FeGaB(25 nm)/Al_2O_3/FeGaB(25 nm)多层薄膜结构:氧化铝(Al_2O_3)厚度变化对静态与动态磁性能的影响（英文）

铁镓(FeGa)薄膜与其它软磁材料相比具有较大的磁致伸缩常数,在设计集成磁性传感器芯片中具有独特的优势,可通过采用非磁性掺杂和多层膜方法来控制这种合金薄膜的磁学与电学性能参数。在掺杂一定量硼(B)元素后,厚度小于30 nm的FeGa薄膜顽力可以得到显著降低,而对于较厚薄膜在插入超薄Al_2O_3中间层后软磁性能可以得到同样程度显著改善,同时饱和磁化(M_s)变化可忽略。对于我们制备的FeGaB(25 nm)/Al_2O_3(0.5 nm)/FeGaB(25 nm)多层膜,其易轴矫顽力可以小到0.98×79.6 A/m,电阻率与50 nm单层FeGaB膜相比增加了1.5倍,同时具有吉赫兹高磁导率谱。样品微结构分析表明,磁性颗粒结晶质量和物理尺寸的减小对软磁性改善起到重要作用,另外也讨论分析了静磁相互作用和表面形貌对磁畴运动及矫顽力的影响。所发展的掺杂与多层膜混合方案来增强电磁性能的方法,也可应用于其他类型的软磁材料系统。     

FeGaB (25 nm)/Al2O3/FeGaB(25 nm)多层薄膜结构：氧化铝(Al2O3)厚度变化对静态与动态磁性能的影响

铁镓(FeGa)薄膜与其它软磁材料相比具有较大的磁致伸缩常数,在设计集成磁性传感器芯片中具有独特的优势,本文通过采用非磁性掺杂和多层膜方法来控制这种合金薄膜的磁学与电学性能参数。我们实验发现在掺杂一定量硼(B)元素后,厚度小于30 nm的FeGa薄膜顽力可以得到显著降低,而对于较厚薄膜在插入超薄Al2 O3中间层后软磁性能可以得到同样程度显著改善,同时饱和磁化(Ms)变化可忽略。对于我们制备的FeGaB (25 nm)/Al2O3(0.5 nm)/FeGaB(25 nm)多层膜,其易轴矫顽力可以小到0.98 Oe,电阻率与50nm单层FeGaB膜相比增加了1.5倍,同时具有吉赫兹高磁导率谱。样品微结构分析表明,磁性颗粒结晶质量和物理尺寸的减小对软磁性改善起到重要作用,另外我们也讨论分析了静磁相互作用和表面形貌对磁畴运动及矫顽力的影响。本文发展的掺杂与多层膜混合方案来来增强电磁性能的方法,也可应用于其他类型的软磁材料系统。     

浮动式卸料机构

对侧冲孔模具的卸料机构进行了介绍,重点对浮动式卸料机构进行了阐述,在模具设计中使用此结构可有效的保证侧冲孔废料的顺利滑落,降低模具因侧冲孔积料而导致的损坏,进而降低模具维修保养成本,同时对此类制件的模具设计有一定的参考意义。     

Metglas/PZT磁电叠层结构的输出倍频现象及直流场的影响

磁电复合材料在磁场(电场)激励下表现出的一些新颖的物理特性越来越引起人们的关注。采用粘接法制备了纵向极化、横向磁化的L-T型Metglas/PZT叠层结构,在该结构中发现了一种输出信号倍频现象,即当输入信号的频率为器件机械共振频率的1/n时,输出频率为输入的n倍。这种倍频现象源于磁电叠层结构中磁性材料磁致伸缩的非线性行为和器件共振特性的共同作用。由于器件共振的影响,当输入频率为器件共振频率的1/2时,磁电系数的直流场依赖曲线表现出明显的双峰现象。