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低温沉积具有优异光电性能的ITO一直是道难题。本文采用掺杂H2的方式,利用磁控溅射设备室温制备了ITO导电膜,并通过分光光度计、四探针测试仪、台阶仪等对样品进行表征,研究了不同H2掺杂量对薄膜光学、电学、附着力的影响。结果表明,适量的H2掺杂可以在保证较高透过率的基础上,降低薄膜的电阻率,同时,增加膜层的附着力,可以获得透光度75.1%、方块电阻12欧姆、电阻率6.3×10-4Ω·cm的膜层。 相似文献
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使用CO2和N2利用磁过滤阴极弧法(FCVA)在Si(100)和304不锈钢上沉积Ti(C,N,O)薄膜。采用XPS, XRD, Raman, SEM, 摩擦磨损试验机,电化学实验站检测得出气体流速对薄膜成分、相结构和薄膜性能的作用。当混合气体流量从10sccm升高的50sccm时,薄膜中的C和N含量有明显增加,而O和Ti含量有小幅下降;当混合气体流量从50sccm升高到80sccm时,薄膜中的C和N含量下降,而Ti含量有小幅上升,O含量急剧上升。薄膜由nc-Ti(C,N,O)纳米晶结构,转变为nc-Ti(C,N,O)/a-CNx,a-TiO2/a-CNx,N-doped a-TiO2/a-C纳米复合结构。N-doped a-TiO2/a-C纳米复合结构薄膜具有最低的摩擦系数(0.34),nc-Ti(C,N,O)/a-CNx,N-doped a-TiO2/a-C纳米复合结构薄膜在Hanks溶液中均表现出良好的抗腐蚀能力。 相似文献
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