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1.
利用热浸镀技术在铁基体表面制备了铝硅镁涂层,探讨热浸镀时间对涂层的影响,研究了涂层的腐蚀性能。结果表明:随着热浸镀时间的增加,铝硅镁涂层中铁铝反应层厚度呈现抛物线式增长,当Mg和Si添加量达到3%时,铁铝反应受到明显的抑制作用,反应增厚的速度较慢。3.5%NaCl溶液中的电化学腐蚀表明,随着Mg和Si的增加,涂层的自腐蚀电位呈现下降趋势,Al-6Mg2Si涂层具有最低的自腐蚀电位和较小的自腐蚀电流。  相似文献   
2.
IDMS法测定核动力堆辐照元件中裂变产物^148Nd   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文报道作者采用IDMS法测定核动力堆辐照元件中裂变产物~(148)Nd的方法、步骤和措施,给出~(148)Nd沿反应堆元件轴向分布曲线,测定误差小于1%。  相似文献   
3.
同位素稀释质谱法是用途很广的一种分析方法,由于它精密度好,准确度高,干扰少,所以在标准分析和仲裁分析中占有重要地位,并适用于医学,地质等领域的研究和工业材料中微量杂质的分析。同时,在环境科学中的应用亦日益增加。近几十年来,由于工业的迅速发展,土壤、水源、空气和食品中有害元素的污染已引起人们的重视。  相似文献   
4.
同位素稀释质谱法测定动力堆辐照元件中^149Sm的含量   总被引:1,自引:0,他引:1  
一、引言 核燃料经反应堆辐照后,产生一系列裂变产物。~(149)Sm是裂变产物中的一个核素,它具有较大的中子反应截面。当它大量存在时,严重影响中子的利用率。因此,~(149)Sm含量的测定,对反应堆的运行、设计和核燃料的后处理等工作,具有重要意义。 本工作采用同位素稀释质谱法,对反应堆辐照元件中~(149)Sm的累积量进行了测定。为了降低元件样品用量和减少误差来源,采取相应的措施,获得满意结果。  相似文献   
5.
一、前言由于U(IV)-U(VI)同位素交换体系具有相当大的同位素效应和很好的稳定性,并且容易实现两相回流,这对于分离U同位素的工业应用都是十分有利的。但是,U(IV)-U(VI)同位素交换反应速度非常慢,常温下H~+浓度为1.0—4.0 mol/l时,速度常数为1.0×10~(-4)l~2/mol·s。因此要用U(IV)-U(VI)交换体系浓缩铀同位素,必须研究U(IV)-U(VI)交换反应动力学,找到加快交换反应的方法。  相似文献   
6.
本文以测量微量铀为例,对用同位素稀释质谱法测量多同位素元素的一些误差问题进行讨论。  相似文献   
7.
在原子扩散理论分析基础上,通过热浸镀锡作为扩散过渡层的方法制备了高强界面的ZChSnSb11-6/30CrMnSi复合材料.采用扫描电子显微镜(SEM),能谱仪(EDS)表征了ZChSnSb11-6在热浸镀锌30CrMnSi钢表面形成的界面过渡区形貌及其元素分布,并对界面硬度和结合强度进行了表征.结果表明,通过热浸镀锡作为中间层的方法可以制备出巴氏合金/钢双金属复合材料;30CrMnSi钢基体与中间层金属锡形成一层互相扩散的过渡区,厚度随镀锡温度的升高而显著增加;过渡区硬度明显高于两侧基体;界面结合强度随镀锡温度的升高逐渐上升,在900℃时结合强度达到60.6 MPa.  相似文献   
8.
一、引言质谱仪属于一种借助于荷质比(M/e)的差异,而进行物质含量分析的离子光学仪器。它的基本工作过程可概括为:1.中性分子借助于慢电子碰撞或其他方式被电离成为带电离子;2.带电离子经过电场加速后,在磁场内由于受洛仑茨力的作用而按不同荷质比(M/e)分开;3.分别接收不同(M/e)的离子流,比较其强度而确定被分析物质的成分。目前质谱计广泛地应用于科学技术的各个领域,在解决一系列困难而复杂的问题上,愈来愈显示出它的优越性。  相似文献   
9.
文章介绍了用质谱计测量反应堆元件的燃耗的基本方法,铀同位素比值法和燃耗监测核素~(148)Nd含量测定法的测量误差分别是(3.0—4.0)%和(1.6—2.0)%。用质谱法获得的燃耗值与用γ谱法和放化法获得的燃耗值是一致的。 文章给出了铀同位素比值、α_5值和燃耗值沿反应堆元件轴向的分布曲线,铀同位素比值与燃耗值的关系曲线。铀同位素比值和燃耗值的关系曲线是线性的,它与裂变生成的毒物核素~(149)Sm同燃耗的关系曲线是一致的。  相似文献   
10.
本文描述用同位素稀释质谱法测定反应堆辐照元件中~(149)Sm和~(150)Sm含量的方法步骤,研究了~(149)Sm、~(150)Sm沿反应堆元件的轴向分布规律。  相似文献   
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