镀银铝粉填充型电磁屏蔽硅橡胶的制备与性能

研究了镀银铝粉填充量和环境试验对电磁屏蔽硅橡胶电学和力学性能的影响。结果发现,镀银铝粉填充量为210份(质量)是电磁屏蔽硅橡胶的逾渗阈值;最佳的镀银铝粉填充量为230份(质量),此时电磁屏蔽硅橡胶的体积电阻率为6.75×10-3Ω.cm,拉伸强度为2.3MPa,扯断伸长率为571%,邵尔A硬度为65;镀银铝粉填充型电磁屏蔽硅橡胶具有较好的耐高低温和热空气老化性能,而耐盐雾性能较差。     

电磁屏蔽塑料的研究进展

介绍了电磁屏蔽的原理,综述了电磁屏蔽塑料的种类及研究应用现状,重点介绍了填充型复合塑料的性能及加工工艺,并对电磁屏蔽塑料的研究方向和发展趋势进行了展望.     

火电厂除渣水系统不停车清洗时设备运行参数变化

本文介绍了火力发电厂除渣水系统不停车化学清洗中,选用的清洗方法、清洗药剂及应用特点。阐述了在除渣水系统清洗过程中,部分设备运行参数变化原因及分析,逐步提高改进化学清洗工艺主要控制措施,达到了降低能耗及提高企业经济效益的目的。     

电磁屏蔽剂银/镍/玻璃微珠粉体的制备与性能

采用化学镀法在玻璃微珠表面先沉积镍镀层、再化学镀银,制备了Ag/Ni/玻璃微珠复合粉体。讨论了活化剂氯化钯和主盐硫酸镍的浓度、镀液pH对玻璃微珠表面化学镀镍层表面形貌的影响,得出了较佳的镀镍工艺条件:PdCl20.3g/L,NiSO4·6H2O30g/L,pH11。在此基础上化学镀银,采用扫描电镜和能谱分析对Ag/Ni/玻璃微珠结构进行了表征,测试了粉体的体积电阻率、介电常数、磁导率和磁性能。结果表明,镀镍玻璃微珠表面成功包覆一层银,Ag/Ni/玻璃微珠复合粉体的体积电阻率由Ni/玻璃微珠的2.28×104·cm降低至7.64×105·cm,导电性、介电损耗和磁损耗均提高;Ag/Ni/玻璃微珠粉体的饱和磁化强度为27.2emu/g,可以作为一种宽频电磁屏蔽材料的填料。     

电磁屏蔽橡胶的研究进展

介绍电磁屏蔽原理以及电磁屏蔽橡胶的研究进展。电磁屏蔽橡胶不仅具有橡胶的高弹性、柔韧性和密封性,还具有优良的导电性能或导磁性能,其作为电磁屏蔽衬垫已经在电子、军事等行业得到应用。电磁屏蔽橡胶按照填料类型可分为金属填充橡胶、碳填充橡胶、金属/非金属复合物填充橡胶和导电聚合物颗粒填充橡胶四大类,主要通过开炼机混炼、捏合机混合等工艺使导电填料均匀分散在橡胶基体中,然后通过挤出或模压工艺加工成型。电磁屏蔽橡胶的发展方向主要是橡胶用导电填料的复合化、橡胶用导电填料的纳米化,以及通过加工工艺的改善及制品结构的复合化设计提高电磁屏蔽橡胶的综合性能。     

直流反应磁控溅射法制备CdIn2O4薄膜的光电性能研究

利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响.结果表明电阻率随着氧浓度的增加和溅射时间的减小而增加,随着基片温度的升高先减小后增加;透光率随着氧浓度、基片温度的增加和溅射时间的减小而增加.退火处理后,薄膜的电阻率降低,光吸收边发生"蓝移".点缺陷对薄膜的光电性能产生重要影响,光吸收边的移动是"Burstein-Moss"效应和多体效应共同作用的结果.综合实验结果和理论研究,推荐了直流反应磁控溅射法制备CIO薄膜的最佳条件.此条件下制备薄膜的电阻率为2.95×10-4 Ω·cm,波长为628 nm时薄膜的透光率高达91.7%.     

偶联剂改性镀银铝粉填充型电磁屏蔽硅橡胶的性能研究

研究偶联剂种类和用量以及盐雾试验对镀银铝粉填充型电磁屏蔽硅橡胶性能的影响。结果表明:加入偶联剂KH-550和NDZ-105,电磁屏蔽硅橡胶的体积电阻率(ρv)增大,物理性能变差,耐盐雾性能无明显改善。加入偶联剂VTPS的硅橡胶的屏蔽效能和耐盐雾性能较好,当偶联剂用量为3份时,ρv达到5.7×10-3Ω.cm,在30 MHz～10GHz频率范围内,屏蔽值(SE)大于78 dB,在1 GHz处有最大SE,为129.4 dB;盐雾试验后的ρv为6.7×10-3Ω.cm,在30 MHz～10 GHz频率范围内,SE大于76 dB,在1 GHz处有最大SE,为128.6 dB。     

空冷器系统不停车清洗技术的应用

本文介绍了在不停车化学清洗空冷器系统的过程中,选用的清洗方法、清洗药剂及应用特点,阐述了合理的选用清洗方法及清洗药剂,以提高化学清洗工艺及经济效益的主要控制措施,达到改进清洗工艺的目的。     

Ag纳米线的合成及应用研究进展

Ag纳米线因其在催化、光电子、微电子器件等方面的潜在应用而受到广泛关注.综述了硬模板法、软模板法、自组装法、声电化学法和水热合成法合成Ag纳米线的原理及特点,并介绍了Ag纳米线的应用和发展趋势.