退火温度对SiC薄膜表面形貌和结构的影响

采用射频磁控溅射法在单晶Si(100)表面制备了非晶态SiC薄膜,并于真空热处理炉中进行(800～1200)℃×1h退火处理。通过X射线衍射、扫描电镜以及摩擦磨损试验研究了退火温度对薄膜结构、表面形貌以及性能的影响。结果表明,退火温度在800℃以上薄膜结构开始发生明显的晶态转变,在1000℃时薄膜主要结构为3C-SiC,且薄膜表面晶粒细小、致密,摩擦系数约为0.2。在1200℃退火时,薄膜为混晶结构,且薄膜晶粒明显粗化。     

医用镍钛合金表面多层薄膜的制备及摩擦磨损和耐腐蚀性能

采用阳极氧化技术和射频磁控溅射技术在NiTi合金表面分别制备了TiO2薄膜以及Ti/TiN/TiO2多层薄膜。借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、摩擦磨损试验仪及电化学工作站等仪器对薄膜的形貌、结构、摩擦磨损性能及耐腐蚀性能进行了研究。结果表明,NiTi合金经表面处理后,其摩擦磨损性能和耐腐蚀性能均得以不同程度的改善,其中阳极氧化和磁控溅射复合处理的NiTi合金的耐磨性和耐蚀性具有最佳的配合。     

碳钢基体磁控溅射SiC薄膜结合力研究

采用磁控溅射法在T10钢表面获得了SiC薄膜,并研究了溅射方式、工艺参数以及中间层对薄膜结合性能的影响.试验结果表明,采用功率为200 W射频法和时间为2 h的SiC/Ni-P双层薄膜结合力最好.     

表面处理对40CrNiMo钢超声疲劳寿命的影响

用超声疲劳试验技术研究40CrNiMo钢表面处理在超声振动载荷（f=20kHz,R=-1）下的疲劳寿命以及影响因素.研究结果表明,渗碳和渗氮处理能显著提高工件的超声疲劳寿命,此外具有强韧配合的微观组织超声疲劳寿命较高.研究发现,40CrNiMo钢不同类型的微观组织具有两种类型的S-N曲线,即持续下降型和阶梯下降型.扫描电镜对疲劳断口进行分析表明,超声疲劳载荷下,裂纹在试样表面或次表面缺陷处萌生,然后向里扩展.     

工业缝纫机梭床耐磨性研究

分析了缝纫机梭床磨损失效原因。论述了Ni-P化学镀表面技术应用于缝纫机梭床上的可行性。借助扫描电镜、能谱仪、磨损试验机、显微硬度计等设备对化学镀层的表面状态、组织结构及性能进行综合分析。结果表明，Ni-P化学镀层的硬度、耐磨性远远高于碳氮共渗层。其中Ni-P-SiC化学复合镀层的性能最好。同时对化学镀层的高硬度、高耐磨性进行了分析说明。     

Ni-P-MoS2自润滑复合镀层的研究

在钢铁材料的基体上沉积了N i-P-MoS2复合镀层,借助于SEM、XRD、热分析仪、显微硬度计、磨损试验机等设备对镀层的表面形貌、成分、结构、硬度以及摩擦磨损性能进行了分析。结果表明:MoS2粒子的加入不影响基质金属N i-P合金的结构和晶化转变,N i-P-MoS2复合镀层无论在干摩擦状态还是油摩擦状态均具有较N i-P镀层低的摩擦因数,但是2种状态下磨损失重都很大,因而它是一种具有优异减摩性能的复合镀层。     

40CrNiMoA钢不同微观组织超声疲劳寿命研究

应用超声疲劳试验技术,对三种不同微观组织状态的40CrNiMoA钢在超声振动载荷(f＝20kHz,R＝-1)下的疲劳性能进行测试分析.结果表明:在超声振动条件下,具有强韧配合的微观组织超声疲劳寿命得到显著提高;不同微观组织的40CrNiMoA具有两种类型的S-N曲线:持续下降型和阶梯下降型,试样在107以上仍会发生疲劳断裂.扫描电镜对疲劳断口的分析表明:在超声疲劳载荷循环下,疲劳裂纹起源于试样表面.初步探讨了超高周疲劳断裂机理.     

化学复合镀层激光处理研究

研究了激光处理对Ni-P -SiC化学复合镀层的影响。借助于扫描电镜、能谱仪、X射线衍射、显微硬度计等设备对激光处理后复合镀层的表面形貌、组织结构及性能进行了综合分析。结果表明 ,对复合镀层进行激光处理可以获得与炉内加热同样的镀层硬度 ,且当激光功率 4 0 0W ,扫描速度 1.5m /min时 ,镀层硬度高于炉内加热的硬度     

磁控溅射硅钼薄膜的抗氧化性能研究

用射频磁控溅射法在单晶Si基体上制备了硅钼薄膜,对薄膜进行真空退火处理以及高温氧化实验,借助SEM和X射线衍射仪(XRD)等仪器对退火前后的薄膜以及高温氧化后的薄膜进行了分析。结果表明沉积态的硅钼薄膜为非晶态,高温真空退火使薄膜由非晶态转变为晶态,致密的复合氧化物是硅钼薄膜具有良好的抗氧化性能的主要原因。     

钢基耐磨SiC薄膜制备研究

用磁控溅射的方法在40Cr钢的表面制得了SiC薄膜.通过X射线衍射、傅里叶红外光谱分析、摩擦磨损以及划痕试验研究了工艺参数、溅射方式对薄膜性能的影响.结果表明:室温下,用磁控溅射法制备的SiC薄膜具有非晶态结构;傅立叶红外光谱证实了薄膜中除了Si-C键的存在外还有大量的Si-Si键;在相同的工艺参数下用射频溅射法制备的薄膜表面更为光滑致密,与基体结合更好;采用射频溅射法,在功率200W,时间为2h,工作气压为0.1Pa条件下制备的SiC薄膜性能最佳.