Na量变化对Na_xCoO_2(x=0.5,0.6)陶瓷电子结构的影响

采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过广义梯度近似电子结构计算对NaxCoO2(x=0.5,0.6)进行了研究。结果表明Na0.5CoO2为直接能隙的P型半导体,带宽为1.52ev;而Na0.6CoO2为间接带隙的P型半导体,带宽为1.23ev。Co3d电子晶场的分裂,使体系呈现铁磁性,得到Na0.5CoO2和Na0.6CoO2的净磁矩分别是6μB和4μB。此外,费米面附近Na0.5CoO2的态密度较Na0.6CoO2的大且体系存在较宽的赝隙,这使得Na0.5CoO2较Na0.6CoO2有更大的Seebeck系数和电导率。     

磨PCD刀具陶瓷结合剂金刚石砂轮的研究

本文研究制备Na2O-B203-Si02-Al203多元系基玻璃料,并配制成低温陶瓷结合剂,研究发现:耐火度为685℃,流动性为110%～130%,线膨胀系数为5.35×10-6℃-1的低温陶瓷结合剂具有优异的性能.制备的陶瓷结合剂金刚石砂轮在725℃烧成后,磨具的抗弯强度和洛氏硬度达到最佳值,分别58.61 MPa和77.9.用其磨削PCD刀片时锋利性好,磨削中间不需修整,砂轮耐用度高.运用扫描电子显微镜(SEM)分析了陶瓷结合剂金刚石磨具的断面形貌、磨削后磨削面形貌,表明结合剂对磨粒黏结牢固,断面组织均匀.     

烧结助剂对反应烧结氮化硅陶瓷的影响

以Si粉和C粉为主要原料 ,在氮气流量为1.2L·min- 1,氮化温度为 1380℃ ,保温时间为 2 0h的条件下 ,研究了分别以 10wt%的MgO、Al、Al2 O3和Al2 O3+Y2 O3粉为烧结助剂对反应烧结氮化硅陶瓷的影响。结果表明 :以MgO粉作烧结助剂时 ,试样的主要成分是MgSiO3,另外还有Si2 N2 O ,但没有Si3N4 生成 ;以Al粉作烧结助剂时 ,试样的主要成分是SiO2 ,仅有少量Si3N4 存在 ;以Al2 O3作烧结助剂时 ,试样的主要成分是β Si3N4 和α Si3N4 ;以 2wt%Al2 O3+8wt%Y2 O3作烧结助剂时 ,试样的主要成分为 β Si3N4 ,同时含有少量α Si3N4 。     

钛酸钡陶瓷铁电临界尺寸的研究进展

钛酸钡是应用和研究最多的铁电体之一。本文从实验和理论上对钛酸钡铁电临界尺寸的研究进展进行了综述。     

Bi-Te基热电材料的研究进展

在阐述Bi2Te3基本特性的基础上，分别介绍了掺杂Se、TeI4、RE、SiC对BiTe材料热电性能的影响；介绍了BiTe基合金的制备技术。通过结构的优化、组分的调整及制备技术的改进，可以进一步提高材料的热电性能。     

Study on Influence of Processes on the Dehydrogenation Performance of NaAlH4

分析了制备工艺过程、球磨设备、试样放置时间以及球磨时间对NaAlH4放氢性能的影响。其中除了试样3是采用高能球磨机外,其它所有试样均采用行星式球磨机。结果表明,这些因素对NaAlH4放氢性能的影响非常明显。试样在球磨过程中经过上下翻转后,其放氢量明显比不翻转高出了50%(质量分数)。不同球磨设备研究结果显示,试样3经过高能振动球磨机球磨后,其放氢量比行星式球磨机制备的试样的放氢量明显提高了。试样放置时间与试样球磨时间的研究结果显示,制备好的球磨试样经过24 h放置后,其放氢量明显提高。此外,试样经过不同时间球磨后,其放氢量也有明显的不同。经研究发现,球磨80 min试样的放氢量比球磨100 min和球磨40和60 min试样的放氢量要高,但和其它的影响因素相比,球磨时间对NaAlH4放氢性能的影响相对较小     

Study on Hydrogen Release Capacity of LiAlH4 Doped with CeO2

通过PCT设备和SEM分析方法主要分析了CeO2对LiAlH4放氢性能的影响。结果显示,掺杂CeO2明显缩短了LiAlH4的氢分解时间。在所有的试样中,掺杂2 mol%CeO2的试样开始放氢时间最早。有关放氢量的研究发现,掺杂1 mol%CeO2的试样具有最大的放氢量。并且随着掺杂量从1 mol%到5 mol%增加,试样的总放氢量表现出一个下降趋势。进一步有关微观结构的研究发现,掺杂CeO2没有引起LiAlH4微观结构的变化,所有的试样都显示出一种絮状结构。     

Influences of Y2O3 Doping on Hydrogen Release Property of LiAlH4

主要通过PCT设备研究了掺杂Y2O3的LiAlH4试样的放氢性能。结果显示,随着Y2O3掺杂量的增加,LiAlH4的放氢量增加,然而,当掺杂量达到某一值时,LiAlH4的放氢量随着掺杂量的增加而降低。和LiAlH4原样相比,掺杂Y2O3的试样初始放氢时间提前。此外,关于Y2O3对LiAlH4放氢速率影响的研究还发现,所有掺杂试样的放氢速率都比未掺杂原样的放氢速率快。并且所有掺杂试样的放氢速率的变化趋势都是相似的,即:随着时间的延长,放氢速率快速增大之后逐步降低。     

立方C3N4陶瓷第一性原理的计算

本文采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过广义梯度近似电子结构计算对立方C3N4进行了研究,结果表明立方C3N4属于间接能隙的半导体,带宽为2.92eV,C和N的电荷分别为0.44和-0.33,键长为0.14771nm,此外,吸收长波限值为147nm,静态介电常数为4.6。通过计算揭示了立方C3N4不仅有较高的硬度、良好的化学稳定性,而且具有较强的红外线穿透性,对材料在耐磨方面及光学领域的应用具有一定的指导意义。     

Effect of F-1 on the Hydrogen Release Properties of NaAlH4 and LiAlH4

使用PCT设备分析了NaF和LiF对NaAlH4和LiAlH4放氢性能的影响。结果显示,除了掺杂0.5 mol%,4 mol%NaF的试样外,掺杂NaF明显提高了NaAlH4的放氢量。此外,掺杂NaF还增加了NaAlH4第1阶段的放氢速率。在所有的掺杂NaF的试样中,掺杂1 mol%NaF的试样的放氢量是最大的,并且放氢速率也是最快的。相比之下,掺杂LiF使得LiAlH4的放氢量明显降低了。