基于可靠性和经济性的低压闪蒸罐结构优化设计

压力容器的设计应同时考虑可靠性和经济性。针对压力容器结构尺寸的设计,将强度、刚度、封头稳定性和液压试验应力强度作为约束条件,建立了以容器总质量为目标函数的优化模型。根据设计标准公称直径系列,优化模型变量迭代步长,采用C++Builder语言开发了自动处理程序,优化后的低压闪蒸罐筒体长度比原设计减少了1 100 mm,总质量减少了412.83 kg。     

Vray渲染技术在室内设计专业中的教学研究

Vray课程是环境艺术设计专业、园林景观专业、建筑规划专业、室内设计等专业所运用的一门计算机辅助课程。可以说是连接基础理论、专业设计的桥梁。同时,也是反应效果表现和设计水平的专业技术课程。当前,Vray是室内设计当中最常使用的一种效果图渲染工具,而且功能是非常强大的。本文以Vray在室内设计中教学思路作为导入点,并且以Vray渲染课程项目案例教学法为例,探讨Vray渲染技术在室内设计教学中的运用。     

添加剂对原位合成SiC-BN复合陶瓷组织与性能的影响

研究了Al2O3和Y2O3作为添加剂对原位合成SiC-BN复合陶瓷组织与力学性能的影响.在含有添加剂(10ω/%)的情况下,以Si3N4,B4C和碳粉为原料的原位反应于1400℃开始进行,并在1700℃完成.在不含添加剂的情况下,反应在1900℃仍然没有完全完成.Al2O3-Y2O3添加剂可以在1760℃形成钇铝石榴石,同时二者可以同原始粉末中Si3N4或SiC颗粒表面的SiO2作用在1400℃形成Y-Al-Si-O液相,这可以加速原位反应的进行,并促进复合陶瓷的致密化.在SiC和BN含量相同情况下,含有添加剂的复合陶瓷密度和力学性能明显要高于不含添加剂的复合陶瓷.     

SiC-BN及Si-B-C-N复合陶瓷的研究进展

从制备工艺、组织结构及其性能的角度综述了晶态SiC-BN及非晶Si—B-CN陶瓷材料的研究进展情况，并对碳化硅一氮化硼及非晶SiB-C—N陶瓷材料的研究方向提出一些见解。     

凝胶注模莫来石/碳化硅复合陶瓷的显微结构与力学性能

以SiC粉和莫来石粉为原料,采用凝胶注模成型工艺制备莫来石/碳化硅复合陶瓷,研究了莫来石含量对复合陶瓷显微结构和力学性能的影响,结果表明:随莫来石含量增加,复合陶瓷气孔率先降低后升高,而力学性能呈相反变化趋势。当莫来石含量为20%(体积分数)时,材料气孔率达到最小值9.4%,线收缩率以及弹性模量达到最大值26.5%和148.6 GPa;在莫来石含量为30%时抗弯强度和断裂韧性达到最大值397.7 MPa和4.17MPa.m1/2。适量莫来石的加入明显改善了材料的力学性能,过多则由于莫来石挥发而在材料中产生缺陷,材料性能下降。     

h-BN各向异性热膨胀和热输运特性的第一性原理研究

热填料的热膨胀系数和热导率是设计热管理和热防护复合材料的关键参考因素.六方氮化硼(h-BN)由于其独特的优点是最常用的热填料之一.但由于不同测试方法和测试样品的不一致性,其热膨胀系数和热导率的精确数值尚不清楚.本文分别用基于密度泛函理论的准谐近似方法和声子玻耳兹曼输运方程理论精确计算了h-BN沿层间和层内方向的热膨胀系数和热导率,通过与已有实验结果的对比验证了计算结果的准确性,并通过对声子行为的分析研究了其基本物理原理.结果表明,h-BN的热膨胀系数沿层内方向为较小的负值,沿层间方向为较大的正值,在300 K时分别为-2.4×10^-6和36.4×10^-6K^-1.研究表明,h-BN各向异性的热膨胀系数主要由其各向异性的等温体积模量和低频面外纵向声学支和光学支的振动特性所引起.为了确保h-BN热导率的快速准确预测,本文首次进行了原子间交互作用截断半径和q网格尺寸的收敛性测试.计算结果表明,h-BN平面内的热导率远大于沿平面间方向的热导率,在300 K时分别为286.6和2.7 W m^-1K^-1.声子行为分析表明,由面外纵向声学支、面内纵向声学支和横向声学支的振动特性引起的各向异性声子群速度是造成h-BN各向异性热导率的主要原因.本文的计算结果对h-BN复合材料的设计具有重要的参考价值.     

新型SiBCN先驱体的合成及其陶瓷性能的研究进展

综述了近年来采用有机先驱体制备SiBCN复合陶瓷的研究现况.详细介绍了SiBCN先驱体合成的两种主要方法,并对利用这两种方法获得的先驱体和裂解后的陶瓷的产率等方面进行了比较.阐述了SiBCN复合陶瓷与纯SiC和Si3N4陶瓷在力学,抗蠕变,抗氧化等性能的差别.     

氮化硅陶瓷材料高温抗热震性能及其衰减规律研究

氮化硅陶瓷作为先进陶瓷材料具有耐高温、抗腐蚀等优异性能,因此被广泛应用于航空航天领域的强热冲击环境。热压烧结制备的Si3N4复合材料的抗弯强度较高,但抗热震性能随温度升高显著降低,热压烧结工艺在提升抗热震性能方面尚有不足。本文提出了使用二次热处理烧结方式来提高Si3N4陶瓷的抗热震性能,通过热压烧结-气压烧结二次热处理的烧结方式获得更致密、抗热震性能更好的Si3N4陶瓷材料。测试结果显示,常规热压方式制备的氮化硅陶瓷,随着热震温度的升高、次数的增加,材料内部产生微裂纹的概率增大,热震后试样抗弯强度逐渐降低,1200℃时平均强度下降率达23.48%。而经过二次热处理后氮化硅陶瓷抗弯强度略有降低,但抗热震性能得到明显改善,随着热处理时间增加,二次热处理后氮化硅陶瓷显微结构更加致密,抗热震性能将明显提高,热震后强度下降率明显减小,1200℃热震10次后强度下降率为12.25%。本文提出了提高Si3N4陶瓷的抗热震性的方法,探讨了氮化硅陶瓷在1200℃高温下的抗热震性能及其衰减规律,为改善氮化硅陶瓷器件高温性能提供了参考。