石家庄市室内氡及其子体浓度

本文报道了用双滤膜法对石家庄市室内空气中氡及其子体浓度的调查结果。47个房间室内氡年平均浓度为17.0Bq·m~(-3),氡子体平均浓度是7.14Bq·m~(-3)。氡及其子体浓度的日变化是清晨4—8时出现峰值。季节变化是夏秋季低,冬季高,全年的最低值出现在8月,最高值出现在11月。     

~3H-标记化合物纸层析扫描的实用装置

~3H-标记化合物的制备、贮存和使用过程中需要测量放化纯度,而纸层析是迄今为止普遍采用的分离分析方法之一。由于~3H是软β发射体,在层析纸上的~3H样品大部分均被层析纸片所吸收。任何有窗的探测器其效率都非常低,甚至无法使用。国外对~3H类标记化合物的层析测量主要用液体闪烁探测器,或者用无窗流气正比计数器扫描。为了克服~3H-标记化合物层析样品测量的困难,使层析纸上~3H-标记化合物的分布     

GaAs单片电路的一些设计考虑

<正> 一、引言半绝缘 GaAs 是一种低损耗,高介电常数、适合于微波集成电路使用的介质材料,例如用做微带衬底。这些性质与 GaAs MESFET 器件优良的微波性能相结合,不管是模拟器件、还是高速开关,都第一次真正单片地找到解决微波集成电路的方法。所谓单片,指的是一种方法,在这种方法中,把所有的有源和无源电路元件以及连线都通过一定的淀积方法,例如外延生长、离子注入、溅射、蒸发以及其他方法加工在 GaAs 半绝缘衬底的本体或表面上。     

ICME在工业领域的实施及发展现状

介绍了ICME的概念、研究背景及意义,阐述了ICME在工业领域的实施范例;结合TMS的一份ICME报告总结了ICME在工业领域的发展现状及问题。调查表明,虽然不乏ICME在工业领域实施的成功范例,但ICME尚未在这些工业领域实现广泛应用。     

铌在铀熔体中的溶解扩散行为研究

铀铌合金具有优异的抗腐蚀性能和良好的综合力学性能，是核工程中重要的结构与功能材料。通过直接真空感应熔炼的方式实现铀铌合金的合金化，可大幅度提高铀铌合金的生产效率。然而，铀铌合金的真空感应熔炼合金化过程易出现合金化不充分的现象，该问题主要与固态铌在铀熔体中的溶解扩散过程有关。为了提高对固态铌在铀熔体中的溶解扩散的认识，精确优化铀铌合金的真空感应熔炼工艺，提升铀铌合金材料质量，本文对固态铌在铀熔体中的溶解扩散行为进行了研究。通过溶解扩散实验获得铌在铀熔体中的溶解速率v与熔体温度T存在v=0.3651exp(-21150[K]/T)[m/s]关系；对U/Nb溶解扩散界面进行了表征，结果显示铌溶解于铀熔体的过程中，U/Nb溶解扩散界面形成了与固态Nb存在位向关系的片状结构；对比有无电磁搅拌情况下铌在铀熔体中的溶解行为及U/Nb界面结构，结果表明电磁搅拌提高了铌在铀中的溶解速率并改变了U/Nb界面的片状结构。     

铸态U-5.5Nb合金中的胞状分解

研究了铸态U-5.5Nb合金连续冷却过程中的组织及相转变行为。利用OM、SEM和XRD对组织特征及相组成进行了分析。结果表明,U-5.5Nb合金在连续冷却过程中发生了不完全的胞状分解,形成了类似于珠光体的片层组织,片层间距为86~186 nm。XRD分析表明片层组织由贫Nb的α相和富Nb的γ1-2中间相组成。胞状分解优先在晶界和夹杂物周围形核并长大。通过对晶界处胞状分解组织特征以及热力学计算分析可以得到U-5.5Nb合金胞状分解满足Fournelle-Clark热激活分解机制。在夹杂物界面上观察到了一层连续的但厚度不均匀的γ1-2相薄膜(30~60 nm),并且夹杂物和胞状分解聚集体分离。     

2千兆赫20瓦和4千兆赫5瓦单片晶体管

一、目的本计划旨在研究两种分别具有一定技术水平的固体器件。它们是应用在放大器内的具有单片集成匹配网络的双极微波功率晶体管。器件这样装配:将单个管芯直接附着在金属热沉上,从而免去了现有微波功率晶体管封装都要用的BeO隔离。研究的两种器件是2千兆赫20瓦和4千兆赫5瓦,它们都是以连续波模式工作的。将生产足够数量的器件,以证明其基本设计和封装技术能适应于生产需求。二、技术说明 1.引言本合同初期主要致力于以下两方面的工作:首先设计2千兆赫20瓦器件的有源部     

源区正面通孔电镀热沉结构的X、Ku波段功率GaAs MESFET

本文简述了采用源区正面通孔电渡热沉结构的三种器件(CX631、CX641、CX671)的设计要点和主要制作技术及性能。由于这种结构的FET的源区通过在极薄GaAs衬底上开凿的通孔和散热电极直接接地,使器件的源寄生电感和热阻大大下降,使得器件在X、Ku波段获得较高增益。CX631器件在12GHz下,P_0≥40mW,G_p≥10dB,较好器件P_0为58mW,G_p为11.6。CX641器件在18GHz下,P_0≥30mW、G_p≥5dB,载体装配器件G_p可达7dB。最好器件P_0可达50mW。CX671器件在12GHz下,P_0≥80mW,G_p≥9dB,最好器件输出功率可达140mW。