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以新疆产天然电气石为原料制备了电气石微粉,利用X射线衍射仪、扫描电镜、高分辨电镜、17O核磁共振研究了电气石微粉的物相结构、微结构特点和电气石的热释电性对水分子团簇结构影响,并对其作用的机理进行了探讨。结果表明,所制备的电气石微粉的结晶性完好,具有单向极性结构的热释电性材料电气石的微晶在温度涨落的环境中可视为电偶极子;电气石粉对水的17O核磁共振谱的半峰宽具有明显的影响,从HW=145.41Hz降到HW=81.11Hz,表明电气石微粉对水分子团簇结构的改善有明显的作用。 相似文献
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非晶晶化作为一种制备晶体材料的有效方法已得到广泛应用,近年来,采用金属诱导晶化(metal induced crystallization, MIC)法显著降低材料的晶化温度引起了研究者们的兴趣。为探究MIC模式下温度对金属催化剂扩散行为及晶化过程中材料结构变化的本征影响,本研究以金属Pt诱导非晶硅晶化为例,采用透射电镜结合原位热学研究方法,在原子尺度上直接观察MIC模式下非晶硅的晶化过程。结果显示在550℃下Pt/Si界面处产生了硅化物Pt2Si等化合物,使得材料界面处出现明显的结构变化。而当温度升高至650℃时,Pt会以颗粒移动的形式发生扩散,且扩散过程中会发生明显的几何结构变化。Pt与非晶硅不同的扩散速度会导致界面处出现柯肯达尔孔洞而阻碍界面处两种材料的进一步扩散。当温度升高至700℃时,非晶硅发生晶化,且在此过程中Pt对非晶硅的晶化起了促进作用。 相似文献
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Ca0.28Ba0.72Nb2O6(CBN28)晶体是一种新型的铁电材料,对其电光、压电、热电和光折变等性能的研究引起广泛的兴趣。X射线研究表明,Ca0.25Ba0.75Nb2O6(CBN25)结构上类似于四方钨青铜(TTB)晶体Sr0.5Ba0.5Nb2O6(SBN)。TTB晶体骨架由Nb-O八面体共顶点相连而成,沿c方向形成三角、四方和五角通道,不同有效半径的掺杂离子选择性地占据不同的通道。 相似文献
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采用紫外辐照法将具有双键的纳米SiO2接枝于光固化水性聚氨酯(WPUA)上,得到改性纳米SiO2/WPUA胶膜。通过红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、差示扫描量热(DSC)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、热重(TG)、胶膜吸水率和力学性能等测试,研究了不同含量改性纳米SiO2胶膜的微观形貌和性能。结果表明,加入改性纳米SiO2使胶膜结晶性降低,热稳定性提高,对胶膜的平整度影响不大。当改性纳米SiO2添加量为5%时,胶膜的吸水率为2.418%,拉伸强度和断裂伸长率达到最大值为10.303 MPa、368.807%,比空白膜分别增大了40.49%和66.30%,复合材料具有最佳的耐水性和力学性能。 相似文献
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根据制作La3Ga5SiO14(LGS)晶体电光Q开关的需要,生长了可用于制作电光Q开关的LGS晶体。根据大量晶体生长实验的结果,讨论了晶体原料纯度、来源、晶体原料起始组分配比及晶体提出量与晶体质量的关系,认为Ga2O3的纯度和来源对晶体质量的影响最大。实际生长光学应用的LGS晶体过程中,La2O3纯度为5N(或6N),而SiO2为6N。起始组分配比应选共熔点处的配比,即x(La2O3)=30.00%,x(Ga2O3)=50.65%,x(SiO2)=19.35%。考虑到生长过程中Ga2O3的挥发,Ga2O3应适当过量,n(Ga)/n(Si)范围为5.20~5.30。晶体提出量与起始组分有关,晶体提出量以50%~60%为宜。 相似文献
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摘 要: 研究了不同Ru含量(0和2wt.%)的高Re镍基单晶高温合金在1120 ℃/140 MPa条件下的蠕变性能,采用SEM、STEM/TEM以及EDS等方法分析了Ru对合金γ/γ′相组织、合金元素成分分配比、蠕变变形组织和位错形态的影响。结果表明,与无Ru合金相比,含Ru合金γ′尺寸更为细小,γ相通道更窄,γ/γ′两相中对TCP相析出有重要影响的Re、Mo和Cr元素分配更加均匀。Ru通过降低γ′相和γ相通道尺寸,降低γ/γ′界面平均位错间距,抑制蠕变加载过程中TCP相析出,显著提高合金的高温蠕变性能。本文研究结果对认识单晶合金高温蠕变过程中Ru的强化机理方面具有理论指导意义。 相似文献