首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   94篇
  免费   0篇
综合类   10篇
化学工业   15篇
金属工艺   38篇
建筑科学   1篇
矿业工程   12篇
水利工程   2篇
一般工业技术   11篇
冶金工业   5篇
  2022年   3篇
  2021年   2篇
  2020年   2篇
  2019年   2篇
  2018年   3篇
  2016年   1篇
  2014年   4篇
  2013年   2篇
  2012年   6篇
  2011年   8篇
  2010年   7篇
  2009年   3篇
  2008年   7篇
  2007年   7篇
  2006年   7篇
  2005年   7篇
  2004年   2篇
  2003年   7篇
  2002年   5篇
  2001年   6篇
  2000年   1篇
  1997年   2篇
排序方式: 共有94条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
以CaOH为沉淀剂通过共沉淀从绿矾溶液中回收Fe_3O_4,研究分散剂PEG对Fe_3O_4磁分离的影响。结果表明,分散剂PEG对Fe_3O_4的回收有显著影响。在Fe_3O_4制备过程中添加PEG不利于Fe_3O_4的回收。当PEG-6000浓度从0增加到8 g/L时,Fe_3O_4产品的铁品位从65.58%降至57.79%,中值粒径从2.35μm降至1.35μm。然而,在混合产物的湿磨过程中添加PEG可促进随后的Fe_3O_4回收。当PEG-200用量从粉末质量的0%增加到4%时,Fe_3O_4产物中铁的品位从65.58%升高到68.32%。当PEG-200用量为4%时,改变PEG相对分子质量从200增加到20000,Fe_3O_4产物中铁品位从68.32%降至66.70%。  相似文献   
2.
研究阳极导电材料碳素钢、316L不锈钢、铅钙合金、石墨、钛涂钌板、钛板和铜板在硫酸盐和氯盐体系中对铁钨锡合金粉电解铁的影响。结果表明:电解24 h,上述阳极导电材料在氯盐中的阴极电流效率为90%、90%、66%、66%、54%、49%、33%,在硫酸盐中的阴极电流效率为90%、87%、82%、81%、73%、68%、54%。槽电压均逐渐升高,在氯盐体系中,石墨、铅钙合金、钛涂钌板和钛板作阳极导电材料时,电解液pH逐渐降低;碳素钢、316L不锈钢和铜板作阳极导电材料时,电解液pH逐渐升高。在硫酸盐体系中,铜板和碳素钢作阳极导电材料时,电解液pH基本不变;316L不锈钢作阳极导电材料时,pH逐渐升高;铅钙合金、石墨和钛板作阳极导电材料时,pH先升高后降低。基于槽电压、阴极电流效率,选择适宜的电解体系为硫酸盐体系,该体系中适宜的阳极导电材料为铅钙合金。  相似文献   
3.
以沉金后液为原料,采用SO_2为还原剂,研究在卤素以及卤素复合催化剂存在条件下还原沉金后液中的硒碲以及捕集贵金属金铂钯的工艺。结果表明:在85℃、硫酸浓度167 g/L、SO_2流量0.2 L/min的条件下,当Cl-催化剂浓度为1.1 mol/L、反应时间2 h,或当Br~-催化剂浓度为0.5 mol/L、反应时间3 h,或当I~-催化剂浓度为0.3 mol/L、反应时间2 h时,硒金铂钯还原率达到100%,碲还原率达到99.60%以上。采用卤素复合催化剂,当Na Cl与Na Br摩尔比为1:2时,有助于加快硒碲的还原,而且降低了催化剂的用量。SO_2催化还原后产物中含碲74.56%、铜11.85%、硒7.38%,贵金属金3.89%、铂0.19%、钯1.02%(质量分数);还原产物中碲以单质状态存在,产物形貌为球状体。热力学分析表明:硫酸浓度为167 g/L时,Se(Ⅳ)主要以H_2Se O_3形式存在,Te(Ⅳ)主要以H_3Te O_3~+形式存在;当溶液中有Cl~-存在时,溶液中H_3Te O_3~+在Cl~-缔合作用下逐渐转变为Te Cl_6~(2-),其电极电势较H_3Te O_3~+的正,促进碲的还原。  相似文献   
4.
采用Na2SO3溶液从硒渣中选择性浸出Se及其动力学   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用SO2还原沉金后液制得硒渣,再用Na2SO3选择性浸出硒渣,使Se得到有效分离;通过研究浸出过程中Se浸出率随时间的变化,建立该反应的动力学方程,确定Na2SO3溶液浓度、液固比、搅拌速度及反应温度对Se浸出率的影响,并计算相应的表观活化能。结果表明:增加Na2SO3溶液浓度和升高反应温度可以较大幅度提高Se的浸出率,液固比和搅拌速度对浸出Se的影响较小;Na2SO3浸出Se过程为Avrami模型混合控制,其特征参数n和表观活化能E分别为0.235和20.847 kJ/mol,Se的浸出率受反应温度的影响较大。  相似文献   
5.
氧化铁黑颜料的制备   总被引:11,自引:1,他引:10  
采用硫酸浸出黄铁矿烧渣的FeSO4浸出作为原料,选用氧化沉淀法制备氧化铁黑颜料,所得产品的性能指标达到HG/T2250-91一级品标准,介绍了该制法的反应原理及工艺流程。讨论了氧化反应温度、pH值、空气流速、硫酸亚铁浓度、Fe^3 /Fe^2 比值对产品性能的影响。  相似文献   
6.
以含砷污酸为原料,通过中和除杂-沉砷-洗涤-浸出-蒸发结晶-溶解制取三氧化二砷,实现含砷污酸的资源化。结果表明:将污酸中和至pH为2,使污酸的酸度降低;在中和液中加入硫酸铜,控制Cu和As的摩尔比为1.5:1,调节体系pH为8沉淀As,得到亚砷酸铜,As的沉淀率达到97.81%;通过洗涤除杂提高亚砷酸铜中As和Cu的含量;采用10%硫酸溶液,在液固比为5:1条件下浸出亚砷酸铜,所得溶液蒸发结晶得到三氧化二砷与硫酸铜的混合物;用水溶解该混合物后过滤得到硫酸铜溶液及符合 YS/T-99-1997As2O3-3号产品标准的三氧化二砷。  相似文献   
7.
Well-crystallized hexagonal hematite (α-Fe2O3) platelets were synthesized by hydrothermal process,using a highly concentrated ferric hydroxide as precursor.The precursor was prepared by adding ammonia to the ferric sulfate solution which was obtained by leaching pyrite cinders with sulfuric acid.Structure and morphology of the synthesized products were investigated by X-ray diffraction,scanning electron microscope,transmission electron microscope and selected area electron diffraction.The results reveal tha...  相似文献   
8.
铜电解液中砷的还原及脱除(英文)   总被引:1,自引:0,他引:1  
探讨了反应温度、H2SO4浓度、CuSO4浓度、反应时间、SO2气流量等因素对SO2还原铜电解液中As(Ⅴ)的影响,并对浓缩共晶作用下铜电解液中As(III)的脱除行为进行了研究。研究表明:As(V)还原率随着反应温度和H2SO4浓度的升高而降低,随着SO2气流量的增大及反应时间的延长而升高。当反应温度为65°C,H2SO4浓度为203g/L,CuSO4浓度为80g/L,SO2流量为200mL/min,反应时间为2h时,铜电解液中As(Ⅴ)还原率为92%;铜电解液中的As(V)还原后,将铜电解液浓缩至H2SO4浓度为645g/L时,As、Cu、Sb、Bi脱除率分别达到83.9%,87.1%,21%,84.7%.XRD分析结果表明:结晶产物中含有As2O3和CuSO4·5H2O等物相。  相似文献   
9.
硝酸氧化浸出难冶炼高砷钴矿   总被引:3,自引:0,他引:3  
在100g钴矿加入39mL浓硫酸、浸出温度80℃、浸出时间2h、液固比2:1时,采用常规的硫酸浸出,钴浸出率仅为16.86%;当100g钴矿中加入42.5mL浓硫酸、在焙烧温度630℃、焙烧时间1.5h的焙烧条件下,采用硫酸化焙烧后硫酸浸出,钴浸出率达到67.48%;在100g钴矿中加入39mL浓硫酸和56mL浓硝酸、浸出温度60℃、浸出时间4h、液固比为3:1时,采用硝酸氧化下硫酸浸出,钴浸出率为96.35%。  相似文献   
10.
铜电解液电积脱铜制备高纯阴极铜   总被引:5,自引:2,他引:3  
利用电积法制备高纯阴极铜,研究了添加剂、电解液温度、电流密度以及Cu2+浓度对电积法脱铜制备高纯阴极铜质量的影响。当添加剂(骨胶:明胶:硫脲质量比为6∶4∶5)用量为40 mg/L,电解液温度为55℃,电流密度为200 A/m2,电解液中Cu2+浓度从48.78 g/L降至31.71 g/L时,电积脱铜得到的阴极铜质量达到了高纯阴极铜标准(GB/T 467-1997);其电流效率达到99.19%,高纯阴极铜产率达到38.09%。电积脱铜制备高纯阴极铜不仅增加了阴极铜产量,而且可大大减少电积时黑铜板和黑铜粉。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号