传感器用耐高温导线研究进展

耐高温导线具有良好的高温稳定性、高温绝缘性、耐腐蚀性、磁电特性与弯绕性等优点,在传感器中用于传输信号、控制电流等。目前,进行高温测量的传感器使用温度要求高达600℃以上,传统耐高温导线已经无法满足使用要求。所以,提高耐高温导线温度特性刻不容缓。文章综述了传感器用耐高温导线材料与结构、制作过程关键工艺及研究进展,并对耐高温导线材料性能提升与发展方向作出了展望。     

钼表面包埋渗法制备(Ti, Mo)Si2/MoSi2 涂层及其在1200 ℃周期性氧化环境下的氧化行为

利用连续沉积的包埋渗法,在钼表面制备了(Ti,Mo)Si₂/MoSi₂复合涂层。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、能谱仪和热力学计算对涂层进行了表征与反应机理分析。结果表明,共沉积法无法实现Ti的有效沉积。先渗Ti、再渗Si的两步沉积工艺能有效制备Ti改性硅化物涂层。涂层分为3层,最外层为(Ti,Mo)Si₂三元化合物层,次外层为MoSi₂层,次外层与基体间为Mo₅Si₃过渡层。渗硅温度对涂层结构无明显影响。Ti改性硅化物涂层的生长速率略低于单一渗硅涂层的生长速率。(Ti,Mo)Si₂/MoSi₂复合涂层的形成由Ti、Si内扩散控制。Ti元素集中在涂层表层,Si元素通过(Ti,Mo)Si₂化合物层与基体作用形成MoSi₂层和Mo₅Si₃过渡层。渗Ti过程中,埋渗料间反应会引入游离态铝氟化物AlF₃。在随后的渗硅过程中,游离态Al以Al₃Mo的形式在(Ti,Mo)Si₂层中靠近MoSi₂层的上界面处析出。在1200 ℃周期性氧化过程中,(Ti,Mo)Si₂/MoSi₂复合涂层持续循环氧化180 h后未出现明显失重。(Ti,Mo)Si₂层氧化形成的SiO₂与TiO₂致密复合氧化层能填充涂层表面裂纹,持续阻碍氧扩散,因此其在周期性氧化环境下的抗氧化性能显著优于单一渗硅涂层。