半导体行业用靶材及蒸发源材料

在不同产业相对比较之下，半导体产业对于溅射靶材、蒸发源材料的要求是最高的。半导体领域应用靶材是世界靶材市场的主要组成之一。本文主要介绍了靶材的分类、半导体行业用靶材的种类及制备工艺以及未来半导体行业用靶材的发展趋势。     

热处理工艺对CuNiMnFe合金性能的影响

使用真空感应熔炼制备CuNiMnFe合金,对合金均匀化前后的微观组织进行分析,并研究了淬火工艺、时效工艺对合金性能的影响.结果表明:CuNiMnFe合金进行800 ℃,8 h的均匀化处理后,合金成分分布均匀;合金采用热锻及时效热处理工艺即可达到强化效果,经440 ℃,44 h时效处理后,室温抗拉强度≥1240 MPa,硬度≥370 HV,400 ℃时抗拉强度≥990 MPa.     

贵金属在牙科铸造合金中的应用

介绍贵金属在牙科领域中的应用现状,讨论贵金属元素对合金性能的影响,重点分析低金合金的显微结构、耐腐蚀性与抗晦暗性、机械物理性能及铸造性能.     

集成电路制造用溅射靶材

溅射靶材常用于半导体产业、记录媒体产业和先进显示器产业。在不同产业中,半导体集成电路制造业对溅射靶材的质量要求最高。对用于集成电路制造的溅射靶材的材质类型、纯度要求、外形发展进行了阐述,并讨论了溅射靶材微观组织对溅射薄膜性质的影响,以及靶材中夹杂物、晶粒尺寸、晶粒取向的控制方法。     

温度循环对镍钛形状记忆合金超弹性和相变行为的影响

通过拉伸试验和差示扫描量热法(DSC)等手段,研究了高温时效和高温、低温循环对镍钛形状记忆合金超弹性和相变行为的影响。结果表明,TNC1605镍钛合金在500℃时效后具有较高的上/下平台强度,并且具有较低的残余应变,马氏体逆相变终了温度Af约为22℃,具有较好的超弹性能。经过10次200℃高温保温4 h和液氮中保温4 h的高低温循环处理后,下平台强度、6%拉伸加载和卸载后残余应变、Af和超弹性性能参数保持稳定。     

超高纯AlSi1铸锭反偏析研究

通过实验研究了AlSi1铸锭反偏析现象.采用真空感应炉熔炼、石墨模铸造获得高纯AlSi1合金铸锭.利用电感耦合等离子体发射光谱仪分析铸锭中Si成分分布,采用间隙气体分析法分析铸锭气体含量,使用光学显微镜观察了铸锭金相组织.研究发现,铸锭含气量非常低的情况下,铸锭底部、中部和顶部的截面圆内都存在着明显的反偏析,铸锭中部心部区域的Si含量最低.铸锭的边部为尺寸较小的柱状晶,中部为粗大的柱状晶,细小Si析出相弥散分布,心部为等轴晶,Si析出相主要聚集在晶界附近,呈棒状,且尺寸明显长大.AlSi1熔体凝固时,先析出相Si的不断形核与长大消耗大量的Si,使得后凝固熔体贫Si,从而导致了铸锭的反偏析缺陷.     

热处理对99.999 5%高纯Al-Si合金第二相的影响

通过光学显微镜、偏振光、扫描电镜观察,硬度测试及第二相体积分数的计算,研究高纯Al-Si合金在均匀化、再结晶退火过程中第二相分布和形态的变化,以及第二相对材料显微组织和性能的影响.结果表明,铸锭经530 ℃×7 h均匀化处理后,枝晶偏析基本消除,析出相均匀、细小,已发生明显粒化,体积分数为0.22%.铸锭进行多次反复冷锻和中间退火后,经变形量约70%的冷轧处理,合金再结晶温度为300 ℃,平均晶粒尺寸55 μm;退火温度高于420 ℃时,随温度的升高,第二相的固溶度增大,晶界的钉扎减弱,晶粒长大;强塑性变形对共晶Si相的破碎效果不显著,而均匀化处理应是其细化的主要手段.     

钴再结晶退火的研究

在较大热轧变形量的情况下,研究了工业纯钴在两种不同退火冷却方式下,不同退火温度的金相组织和硬度,同时对样品进行了XRD分析.结果发现,冷却方式对显微硬度有异常影响,确定了工业纯钴的再结晶温度,也对空冷情况下显微硬度异常变化的原因进行了分析.     

银掺杂的TiO2光催化纳米薄膜制备及农药降解性能

采用喷雾热分解法制备银掺杂的TiO2纳米薄膜,考察微量银对纳米薄膜光降解农药敌敌畏能力的影响.结果表明,可获得连续致密、晶粒尺寸为20～50nm的TiO2多晶锐钛矿型纳米薄膜.当溶胶中无银盐时,薄膜对敌敌畏的光降解率为48.6%,当溶胶中银盐含量为0.267mol/L时,敌敌畏的光降解率高达99.95%.添加银盐改变了有机物吸附平衡常数,加快了有机物的光降解速率.     

贵金属在牙科铸造合金中的应用

介绍贵金属在牙科领域中的应用现状，讨论贵金属元素对合金性能的影响，重点分析低金合金的显微结构、耐腐蚀性与抗晦暗性、机械物理性能及铸造性能。