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1.
为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体管的损伤;以漂移扩散模型计算了晶体管典型性能的响应,验证了晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应。结果表明晶体管对电离辐射敏感的区域位于基区和发射结区附近的Si/SiO_(2)界面,从Gummel曲线提取的归一化增益发现,电离辐射损伤可能使晶体管增益降低50%以上,这对晶体管性能影响很大。该方法可以在降低成本、缩短周期的前提下,为晶体管抗电离辐射可靠性评估提供合理的技术支撑和可借鉴的理论数据。 相似文献
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4.
针对高帧频、全局曝光和光谱平坦等成像应用需求,设计了一款高光谱成像用CMOS图像传感器。其光敏元采用PN型光电二极管,读出电路采用5T像素结构。采用列读出电路以及高速多通道模拟信号并行读出的设计方案来获得低像素固定图像噪声(FPN)和非均匀性抑制。芯片采用ASMC 0.35μm三层金属两层多晶硅标准CMOS工艺流片,为了抑制光电二极管的光谱干涉效应,后续进行了光谱平坦化VAE特殊工艺,并对器件的光电性能进行了测试评估。电路测试结果符合理论设计预期,成像效果良好,像素具备积分可调和全局快门功能,最终实现的像素规模为512×256,像元尺寸为30μm×30μm,最大满阱电子为400 ke^(-),FPN小于0.2%,动态范围为72 dB,帧频为450 f/s,相邻10 nm波段范围内量子效率相差小于10%,可满足高光谱成像系统对CMOS成像器件的要求。 相似文献
6.
针对渤海某稠油油田开展了PDDA类阳离子型清水剂及多乙烯多胺类非离子型清水剂的评价实验,结果表明:由于清水机理的不同,PDDA类清水剂的作用时间明显短于多乙烯多胺类清水剂;PDDA类清水剂产生的污油粘度明显大于多乙烯多胺类清水剂;PDDA类清水剂处理后的污水经剪切后基本无乳化倾向,多乙烯多胺类清水剂处理后的污水经高速剪切后处理效果变差;PDDA类清水剂对原油脱水效果的影响较大,多乙烯多胺类清水剂对原油脱水效果基本无影响。 相似文献
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通过对苯乙烯装置场区的岩土结构进行承载力试验,并对岩土及地下水进行化学离子分析及水压试验,定量评价岩土及地下水的特征.结果表明:泥岩的重力密度、黏聚力最大,残积土的黏聚力和承载力最大,粉质黏土的压缩模量最大;SO42-和HCO4-二者质量分数相对较高,特别是粉砂中,可见具有一定的腐蚀性,其中粉质黏土的pH值为6.57,显酸性,而粉土和粉砂的pH值大于7,略显碱性.开展岩土载荷试验,得出随着荷载值的增加、施加荷载时间的增大,岩土的累积变形尺寸逐渐增大,值域在0~35之间.显示SO42-和HCO4-是地下水中的主要成分,地层水的pH值小于7,地层水主要以弱酸性为主,其对构建物及地基有腐蚀作用,因此须要对地基岩土进行防腐处理,保持地基的抗腐蚀性.地下水随压力的升高,流量相应增大,结合地下实际流量值采取相应排水措施和装置,防止地下岩土层遭到破坏,从而保证苯乙烯装置的顺利安装和安全生产. 相似文献
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