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1.
《锻压技术》2021,46(7):27-33
为了解决低压涡轮机匣异形环锻件轧制成形精度低、余量大、材料利用率低、周期长等问题,采用数值模拟与工艺试验试制相结合的方法,研究了GH4169合金低压涡轮机匣异形环锻件胀形工艺。模拟研究阐明了胀形变形量对低压涡轮机匣轧制成形锻件的应力、应变、温度分布及均匀性的影响规律,综合考虑建议胀形变形量取1.5%较为合理;胀形过程的工艺试制研究表明,通过胀形工艺对轧制成形的GH4169合金低压涡轮机匣异形环锻件进行整形,可显著降低锻件的椭圆度、提高锻件的尺寸精度,减小锻件余量并提高余量均匀性,提高材料利用率,同时可有效提高锻件的力学性能及其均匀性。锻件余量均匀性的提高也可有效减小低压涡轮机匣零件的机加工变形。 相似文献
2.
废水生物脱氮是目前水处理中重要的去除含氮废水的方法。随着国内外学者的深入研究,一些新型的生物脱氮工艺被开发和应用到污水处理中,从而经济高效地去除废水中的含氮污染物,达到国家的排放标准。同步硝化反硝化(SND)是具有发展潜力的新型脱氮工艺,但在运行过程中不可避免地会产生N2O。N2O是最重要的三种温室气体之一,其温室效应约为CO2的300倍。因此,在注重SND的脱氮效率的同时,也应该关注其产生的气态物对大气环境的影响。文章阐述了SND脱氮过程中N2O产生的机理及相关酶,并分析了SND工艺过程中主要影响N2O释放量的工艺因素。 相似文献
3.
为了研究循环流化床(CFB)锅炉燃用无烟煤时床温及选择性非催化还原(SNCR)脱硝对于NO和N2O排放的影响,在1 MW CFB试验装置上开展了试验研究。结果表明:床温由880 ℃提高到970 ℃,NO排放质量浓度由119.5 mg/m3上升到226.0 mg/m3,N2O排放质量浓度由216.0 mg/m3降低到102.2 mg/m3;在氨氮摩尔比(NSR)为0~3.7之间,随着NSR的提高,脱硝效率从0上升到50.72%;进一步提高NSR到5.2,脱硝效率升至53.61%,增加较为缓慢;随着NSR从0提高到1.7,N2O排放质量浓度由84.3 mg/m3上升至118.3 mg/m3,增长较为缓慢;进一步提高NSR至2.0,N2O排放质量浓度上升至187.7 mg/m3,增长速度提高;继续提高NSR至5.2,N2O排放质量浓度上升至381.4 mg/m3;CFB锅炉采用以尿素为还原剂的SNCR脱硝工艺时,单纯通过加大NSR来提高脱硝效率不仅效果有限,过量喷入的还原剂会造成N2O排放量的显著提高。 相似文献
4.
使用分析纯物质模拟微晶玻璃熔体,分别采用柱体旋转法和拉曼光谱技术研究了La2O3含量对SiO2-CaO-Al2O3-MgO熔体黏度和结构的影响规律。结果表明:熔体黏度和黏流活化能随着La2O3含量的增加而降低;拉曼光谱表明La2O3能破坏硅酸盐结构(Qn),随着La2O3含量的增加,Q1、Q2的百分含量增加,Q3的百分含量减小,Q0的百分含量基本不变,表明熔体中非桥氧数量增加,熔体聚合度降低。La2O3在熔体中起网络修饰体的作用。 相似文献
5.
齿轮作为各类机械传动系统的核心,在工作过程中的稳定性和可靠性直接决定着机械设备运行的可靠性和安全性。因此,针对机械设备对传动精度和寿命要求的不断提升,提出了一种新的磨齿修形方法。运用该方法,极大地提升了齿轮的齿形精度,能够显著降低在啮合过程中的齿顶边缘接触现象,降低振动冲击,提升齿轮的使用寿命。 相似文献
6.
详述了巷道快速掘进的影响因素,利用FLAC3D数值模拟软件分析了“S”形切割工艺和螺旋线切割工艺下巷道围岩的稳定性。研究结果表明:“S”形切割轨迹下巷道顶板以及两帮受力稳定,便于巷道的维护,可实现快速掘进的目的。 相似文献
7.
活性炭烟气脱硫技术在烧结厂得到了广泛应用。在活性炭的高温再生过程中,会形成单质S。单质S被洗涤时,会形成S胶体进入制酸废水。S胶体因具有强粘结性,若不去除,易导致设备堵塞。因此,需系统分析单质S的形态特征,并开发针对性的去除技术。本文采用Raman、FTIR等方法分析单质S的形态,利用浊度法分析S在废水中的变化特征。基于电荷中和的原理,利用S胶体与废旧活性炭粉的复合实现快速分离,S胶体去除率可达99%以上。新方法的应用避免了S胶体进入废水处理系统和后续制酸系统,且分离后的活性炭粉复合物可返烧结做燃料使用。 相似文献
8.
The energy band-gap and related factors of tantalum pentoxide with hexagonal phase were investigated using hybrid functional B3 LYP and s X-LDA methods. The results showed that both s X-LDA and B3 LYP techniques reveal the indirect semiconductor nature of δ-Ta2O5, whereas the obtained value of energy band-gap is much higher than previous theoretical reports but closer to the experimental data. The optical bandgap of δ-Ta2O5 is expected to originate from the O 2p→Ta 5d transition which may benefit from the d-s-p hybridization. 相似文献
10.