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1.
为寻求准确评估薄膜型金属网栅电磁屏蔽效能的方法,探索了薄膜型金属网栅在某频段可达到的电磁屏蔽效能。首先,分析了金属网栅膜光电特性常用的计算公式,指出电特性公式中材料无限导电的假定条件与客观事实不符,故其无法准确预估薄膜型金属网栅的电磁屏蔽效能。然后,根据屏蔽效能受感应电压和电阻比控制的理论,借鉴连续导电膜用方块电阻计算屏蔽效能的方法,提出了预估薄膜型金属网栅屏蔽效能的方法并给出了具体步骤。最后,采用激光直写工艺流程制备了薄膜型金属网栅,验证了理论计算结果与实验检测结果的一致性。检测结果显示:薄膜型金属网栅试片在30~1 500MHz的屏蔽效能最高为30dB;用检测方块电阻并代入连续膜经验公式计算得到的屏蔽效能为31.2dB,用金属网栅膜常用公式计算得到的屏蔽效能为75dB。数据显示用金属网栅膜常用电特性公式无法准确评估薄膜型金属网栅的电磁屏蔽效能,而本文所提方法便捷、准确、可行。 相似文献
2.
针对银盐法金属网格透明导电膜生产过程中出现的碎摩擦灰雾道问题,通过对曝光设备及工艺的深入研究,确定银盐法透明导电膜产品中出现的碎摩擦灰雾道问题的根本原因是曝光压片时,西侧密封橡胶造成的轻微位移所致。并通过采取曝光压片时零张力设置,保持胶片接触表面光滑度,能基本消除曝光出现碎摩擦灰雾道,从而保证了产品表观质量的提高。 相似文献
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利用磁控溅射法在室温下制备了掺钛的氧化铟薄膜,并将薄膜在氮气及真空两种氛围下进行退火。研究了退火氛围及温度对掺钛氧化铟薄膜的光电性能的影响。实验发现,氮气氛围下较低的退火温度能够部分提高薄膜的电学性能,随退火温度升高,薄膜的电学性能反而下降。与氮气氛围相比,真空下退火更有助于提高掺钛氧化铟薄膜的电子迁移率,并且随退火温度升高,电子迁移率逐渐升高并达到一个稳定值。真空退火处理后,掺钛氧化铟在可见光区域的透光率接近80%,在大于1100nm的长波谱区的透光率也有所增高,并且方块电阻降为10/□,适合作为太阳能电池的窗口材料。 相似文献
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