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通过改造的家用微波炉,实现了原位高效制备石墨烯/TiO2纳米复合物。结果表明:微波辅助法能够在商用锐钛矿型TiO2纳米颗粒表面均匀制备石墨烯纳米片,通过SiO2/Si的剧烈电晕放电,其制备时间仅需数分钟(最短3 min)。石墨烯纳米片的尺寸大约为50 nm且缺陷很少。TiO2晶体结构仍为锐钛矿型,主要归功于极短的制备周期和较低的反应温度(600~700 ℃)。石墨烯具有优异的电导率,可以提升锂离子扩散速率、提高电子传输速率并降低接触电阻。在1 C(170 mA·g-1)条件下石墨烯/TiO2纳米复合物的电池放电比容量提高了2倍。与商业化锐钛矿型TiO2纳米颗粒相比,在1 C到5 C的不同充放电倍率下,石墨烯/TiO2纳米复合物的比容量差距显著扩大。 相似文献
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多协议标记交换(MPLS)是实现宽带Internet的一种IP与ATM相结合的新兴网络技术。本文讲述了MPLS的发展背景,并对MPLS的网络构成、基本术语、工作过程、技术特点进行了简明的阐述,并通过将其与IntServ、Diff-Serv比较,描述了MPLS对于QoS的支持,最后提出了MPLS技术未来发展的方向。 相似文献
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碳/碳化硅复合材料(C/SiC)在使用时经常受到高温氧化和烧蚀作用。本文采用化学气相沉积(CVD)和浆料刷涂-烧结法制备了双层SiC/ZrB2-SiC-B4C涂层,对比研究了无涂层,单层SiC涂层和双层SiC/ZrB2-SiC-B4C涂层C/SiC复合材料在1500℃下的氧化和在4.2 MW/m2热流密度下的烧蚀性能。结果表明,制备态ZrB2-SiC-B4C涂层致密、完整,表面平均粗糙度约为1 μm,孔隙率约为4.2 %。在1500℃氧化30 h后,SiC/ZrB2-SiC-B4C涂层C/SiC复合材料的质量损失率约为10%,涂层表面氧化膜致密,无明显裂纹。高温烧蚀20 s后,SiC/ZrB2-SiC-B4C涂层的线烧蚀率和质量烧蚀率分别为1.0±0.3 μm/s和1.1±0.2 mg/s,与单层SiC涂层相比分别降低了75.0 %和50.0 %,SiC/ZrB2-SiC-B4C涂层烧蚀后形成的ZrO2-SiO2氧化膜可以减缓火焰对复合材料的机械剥蚀作用。 相似文献
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多协议标记交换(MPLS)是实现宽带Internet的一种IP与ATM相结合的新兴网络技术。介绍了MPLS的网络构成、基本术语、工作过程,并通过将其与IntServ、DiffServ比较,描述了MPLS对于QoS的支持。 相似文献
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采用化学气相沉积(CVD)结合前驱体浸渍裂解(PIP)技术制备了 SiC涂层的C/SiC和C/SiBCN复合材料,研究了高温循环氧化对2种复合材料弯曲性能的影响.结果表明,与SiC-C/SiC相比,SiC-C/SiBCN复合材料的平均室温抗弯曲强度约为605 MPa,增幅达到126.6%.在1000和1200℃循环3次... 相似文献
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难熔金属碳化物改性是提升陶瓷基复合材料抗氧化性能的有效途径。然而,ZrC-HfC-TaC改性对循环氧化烧蚀性能的影响却鲜有报道。利用前驱体浸渍裂解结合化学气相沉积工艺构筑了ZrC-HfC-TaC改性C/SiC复合材料,剖析了1600 ℃/5 h循环静态氧化后材料的力学强度、化学组成以及微观结构的变化,根据表征结果提出了改性后材料的抗氧化机理,并利用1700 ℃/4000 s循环氧乙块焰烧蚀试验验证了ZrC-HfC-TaC改性对提升循环氧化烧蚀性能的有效性。研究表明,经过ZrC-HfC-TaC改性的C/SiC复合材料具备优异的高温循环氧化烧蚀性能。 相似文献
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利用HfC-TaC对C/SiC-ZrC陶瓷基热结构复合材料进行改性,提升C/SiC-ZrC材料的抗氧化性能。结合前驱体浸渍裂解和化学气相沉积法制备陶瓷基复合材料,并通过静态氧化实验(1600 ℃/5 h和1600 ℃/20 h)检验其抗氧化性能。结合弯曲强度测试和失重情况分析,发现HfC-TaC可以有效改善C/SiC-ZrC复合材料的氧化行为,且能够使其满足力学性能要求。借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜和能谱仪等仪器,对复合材料的晶相结构、微观结构等进行了分析,结果显示:均匀的元素分布和基体中各陶瓷组元间良好的融合度是C/SiC-ZrC复合材料抗氧化性能提升的原因。 相似文献
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多协议标记交换 (MPLS)是实现宽带Intemet的一种IP与ATM相结合的新兴网络技术。本文讲述了MPLS的发展背景 ,并对MPLS的网络构成、基本术语、工作过程、技术特点进行了简明的阐述 ,并通过将其与IntServ、DiffServ比较 ,描述了MPLS对于QoS的支持 ,最后提出了MPLS技术未来发展的方向 相似文献