基于面元素重排的三维网格模型数据隐藏算法

目的 为了解决目前三维数据隐藏算法不能兼顾无失真和盲提取的问题，提出一种新的完全无失真的三维网格模型数据隐藏盲算法。方法 首先使用混沌逻辑映射选择嵌入与提取模式，保证数据的安全性。然后利用面元素重排，完全不会造成三维模型失真的性质，通过不同嵌入模式规则对三角面元素进行重排，以嵌入秘密数据。接收端则可根据相应的提取模式规则提取秘密数据。结果 仿真结果与分析表明，该算法不会对三维模型造成任何失真，嵌入容量为每顶点2比特，且能抵抗仿射变换攻击、噪声攻击和平滑攻击等。结论 这种三维数据隐藏盲算法无失真，容量大、安全性高、鲁棒性强，适用于三维载体不容修改的情形，如军事、医学、秘密通信和版权保护等。     

(COCl)2/DMF原位制备Vilsmeier-Haack试剂催化酮肟的Beckmann重排

发展了一种基于(COCl)_2/DMF原位反应制备的Vilsmeier-Haack试剂,催化酮肟Beckmann重排反应,通过探索优化反应条件发现以二氯甲烷为溶剂在室温条件下能以中等到优秀的产率合成各类酰胺及内酰胺。该反应体系可进一步用于克级规模酰胺或内酰胺的制备且无需柱层析分离纯化。另外,该方法中反应试剂与溶剂无需繁琐严格的无水处理,商品化购买的试剂与溶剂可直接使用。     

[Emim][Tf2N]离子液体支撑膜吸收CO2性能研究

为了研究离子液体支撑膜吸收CO_2的性能,针对CO_2的传统捕获方法造成环境污染、腐蚀设备等缺点,文章选用新型绿色工质离子液体[Emim][Tf_2N]作为CO_2的吸收剂,并负载于PVDF、PES 2种支撑膜上,在压力为0.2 MPa、流量为50 mL/min,温度为298—318 K范围内变化的条件下进行吸收CO_2的实验,并利用渗透系数、溶解度和扩散系数来评定支撑膜的吸收性能,其中溶解度数据采用van′t Hoff方程进行关联,扩散系数数据和渗透系数数据采用Arrhenius方程进行关联。模拟和实验结果表明:CO_2在2种离子液体支撑膜中的渗透系数和扩散系数随着温度的升高而增大,而溶解度随着温度的升高而降低,且PVDF离子液体支撑膜对CO_2的吸收性能优于PES离子液体支撑膜。因此,PVDF支撑膜较PES支撑膜更加适合用于工业应用中。     

316L不锈钢金属间相固溶过程中的微结构表征

利用扫描电镜、X射线衍射仪和电子背散射衍射仪等设备研究了热轧态316L不锈钢金属间相(σ相和χ相)在固溶过程中的微结构演变规律,同时,利用高温激光共聚焦显微镜对金属间相回溶的全过程进行了原位在线观察,确定了最佳固溶温度。结果表明,固溶过程中发生了γ+σ+χ→γ+σ+χ+α/FeCr→γ+α/FeCr的相变过程。金属间相的回溶从1033.1℃开始到1149.5℃结束,回溶时间为21s,消除金属间相的最佳固溶温度约为1150℃。固溶处理前,基体中分布的带状组织形态不规则,χ相和σ相的面积比分别为0.46%和0.94%;固溶处理后,带状组织形态一致,主要分布铁素体和FeCr相,而χ相和σ相不可见。     

950℃时效条件下硼对S31254不锈钢析出相的影响

采用管式加热炉对S31254不锈钢在950℃下时效不同时间的第二相析出行为进行了研究,重点研究了硼的添加量对析出速度的影响规律。研究表明,在950℃保温约5 min后不添加硼的S31254不锈钢就可以看到明显的第二相析出;当添加0. 002%的硼后,第二相的析出时间延长到10 min,且时效时间在30 min后才会大量析出第二相;当继续添加硼到0. 004%后,第二相的时间析出延长到了30 min,且析出的第二相尺寸要小于不添加硼的试样。     

加氢裂化尾油生产高品质润滑油基础油的研究

系统考察了泉州石化加氢裂化尾油的物化性质;设计开发的TDW-4重排降凝催化剂性能与国内同类型催化剂性能相当,可将尾油转化为高品质润滑油基础油。     

8-碘咪唑并[1,2-a]吡啶-6-胺的合成工艺研究

8-碘咪唑并[1, 2-a]吡啶-6-胺是一种重要医药化工中间体。本文以6-硝基咪唑并[1,2-a]吡啶为原料,经取代和还原两步反应得到目标化合物。该合成方法操作简单、后处理简便且产物纯度和收率较高,产品收率为74.9,适合工业化生产。     

C8 BTBT薄膜结晶形貌及OTFT器件性能研究

以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况,在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣;此外,通过XRD分析研究了退火处理对C8‐BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高,并且呈现出SK(Stranski‐Krastanov)模式的结晶生长特征,相应器件中陷阱密度最低,迁移率高达5.44 cm^2·V^-1·s^-1,开关比超过106;且退火处理会严重破坏C8‐BTBT薄膜的结晶。因此,控制半导体层的生长行为,提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。