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1.
用固相反应法制备了Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3及其含Pb钛酸锶钡(BPST)陶瓷,运用修正的Smolenski的成分起伏理论和居里外斯定律,结合介电常数温度谱,研究了钙钛矿结构的BST及铅取代的钛酸锶铅钡(BPST)的弥散相,对其相变行为进行了分析,得出了的一些铁电模型参数.结果表明,该系列样品在弥散相变区的弥散指数α为1.29~1.88,相变区间为13.4~22.8℃;在顺电相其居里常量为1.25×10~5~1.47×10~5K数量级.当Pb含量为0.1(即Ba_(0.6)Pb_(0.1)TiO_3)时,居里峰较宽,弥散相明显,故具有较高的调谐温度稳定性.另外铅的加入提高了铁电体的相变温度,从44℃上升到175℃.  相似文献   
2.
王华  于军  王耘波  周文利  谢基凡  朱丽丽 《功能材料》2001,32(3):250-251,253
采用脉冲激光沉积技术(PLD)在(100)p-Si衬底上,低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶PZT铁电薄膜,所制备的PZT铁电薄膜致密、均匀,表现出良好的介电和铁电性能,其介电常数和介电损耗100kHz下分别为320和0.08,剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为14μC/cm^2和58kV/cm,+5V电压下漏电流密度低于10^-7A/cm^2。10^7次极化反转后剩余极化仅下降10%,具有较好的疲劳特性。  相似文献   
3.
主要研究利用FPGA实现DVB码流检测的方法,首先介绍PCR抖动的基本原理及其形成原因,接着阐述系统工作流程以及结构.该设计模块由VHDL语言完成,并通过了系统验证.  相似文献   
4.
我们在端点化合物LaFeO3中掺入Cr^3 ,制备了LaFe1-xCrxO3体系的系列样品。经XRD分析证明所制备的样品为单相体系,用MarqX程序对XRD数据进行分析得到其晶格常数。分别测定了入射光子能量在Fe2p吸收边以下和以上的O1s芯能级谱。从电子结构角度探讨了该体系晶体结构变化趋势。初步得出结论:随着Cr^3 掺杂量在LaFe1-xCrxO3中的增加,O2p向Cr 3d的电荷转移量也发生有规律的变化。  相似文献   
5.
基于DVB、IP双网络的机顶盒具备DVB节目收看、网络点播和数据交互的功能。增加了录制系统后,可以通过本地硬盘存储节目并实现实时节目的暂停和延迟播出。本文重点论述了双网络机顶盒录制系统的处理方法和解决方案,阐述了此系统的数据传输过程,通过FPGA和ARM处理器配合实现TS的录制和播放。  相似文献   
6.
铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管(FEMFET)的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用,由于铁电层反偏偶极子的开关作用,自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化,并由直观原型的方法得到了验证。  相似文献   
7.
基于Ethernet的PLC通信控制网络,分为面向工业现场设备的以PLC为核心的控制层和面向控制底层的以主控计算机为核心的监管层.系统以工业以太网为主要通信平台.当下位机收到上位机命令后,PLC自动分析指令代码、检查数据格式,再根据指令代码执行相应操作,并返回相应的应答信息.通知计算机当前动作执行状况和反馈通信中的错误.上位机采用异步WinSock,PLC与间的通信格式使用OMRON标准.  相似文献   
8.
钛酸铋基铁电薄膜具有优良的铁电、介电性能,在非挥发性存储器件方面有很好的应用前景.本文分别从制备工艺、掺杂改性、疲劳特性的研究等方面综述了最新的研究进展,并对当前研究中存在的问题进行了讨论.  相似文献   
9.
用sol-gel法成功制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜,XRD结果表明制备的BNT薄膜具有(117)和(00l)的混合取向,FE-SEM显示薄膜表面光滑致密,颗粒均匀.剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为29.5μC/cm2和100kV/cm,经过109次循环后几乎无疲劳.  相似文献   
10.
采用固相反应法制备了一系列PZT陶瓷靶材,并用XRD对其进行了相成分分析.结果表明,PbO的富足可以大大抑制PbZrO3的分解,还可以抑制焦绿石相的产生,起到稳定钙钛矿相的作用.然而,过量的PbO会使材料局部区域的相成分发生波动,故而破坏相成分的一致性.此外,对单块的PZT样品进行烧结还会出现陶瓷分层现象,将多块样品放在一起烧结或采用先进的烧结工艺有利于抑制分层.  相似文献   
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