Na量变化对Na_xCoO_2(x=0.5,0.6)陶瓷电子结构的影响

采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过广义梯度近似电子结构计算对NaxCoO2(x=0.5,0.6)进行了研究。结果表明Na0.5CoO2为直接能隙的P型半导体,带宽为1.52ev;而Na0.6CoO2为间接带隙的P型半导体,带宽为1.23ev。Co3d电子晶场的分裂,使体系呈现铁磁性,得到Na0.5CoO2和Na0.6CoO2的净磁矩分别是6μB和4μB。此外,费米面附近Na0.5CoO2的态密度较Na0.6CoO2的大且体系存在较宽的赝隙,这使得Na0.5CoO2较Na0.6CoO2有更大的Seebeck系数和电导率。     

无钴黑色陶瓷颜料中铬含量测定的新方法

本文以盐酸羟胺作还原剂,研究了三价铬与二甲酚橙的显色反应,结果发现Cr3 在0～80滋g/50ml范围内,其吸光度与Cr3 含量成正比相关,用于无钴黑色陶瓷颜料中铬含量的测定,作出了回归方程,且进行了显著性检验,获得了理想的结果。     

隧道窑气体成分和烟气热损失的实验研究

利用气相色谱仪对若干条隧道窑进行了必要测定,结果表明:离窑气体中几乎不含CO和H_2,不完全燃烧成分只有少量的CH_4。在还原气氛中,CO/H_2的比值在1.66～1.89的范围内。CH_4无论在还原带、预热带前部和烟道里,其含量都很低。从预热带前部烟气的测定得知,还原气氛烟气中的CO和H_2经过氧化阶段已燃烧完全,离窑烟气中不完全燃烧热损失主要来自两方面:烟气中可燃气体CH_4和固定碳粒子。     

滑石中二氧化硅含量测定的新方法

本文研究了以CTMAB为沉淀剂重量法测定二氧化硅的新方法。该方法具有省时、节能、准确度高等特点,用于滑石中二氧人硅的测定,结果令人满意。     

立方C3N4陶瓷第一性原理的计算

本文采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过广义梯度近似电子结构计算对立方C3N4进行了研究,结果表明立方C3N4属于间接能隙的半导体,带宽为2.92eV,C和N的电荷分别为0.44和-0.33,键长为0.14771nm,此外,吸收长波限值为147nm,静态介电常数为4.6。通过计算揭示了立方C3N4不仅有较高的硬度、良好的化学稳定性,而且具有较强的红外线穿透性,对材料在耐磨方面及光学领域的应用具有一定的指导意义。     

高频燃烧红外光谱法测定陶瓷原料中的硫化物

采用高频炉燃烧红外光谱法测定陶瓷原料中微量硫化物的新方法 ;采用高频燃烧炉提高引燃温度,以WO3-Sn-Fe粉作催化引燃剂,提高硫的转化率,通氧气燃烧,生成SO2,在波长7.4m的红外光谱下测定,硫含量与吸光度符合朗伯-比尔定律。试验结果表明,该方法操作简单,方法容易掌握,分析数据可靠。     

常压烧结碳化硅陶瓷的制备及导电性能

采用常压烧结法制备碳化硅陶瓷．对其显微结构和导电性能进行了分析。研究发现，常压法可获得致密的碳化硅烧结体，具有较低的电阻率，在300～600℃温度范围内表现出明显的负电阻率温度系数。     

α-硅钼黄吸光光度法测定陶瓷粉笔中高含量硅

基于α型硅钼黄比β型硅钼黄更稳定，且灵敏度更低，有利于高含量硅的比色测定的特点，建立了α-硅钼黄吸光光度法测定陶瓷粉笔中高含量硅的分析方法。试验结果表明：α型硅钼黄比β型硅钼黄吸光光度法稳定性和准确性都有较大提高，可用于陶瓷粉笔中高含量硅的日常快速测定。     

石英粒度及其级配对陶瓷结合剂磨具性能的影响

研究了石英粒度及其级配对陶瓷结合剂磨具性能的影响。实验结果表明，在传统生产工艺和生产成本基本不变的情况下采取以下措施，磨具性能方可得到不同程度的提高：（1）磨料采用混合粒度时磨具性能比采用传统单一粒度时性能好，抗折强度由19，85提高到21．62，提高了8．92％；抗拉强度由8．61提高到9．57，提高了11．15％；（2）粘土、长石和石英一起球磨不同时间，结合剂对磨具性能影响不明显，只有采用将硬质石英分别球磨不同时间后，再与其它成分混合，磨具性能才有明显的不同程度的提高；（3）在一定烧成制度下，石英粒度控制在一定范围内有利于磨具性能的提高。最佳粒度范围是在250—320目之间；（4）石英粒度级配选择合适时磨具性能比选择单一细粒度石英时有一定程度的提高。