag电极具有良好的化学共容性,是极有可能应用在低温共烧陶瓷上的一类微波介质陶瓷。介绍了尖晶石陶瓷的晶体结构,总结了不同n取值陶瓷的微波介电性能及其调控,讨论了Li元素进入尖晶石晶格后离子分布的演变,并重点讨论Li基尖晶石陶瓷的烧结温度和微波介电性能,以及离子取代对其性能的调节。另外,还尝试改变一些代表性陶瓷的成分以获得更好的综合微波介电性能。具体的方法包括形成固溶体和第二相,以及非化学计量比调节。最后,对Li基尖晶石结构微波介质陶瓷工业化应用进行了展望。 相似文献
8.
采用陶瓷靶直流磁控溅射,以玻璃为基底制备2.5wt%Nb掺杂TiO2薄膜,控制薄膜厚度在300~350 nm,研究了不同基底温度下所制得薄膜的结构、形貌和光学特性.XRD分析表明,基底温度为150℃、250℃和350℃时,薄膜分别为非晶态、锐钛矿(101)和金红石相(110)结构.基底温度250℃时,锐钛矿相薄膜的晶粒尺寸最大,约为32 nm.薄膜表面形貌的SEM分析显示,薄膜粗糙度和致密度随基底温度升高得到改善.薄膜的平均可见光透过率在基底温度为250℃以内约为70%,随基底温度升高至350℃,平均透过率下降为59%,金红石相的存在不利于可见光透过.Nb掺杂TiO2薄膜的光学带宽在3.68~3.78 eV之间变化.基底温度为250℃时,锐钛矿相薄膜的禁带宽度最大,为3.78 eV. 相似文献
9.
10.