混合稀土变质高硅铝活塞合金

采用镧铈钇型混合稀土对过共晶Al—24％Si活塞合金进行了变质处理，对其金相组织和力学性能进行了研究。结果表明：与单一稀土铈变质相比较，镧铈钇型混合稀土对该合金具有较好的变质效果，初晶硅的尺寸基本保持在20μm左右，且尖角大多钝化呈团球化状，共晶硅呈短杆状均匀分布；合金经过混合稀土变质后，晶界处产生复杂化合物组织起到了弥散强化作用，使其综合力学性能明显提高，尤其是高温强度的显著提高，已完全满足活塞合金在使用性能上对高温强度的要求。     

拓扑缺陷对碳纳米管电学性能的影响

在紧束缚近似基础上,利用扩展的Su-Schriffer-Heeger(SSH)模型,在实空间中计算了理想的"zigzag"碳纳米管中分别引入5/7,5/6/7,5/6/6/7拓扑缺陷所构成的(9,0)-(8,0),(9,0)-(7,0)和(9,0)-(6,0)三种系统的能带结构和电荷密度,并对这三种系统的计算结果进行了比较.结果表明,拓扑缺陷五边形和七边形在碳管中沿轴向的不同分布对碳管电学性能的影响明显不同.因此,可以研制出基于这些异质结的不同电子器件基元.     

关于压陷型沉降拗陷盆地的讨论――以柴达木盆地为例

柴达木盆地中新生代沉降拗陷的原型盆地类型为压陷型沉降盆地。中生代到古近纪(古新世和始新世)盆地西部以分隔性断块发育为特征,北缘则主要为沉降拗陷群。中新世以来的喜马拉雅中晚期构造运动,使青藏地块受到强烈的水平挤压,地壳因发生大规模褶皱变形和冲断推覆而大大加厚并迅速隆升。地处青藏地块边缘的柴达木盆地受其碰撞应力效应十分明显,在构造动力机制转换的作用下,盆地西部前中生代基底持续抬升,沉积、沉降中心发生了自西向东的迁移,发育形成了以三湖凹陷为沉降中心的压陷型沉降盆地。     

前陆盆地的沉降和抬升机制研究进展

简要介绍了前陆盆地的概念,结构要素和构造特征,详细论述了前陆盆地抬升和沉降机制的研究进展,讨论了沉降和抬升诸因素之间的关系,提出了在研究前陆盆地沉降和抬升机制方面应注意的问题。     

二步阳极氧化法制备氧化铝模板及机理分析

用预处理的铝箔,以草酸为电解液,采用二步阳极氧化法制备多孔有序阳极氧化铝阵列模板,利用透射电镜和X射线衍射仪对其进行表征,并对阵列孔的形成机理进行分析.结果表明:适当提高电压有利于孔的有序化;孔的有序化存在一个最佳阳极氧化时间,本试验条件下为6 h;根据试验结果并结合目前几个常见模型可较圆满解释阵列孔的形成过程.     

半导体纳米粒子的电容

用简谐势描述量子点中电子所受的约束,通过简谐势模型利用自洽迭代的方法计算了CdS、PbS等半导体纳米粒子的充电电容,从而找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径.     

半导体量子点的电容

当电子数目很少量,用简谐势来描述量子点中电子所受的约束是一种很准确的近似。文章利用量子力学中的少体理论方法研究了二电子系统和三电子系统的行为。少体理论可以把质心运动和相对运动分离,从而得到精确的数值解。利用单个电子在量子点中的基态波函数的束缚行为,选择了量子点的束缚能。通过对ＣｄＳ、ＰｂＳ等半导体纳米粒子的充电电容的计算找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径。     

半导体纳米粒子电容的自洽计算

通过球方阱的模型利用自洽迭代的方法计算了Si,InAs等半导体纳米粒子的充电电容,从而找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径.     

Au纳米粒子自组装体系的数值模拟

本文对形成室温单电子现象的典型隧道结结构模型利用 WKB方法求解薛定谔方程计算其隧穿电流与偏压的关系。本文利用该方法对 Au纳米粒子组装体系在室温下的 I- V特性进行了计算机模拟 ,发现结果与实验符合得很好。该方法对于进一步指导纳米电子器件的实验及其原型化有重要意义。