应用于5G 通信的GaAs 带通滤波器设计

随着5G 通信的飞速发展,系统对高密度、低成本、小体积提出了更高的要求。为满足需求,设计了一种应用于5G 通信的高选择性小型化带通滤波器。首先通过Designer 电路仿真软件,建立电路拓扑结构进行元件值的拟合,提取合适的元件值;基于GaAs 工艺,在三维电磁仿真软件 (HFSS) 中进行整体建模设计,并加工实现了一款应用于5G 通信的GaAs 带通滤波器。测试结果表明:该带通滤波器中心频率为3750 MHz,带宽900 MHz,插入损耗为3.0 dB,带内驻波比优于1.5, 在DC~2400 MHz, 5300 MHz~10 GHz 阻带范围内的带外抑制均优于30 dB,测试结果与仿真设计十分吻合。该滤波器尺寸仅为1.2 mm×0.9 mm×0.1 mm,相比传统工艺的滤波器,体积大大缩小, 且可以与 5G 系统芯片一体化设计。     

一种GaAs IPD 的宽阻带低通滤波器设计

针对传统低通滤波器尺寸小、阻带范围小的问题,在砷化镓(GaAs)衬底上采用集成无源器件(IPD)工艺设计了一款宽阻带低通滤波器。在切比雪夫型低通滤波器电路上引入两传输零点以提高滚降度,在HFSS 中对该电路结构进行建模与仿真,并进行实物加工与测试。测试结果表明:所设计的滤波器截止频率为11.1 GHz,在15~30 GHz范围内的阻带衰减量大于30dB,整体尺寸仅为800μm×650μm×111. 96μm。