桃仙机场OSN3500维护和故障处理

本文针对华为OSN3500光端机日常维护以及经常出现的一些故障,进行故障的分析整理并进行有效处理.对其日常维护的方法和故障的处理方法加以总结.     

数据交换管理系统域模型

《AJ-820A组装与连接手册》涵盖了用于组装和电子组件焊接实践技术的通用信息和说明。本手册由业界著名的专家及经验丰富的委员会成员制定和审核。手册中的信息包括：电子组件的操作、设计考虑要素、印制电路板、元器件、可焊性、材料、元器件贴装、焊接技术与连接、清洗、敷形涂覆、灌封、返工和维修。共     

连续柱状晶Cu-ECAP中的晶界演变及其与剪切带的交互作用

金属发生塑性变形时形成的剪切带在高应变状态下会被分割为孪晶-基体片层状组织,而纳米尺度的孪晶界能实现材料强塑性的高度匹配。因此,利用等通道转角挤压(ECAP)技术研究剪切带的形成与作用可为材料的强塑性匹配提供有效支持。通过对具有特殊晶界角度的连续柱状晶纯Cu进行1道次ECAP变形,研究变形过程中晶界的演变,分析变形过程中剪切带的形成机制及与晶界的交互作用,测试了不同晶界角度试样变形后的力学性能。结果表明:ECAP变形后,0°晶界发生弯折,内角处晶界顺时针转动50°,30°晶界顺时针转动5°,45°晶界弯曲并呈现出"汤匙"状,60°晶界中心发生弯曲,90°晶界未发生变形。试样变形过程具有多个受力区域,各区域应力状态不同,多种应力交替作用使变形过程中的应变分布极不均匀,从而导致宏观变形存在较大差异。拉伸实验结果表明,具有0°晶界的晶体抗拉强度最高,达到325 MPa,其次是具有45°晶界的晶体,达到295 MPa,而具有60°晶界的晶体抗拉强度最小,为230 MPa。晶体变形后晶粒内形成大量的剪切带,剪切带与晶界的交互作用使晶界发生弯曲。剪切带与晶粒取向及晶界夹角的不同是造成材料变形后抗拉强度产生较大差异的因素之一。     

绿色建筑中暖通空调技术的应用探析

随着城市化进程的不断加快,建筑行业的发展可谓是突飞猛进,导致能源消耗量的快速增长。建筑的主要能耗包括通风、采暖以及空调、照明等,其中的通风与采暖的能耗是最高的。面对能源危机,推进绿色建筑事业的发展,并将暖通空调技术应用其中,这是减少建筑采暖能耗的重要途径。接下来就从暖通空调技术要点着手,简单分析绿色建筑中应用暖通空调技术的途径,并探讨提出若干优化措施,以推动建筑节能效率的提升。     

桃仙机场华为光传输设备故障处理方法

本文针对华为光传输设备经常出现的一些故障，通过定位的方法帮助设备维护人员分析定位故障进而解决故障。并且列出一些典型的故障来阐述常用的故障定位方法如何应用。     

单晶铜在ECAP过程中的织构转变和强化行为

由于优秀的导电性能,单晶铜已经在各个领域得到了广泛的应用。然而,较低的强度性能严重阻碍了其进一步的发展和使用。所以,使用ECAP技术对单晶铜进行强化,同时研究采用三个不同路径挤压时对材料性能的影响。使用电子背散射衍射和 X 射线衍射来对 6 道次 ECAP 变形过程中单晶铜的织构进行检测。模具的内角为 120°,挤压路径为 A、Bc、C。结果表明： 5 道次挤压后,A 路径,Bc路径和 C 路径的强度和延伸率分别为 405MPa 、30%,395 MPa、26.7%,385 MPa 、27.9%。6 道次挤压后,A 路径的织构为{112}<110>以及较弱的{110}<112>织构;Bc 路径为{001}<110>织构;而 C 路径的织构已经产生了分散。当采用 C 路径进行几道次的挤压后,首先在其极图中出现了双织构并存的情况,随后 A 路径极图中同样出现了双织构。而在 Bc 路径极图中,并没有其他的织构出现。在挤压过程中材料的导电性只有少量的下降,且全部在 98%IACS 以上。可以看出,在合适的应变量下,ECAP 可以使单晶铜强度明显提高而且导电性损失很小。同时,采用不同的挤压路径可以显著影响材料的性能,例如采用A路径挤压出的材料有最高的强度,C路径挤压出的材料有最好的导电性能。     

高等数学教学研究

高等数学课程是理工科各专业必修的主干基础课,其教育必须满足人的全面发展的需要,必须适应当代教学改革的需要。     

单晶铜在ECAP过程中的织构转变和强化行为（英文）

由于优异的导电和导热性能,单晶铜在各个关键领域得到了广泛的应用。然而,较低的强度严重限制了其在更广阔领域的发展和使用。利用ECAP对单晶铜进行强韧化调控,同时探索变形路径对材料性能强化机理的影响。采用电子背散射衍射来对ECAP变形过程中单晶铜的织构进行检测。模具的内角Ф=120°,外角ψ=37°。同时检测强化后材料的强度和延伸率。结果表明:5道次挤压后,A路径,Bc路径和C路径的强度分别为405、395、385 MPa,延伸率分别为30%、30%、27.9%。6道次挤压后,A路径的织构从原始的{111}112变为{112}110以及较弱的{110}112两种织构;Bc路径为{001}110织构;而C路径的织构发生了明显分散,出现多种织构并存的情况。在挤压过程中材料的导电性只有轻微的降低。可以看出,在合适的应变量下,ECAP可以使单晶铜强度明显提高而且导电性损失很小。同时,采用不同的挤压路径可以显著影响材料的性能。