合成条件对气相法白炭黑性能的影响

以甲基三氯硅烷、氢气、空气为原料,制备气相法白炭黑。考察了原料配比、骤冷介质温度、合成炉温度、原料气速对白炭黑的比表面积、平均粒径的影响。结果表明：甲基三氯硅烷、氢气的量之比与白炭黑的比表面积成反比;合成炉温、骤冷介质温度与白炭黑的比表面积、平均粒径成反比;原料气速与白炭黑的比表面积成正比,与平均粒径成反比。较佳工艺为：甲基三氯硅烷、氢气与空气的量之比为0.33∶0.47∶1,冷却介质温度80～90℃,炉温800～850℃,气体流速5～6 m/s。     

向三氯氢硅合成工序输送氯化氢工艺的改进

介绍昊华宇航化工有限责任公司向三氯氢硅合成工序输送氯化氢过程中存在的问题,提出了改进措施.     

多晶硅副产物四氯化硅的利用

随着绿色能源太阳能的大规模开发利用,光伏电池原料多晶硅的用途越来越广泛.生产多晶硅的方法以西门子法用的最广,在生产多晶硅原料三氯氢硅的过程中会产生大量的副产物四氯化硅,其对环境的污染相当严重,如何处理这些副产物,这个问题亟待解决.介绍了多种四氯化硅的再利用方法,如可以用来制造气相白炭黑,合成有机硅产品,制备高纯光纤,用...     

1.5万t/a三氯氢硅生产装置研究

对1.5万t/a三氯氢硅装置进行了研究,包括开发背景、生产技术、工艺流程、注意事项、原料及动力消耗、安全与环保等。     

工业乙烯基三乙氧基硅烷的GC—MS分析

对乙烯基三乙氧基硅烷工业品进行了GC－MS分析，发现其中含有甲基三乙氧基硅烷（1）和1，3－二乙烯基－1，1，3，3－四乙氧基二硅氧烷等杂质，主要杂质为化合物I，占3．27％。理论分析认为：在三氯氢硅与氯乙烯的高温热缩合反应中发生的副反应产生了甲基三氯硅烷，它进一步与乙醇反应生成化合物I；据此提出了一些解决的方法。     

三氯氢硅合成尾气回收方法探讨

探讨三氯氢硅合成尾气回收方法,降低三氯氢硅生产成本,利于环境保护。     

影响多晶硅质量的因素

在三氯氢硅加氢还原生产多晶硅过程中,影响产品品质的因素有:三氯氢硅提纯、三氯氢硅加氢还原和外来杂质等.多晶硅分析要求精度高而分析方法中存在不足,建议从整个多晶硅生产工艺来分析和判断多晶硅杂质产生的原因.     

十二烷基三甲氧基硅烷的合成

以三氯氢硅、1-十二碳烯为原料,在铂催化剂存在下合成出十二烷基三氯硅烷;并以溶剂法醇解得到十二烷基三甲氧基硅烷。考察了催化剂用量、原料配比、反应时间对加成反应的影响,溶剂、原料配比、温度等因素对醇解反应的影响。最佳反应条件为:在加成反应中,当铂催化剂与三氯氢硅的量之比为3.6×10-4∶1、三氯氢硅与1-十二碳烯的量之比为1.15∶1时,十二烷基三氯硅烷的收率达81%,反应在室温下无诱导期即可发生、且无需改变加料方式、反应时间短、副反应少、收率高;醇解反应采用溶剂法,将十二烷基三氯硅烷滴加到甲醇中,十二烷基三氯硅烷与甲醇的量之比为1∶3.2,底温控制在70℃,N2流量为80 mL/min,十二烷基三氯硅烷的滴加速度为1 mL/min,十二烷基三甲氧基硅烷的收率为85%。     

2种除三氯氢硅中硼、磷工艺的比较

介绍2种除三氯氢硅中硼、磷的方法,比较2种工艺的实际运行效果,树脂吸附法具有工艺流程短,操作简单,除硼、磷效果稳定等优势。     

三氯氢硅生产工艺的优化

分析三氯氢硅合成工艺、精馏工艺中存在的技术问题并进行了改进,介绍了技改取得的效果,并指出今后技改的方向。