印刷电子领域的高分辨导电布线技术

综述了印刷电子领域的高分辨导电布线的研究现状,具体分析了目前印刷电子领域中实现高分辨导电布线的有效途径以及影响印刷分辨率的重要因素。     

BaO-Al2O3-SiO2微晶玻璃密度的计算

为了评估密度作为BaO-Al2O3-SiO2(BAS)微晶玻璃晶化热处理和质量监控手段的可行性和准确性,提出一种测定微晶玻璃密度的方法.利用x射线衍射和Rietveld结构精修法准确测定烧结制备的BAS微晶玻璃中各晶相的质量分数和密度,研究了加和法则应用于BAS系微晶玻璃的准确性.对比精修得到的晶相的晶胞参数和对应标准卡片上纯晶相的晶胞参数,得到样品中各晶相的密度.结果表明:BAS微晶玻璃中各晶相与对应纯晶相的密度差别极其微小.利用获得的各相的质量分数,根据玻璃工艺学的经验数据计算残余玻璃相的密度.最后,根据加和法则计算得到BAS微晶玻璃样品的密度,所得的密度值与利用Archimedes法测得的密度值的相对偏差小于1.4%.     

AgMeO触点材料电弧侵蚀的物理冶金过程分析

本文报ＡｇＭｅＯ触点材料电弧侵蚀机理，对电弧的热力作用下触点材料的各种响应从物理冶金本质角度进行全面研究，在此基础上对ＡｇＭｅＯ触点材料组元和组织的优化设计作了完整的分析，提出优化设计判据，最后提出能充分表征触点材料电气使用性能的材料物理性能参数。     

基于不锈钢基板的厚膜电路制备技术

介绍了用丝网印刷法和低温烧结绝缘带转移法制备不锈钢绝缘基板的方法,比较分析了不同方法制得的不锈钢基板的绝缘性能,以及应用于Al2O3基板的浆料与绝缘带的相容性。还进行耐热冲击和自由落体试验,研究了不锈钢基板上介质覆盖层的结合强度。     

片状导电填料对银碳浆方阻和流变性能的影响

在选定粘结剂体系的基础上,制备了不同片状银粉含量的银碳浆。分别测试了浆料固化膜的导电性能、浆料的黏度曲线、应变扫描曲线和频率扫描曲线,以表征分析片状银粉含量对银碳浆性能的影响。结果表明随片状银粉所占比例的增加膜层方阻呈指数递减;不同片银含量的银碳浆均表现出剪切变稀行为,随片状银粉所占比例的增加浆料在低剪切下的黏度降低;碳浆、银碳浆的线性黏弹区范围基本一致,但银碳浆流动点较碳浆小,流动性较好;银碳浆相对碳浆具有更好的贮存稳定性,印刷适性更佳。     

金属/BAS微晶玻璃复合基板的制备与性能研究

制备了与0Cr18Ni9不锈钢热膨胀相匹配的Ba-Al-Si系微晶玻璃,利用流延法将玻璃制成生瓷带。在不锈钢板表面生瓷带经温压烧结后形成金属/微晶玻璃复合基板。电气性能测试结果,介质层厚度>73.5μm时,击穿电压>1.28kV,泄漏电流<0.05mA;微晶玻璃膨胀系数为10×10–6/℃。     

常用触点材料的物理性能

本文给出了常用触点材料的物理性能。     

不锈钢基厚膜PTC热敏电阻浆料的制备与性能研究

以二氧化钌和氧化铜的混合物为功能相制备出不锈钢基厚膜PTC热敏电阻浆料.研究了功能相与玻璃相的配比、功能相的粒度对厚膜电阻方阻及电阻温度系数(TCR)的影响规律.结果表明:固定浆料中玻璃相的成分与含量(30wt%),控制功能相中RuO2的比例(45.4wt%～88.9wt%)或功能相的粒度(0.30～1.0μm),可制得具有不同方阻(1.5～12.8Ω/□)和TCR(2100～2900×10-6/℃)的厚膜PTC热敏电阻.     

晶化时间对BaO-Al2O3-SiO2微晶玻璃相转变和热膨胀系数的影响

用X射线衍射、差示扫描量热法和热膨胀系数测试研究了BaO-Al2O3-SiO2(BAS)系微晶玻璃的不同晶化时间对其相组成和热膨胀系数的影响.结果表明:在850 ℃,BAS玻璃快速晶化析出六方钡长石;随着晶化时间的延长,六方钡长石逐渐向单斜钡长石转变;当晶化时间为24 h时,六方钡长石完全转变为单斜钡长石.微晶玻璃的相组成与热膨胀系数的关系近似满足两相模型,可通过改变晶化时间来控制相组成,方便的获得热膨胀系数在(4～8.75)×10-6/℃范围内可调整的BAS系微晶玻璃.     

ZrO2对低温烧结 BaO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃析晶和晶型转变的影响

用烧结法制备了化学计量比和高Ba含量的两组BaO-Al2O3-SiO2(BAS)系微晶玻璃,采用差示扫描量热法(DSC)和X射线衍射分析(XRD)等手段研究了ZrO2对BAS系微晶玻璃中六方钡长石析晶和六方钡长石向单斜钡长石晶型转变的影响.研究表明,两组BAS系玻璃的烧结温度低于850℃,晶化温度低于900℃.六方钡长石的析出为整体析晶.不加形核剂晶型转变为整体析晶;添加ZrO2晶型转变为表面析晶.提高Ba含量或添加ZrO2促进六方钡长石的析出和晶粒细化.化学计量比的BAS系微晶玻璃中添加ZrO2明显促进晶型转变.高Ba含量的BAS系微晶玻璃中添加ZrO2表现为抑制晶型转变,850℃保温100h不发生转变.