钦合金激光焊接头的损伤行为

针对航空工业应用广泛的BT20钛合金,主要研究其激光焊接头的损伤行为和机理.在对钛合金激光焊接头组织和性能不均匀性分析的基础上,采用SEM原位观察的方法对激光焊接头的塑性损伤行为进行研究,从细观上揭示焊接接头的损伤演化与断裂机理.试验发现:焊缝的损伤形式为微裂纹在切应力与正应力共同作用下沿滑移带萌生,在裂纹前端滑移带相交处,应力集中会引发新的微裂纹,并随后与主裂纹相连,从而导致裂纹的"Z"字型扩展.     

嵌入纯钛薄板对TA15钛合金电子束焊焊缝成分及显微组织的影响

在TA15钛合金电子束焊对接接头中嵌入纯钛TA1金属薄片,通过改变焊缝的熔宽调控焊缝内的母材与嵌入材料的比例,以此实现对焊缝内合金成分含量的控制。通过对焊接接头及焊缝内元素分布特征的观察和分析,证明选用适当的焊接工艺参数可以实现合金元素的均匀分布,并可有效地细化焊缝组织、降低焊缝的显微硬度。     

聚焦电流对电子束填丝焊接焊缝几何特征的影响

通常情况下,电子束焊接工艺研究时将聚焦电流作为焦点位置的主要表征参数.电子束填丝焊接时,通过改变聚焦电流,可以控制束流的焦点位置.不同的焦点位置决定了束流到达工件表面时的能量分布,直接影响到焊丝及母材的熔凝状况,进而对电子束填丝焊接焊缝截面几何形状具有重要影响.通过改变聚焦电流、其余参数不变,能够得到聚焦电流与焊缝截面形状、焊缝横截面面积、熔深、表面熔宽、半熔深处熔宽、余高等焊缝截面几何参量之间的关系,对优化电子束填丝焊接工艺参数具有积极参考意义.     

电子束局部热处理对TC4合金接头疲劳性能影响

通过低周轴向应变疲劳试验,研究了电子束局部热处理对TC4钛合金接头疲劳性能的影响.结果表明,电子束局部热处理TC4钛合金接头在疲劳过程中存在一定的软化行为;在一定的载荷条件下,与焊后未热处理状态相比,经过电子束局部热处理后,TC4钛合金电子束焊接接头的疲劳寿命可以提高30%以上.     

GH4169合金电子束焊接接头CTOD断裂韧度

根据GB/T2358—94标准,分别在20℃和650℃下,对GH4169合金电子束焊接接头的裂纹尖端张开位移(CTOD)进行测试。取SE(B)试样进行三点弯曲试验,然后由所得到的20℃和650℃下母材和电子束焊缝的P-V曲线来计算CTOD值,比较两个温度下的试验结果,对试验结果进行了分析讨论。     

火焰喷涂法制备纳米改性陶瓷涂层

研究了纳米改性陶瓷粉的配制。对所制备的纳米改性陶瓷涂层的结合强度、孔隙率、耐磨性、耐蚀性、微观形貌进行了试验研究。结果表明;火粉喷涂法制备的纳米改性陶瓷涂层与等离子喷涂陶瓷涂层性能相近。     

镍基高温合金电子束焊接接头疲劳性能

对GH4169高温合金板材电子束焊接试样进行了金相分析和高、低周疲劳试验,分析GH4169合金的高、低周疲劳性能及疲劳断口形貌.结果表明,GH4169合金电子束焊接接头焊缝区的特点是树枝晶比较明显,为比较发达的树枝晶和明显的二次枝晶.在较高放大倍数下发现,母材和热影响区也为树枝晶结构.接头低周疲劳性能不低于母材,随应变幅降低,相同应变幅下焊接接头疲劳寿命变得略高于母材.接头高周中值疲劳强度比母材高约80 MPa.     

电子束焊接高品质大功率逆变高压电源研究

150kV逆变高压电源与原有中频发电式高压电源相比,具有更高的高压稳定度和更小的纹波,从而提高了工艺的稳定性和重复性。本文中所设计的电子柬焊接用高压电源,基于先进逆变技术和倍压拓扑技术,不仅动态响应快、电气性能指标高及控制性能好,而且具有体积小、重量轻、效率高等一系列优点,完全能够满足电子束焊接的工艺要求。     

TA15合金电子束嵌入法焊接接头的力学性能

通过嵌入过渡金属材料及调节焊接工艺的方法,优化嵌入法电子束焊接接头焊缝中合金元素成分,并且有效控制焊缝成分的均匀性,从而改善焊接接头力学性能.研究结果表明:嵌入法焊接接头强度与母材的相当,冲击韧性较常规工艺焊接接头有显著提高,升幅超过50%,并且有效降低焊接接头疲劳寿命的分散度.     

Ti-60钛合金电子束焊接接头高温下的失效与变形行为

在600℃拉伸条件下,Ti-60钛合金电子束焊接接头的熔合区和热影响区抗变形能力强于母材区(BM),试样断裂于母材区.在600℃持久条件下,当加载应力≤550 MPa时,接头变形以扩散控制的位错攀移为主,变形能力取决于显微组织中的板条边界密度,板条越细,边界密度越高,变形能力越大,断裂位置在接头熔合区;当加载应力接近或550 MPa(母材区屈服强度附近)时,接头的变形以位错滑移为主,断裂位置在母材区.在600℃高周疲劳条件下,疲劳裂纹易萌生于接头母材区,裂纹形核位置在试样的表面或次表面. TEM观察表明,接头母材区的变形以贯穿板条集束的位错滑移为主;而接头熔合区中的位错则局限在单个马氏体板条内部,位错运动特征为攀移及少量滑移.