680m~3浮选机工业化应用过程中的动力学性能测试与分析

680m~3浮选机投入生产试运行已一年有余,表现出卓越的设备稳定性和分选性。本文从浮选流体动力学角度出发,对680m~3浮选机在带矿运行过程中的充气性能、矿浆循环悬浮性能和气泡大小及其负载性能进行了测试分析。结果表明,680m~3浮选机充气量可以达到1.1m~3/(m~2·min)以上,能够满足一般硫化矿大气量的生产需求,空气分散度在7以上,平均气含率约7%;不同深度浮选槽内矿浆浓度和粒级分布较为均匀,无明显分层现象。气泡表面积通量可达39.20s-1,随着气泡的上浮,气泡负载呈现上升趋势,最高可达3.37g/L。优越的浮选流体动力学特性充分地保障了680m3浮选机良好的分选效果。     

矿用智能风速仪

利用单片机设计了一种较为简单的便携式风速仪,使测量结果的精度得到了 较大的提高。     

浅析复合绝缘子"不明闪络"原因

在分析复合绝缘子产生闪络原因的基础上,指出复合绝缘子闪络事出有因,对"不明闪络"的概念提出异议。应从电压类型、实际运行情况和复合绝缘子本身的结构和工艺去分析闪络原因。     

MC-ICP-MS标样-样品交叉测试法测定石笋样品的230Th/U年龄

借鉴国际上已经建立的方法,本研究设计了一套便捷的UTEVA树脂分离纯化U与Th的化学流程,以及多接收电感耦合等离子体质谱测量U/Th同位素的方法,用于精确测定石笋样品的²³⁰Th/U年代。U/Th同位素的测量采用标样-样品交叉测试法（standard-sample bracketing）,即在测量未知样品之前和之后分别测量标准样品的同位素,通过外部归一化和线性内插法估算测量未知样品时仪器的校正因子,如质量歧视和二次电子倍增器相对于法拉第杯的增益。为检验该方法的可靠性,本研究分析了国际U标准样品Harwell uraninite-1（HU-1）、U/Th内用标准样品MFT和已知年代石笋样品的U/Th同位素。结果显示：HU-1的δ²³⁴U=（-1.27±2.14）‰（±2σ,n=29）,该结果与国际上不同实验室的测量值在误差范围内一致。U/Th内用标准样品MFT（±2σ,n=22）的δ²³⁴U、²³⁰Th/²³⁸U放射性活度比和年代平均值分别为（408.2±3.2）‰、1.002±0.003和(124.3±0.5) ka,具有较好的重现性。47个石笋样品的²³⁴U/²³⁸U、²³⁰Th/²³⁸U放射性活度比和²³⁰Th/U校正年代的相对误差（±2σ）分别约为0.6‰、2.4‰和0.5%,与已发表数据在误差范围内吻合。     

低汞触煤使用“四法则”

提出了低汞触媒使用的“四法则”——品质优、控制严、流量稳、反应温,从低汞触媒的生产和使用控制各环节人手,对“四法则”进行了较为详细的阐述。为了更好地使用低汞触媒,提出了传统转化器测温热电偶不等间距分布的设计思路。     

集成电路工艺用过氧化氢中杂质元素的检测方法

集成电路工艺用过氧化氢经水稀释10倍,采用高分辨电感耦合等离子体质谱仪进行Na和B等杂质检测。采用标准加入法,选择高分辨电感耦合等离子体质谱仪的中分辨模式,有效消除了Fe、P、Ca等的干扰;选择高分辨模式,消除了K、As的干扰。建立的方法有效降低了基质效应、消除了环境干扰,检出限10 ng/L,背景等效浓度30 ng/L,回收率在90.5～103.2之间,重复性的相对标准偏差≤7.2%,再现性的相对标准偏差≤10.2%,满足国际半导体设备材料产业协会对集成电路工艺用过氧化氢的测试要求。     

污水处理厂除臭工程设计

苏州某污水处理厂采用"等离子+土壤滤池"除臭工艺。介绍该除臭工艺和加盖方式的选择及除臭方案的确定,充分展示污水处理厂构筑物加盖除臭在功能与美观密切结合上的新颖亮点,为同类污水处理厂加盖除臭提供参考。     

硫气氛下热处理后太阳能玻璃减反膜的透过率稳定性

太阳能镀减反膜玻璃作为太阳能电池盖板玻璃,需要长期暴露于室外,因此了解太阳能玻璃减反膜的透过率及其稳定性具有重要意义。本文主要研究了在一定湿度和一定温度环境下,硫气氛下和未通入硫气氛下热处理后的太阳能玻璃减反膜透过率的变化。通过岛津UV-3600测定了玻璃的透过率;利用Nexus傅里叶变换红外光谱仪和INVIA显微共焦拉曼光谱仪测定了太阳能玻璃减反膜的结构。研究结果表明:太阳能玻璃减反膜的透过率稳定性与不同气氛下热处理后的结构有关;在水侵蚀作用下,减反膜的透过率与水的结合类型有关。     

提高直流输电换相能力的强迫换相拓扑结构研究

针对传统高压直流输电逆变侧易发生换相失败的问题,提出了一种新型强迫换相桥路拓扑,该拓扑的阀臂采用了两组串联晶闸管通过电容器并联结构.基于该拓扑结构,给出了3种工作状态及相互切换模式,设计了电容电压控制策略,并通过理论计算得到了电容预充电压的最优值.最后,在PSCAD/EMTDC仿真环境下搭建了所提出的新型桥路模型,进行正常及故障情况下的仿真,验证了电容电压控制策略的正确性,且与传统HVDC相比,新桥路能防御交流系统大部分单相故障,对三相故障也有很好的防御效果,有效地降低了换相失败发生的概率.所提出的拓扑结构可以有效提高HVDC对换相失败的抵御能力,改善系统的故障恢复特性.